- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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MOSFET
- Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流I
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场效应管
- 传统上，开关电源（SMPS）是用一个基本的模拟控制环路来实现的，但数字信号控制器（DSC）技术的最新发展使得采用全数字...
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反馈 MOSFET 驱动
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IGBT MOSFET 汽车
- 英飞凌推出新一代MOSFET节能器件，助力电源制造商实现能效目标 英飞凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流/直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在导通电阻、功率密度和门极电荷等主要功率转换指标上达到业界领先水平。 许多电源产品，如用于服务器、笔记本电脑、等离子或液晶电视以及游戏机的电源产
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MOSFET 电源技术 节能器件 模拟技术 英飞凌
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MOSFET
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MOSFET
- 由于锂电池的体积密度、能量密度高，并有高达4.2V的单节电池电压，因此在手机、PDA和数码相机等便携式电子产品中获得了广泛的应用。为了确保使用的安全性，锂电池在应用中必须有相应的电池管理电路来防止电池的过充电、过放电和过电流。锂电池保护IC超小的封装和很少的外部器件需求使它在单节锂电池保护电路的设计中被广泛采用。
然而，目前无论是正向（独立开发）还是反向（模仿开发）设计的国产锂电池保护IC由于技术、工艺的原因，实际参数通常都与标准参数有较大差别，在正向设计的IC中尤为突出，因此，测试锂电池保护IC的实
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MOSFET 电源技术 锂电池 模拟技术 消费电子 消费电子
- 1 引言
TPS54350是德州仪器(TI)新推出的一款内置MOSFET的高效DC／DC变换器．采用小型16引脚HISSOP封装．连续输出电流为3 A时，输入电压范围为4．5 V~20 V。该变换器极大地简化了负载电源管理的设计，使得设计人员可直接通过中压总线(而不依赖额外的低电压总线)为数字信号处理器(DSP)、现场可编程门阵列(FPGA)及微处理器供电。TPS554350 SWIFT(采用集成FET技术的开关)DC／DC变换器的效率高达90％以上，非常适用于低功耗工业与商用电源、带液晶显示屏(LC
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MOSFET 电源技术 模拟技术 信号处理 模拟IC 电源
- Vishay推出一款网上工具，可供设计人员详细模拟在各种应用中Vishay Siliconix MOSFET 在运行时的热效应情况及其受邻近元件的影响如何。 Vishay 新推出的 ThermaSim™（可从 http://www.vishay.
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- 意法半导体（纽约证券交易所代码：STM)推出了新系列功率MOSFET产品的第一款产品。 通态电阻极低，动态特性和雪崩特性非常优异，新系列产品为客户大幅度降低照明应用的传导损耗、全面提升效率和可靠性带来了机会。 商用照明应用市场对更高的功率密度和更低的成本的日益增长的需求激励半导体制造商挑战器件优化的极限。新产品STD11NM60N就是一个这样的挑战半导体器件技术极限的实例，该产品采用ST自主开发的第二代 MDmeshTM 技术，最大通态电阻 RDS&nb
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MOSFET ST 电源技术 晶体管 模拟技术 消费电子 意法半导体 照明 消费电子
- 新处理器对电源的要求越来越高，快速的负载阶跃响应、严格的输出电阻限制以及快速的输出变化都是必不可少的。因此，选用合适的控制器至关重要。
同样的控制器，不同的电感和电容
首先来看现有的控制器。对于台式计算机和一些较大的笔记本电脑来说，具有最小纹波电流的四相控制器为负载阶跃提供最快速的响应。但是，必须有足够高的开关频率以所需的转换速率来响应负载瞬变，还需要MOSFET来保证低的导通电阻RDSON并且使高频开关损耗最小。
如果需要提高开关频率，那么需要增加控制器反馈环路的带宽以提供足够快的响应，可是大
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MOSFET 电源技术 工业控制 模拟技术 模拟IC 电源 工业控制
- 瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）” 实现CPU稳压器应用的业界最高效能 --与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。 R2
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DrMOS MOSFET 单片机 电源技术 集成驱动器 模拟技术 嵌入式系统 瑞萨
- Intersil的双同步降压稳压器具有集成式MOSFET和高效用户可配置电源模块 Intersil的ISL65426提供了2个逻辑可编程或电阻可调输出电压，并提高了每个输出（2个输出的总输出电流为6A）的用户可编程负载电流的灵活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率双输出同步降压稳压器 - ISL65426。该器件采用薄型QFN封装，并为2条同步降压稳压器通道集成了保护功能，使其成为为当今的小型应用供电的理想之选。 ISL65426在1MHz的固定频率下进行转
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Intersil MOSFET 电源技术 电源模块 集成式 降压稳压器 模拟技术 双同步 模块
- 1 引言
智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)以开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护功能、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等优点在电力电子领域得到越来越广泛的应用。以PM200DSA060型IPM为例。介绍IPM应用电路设计和在单相逆变器中的应用。
2 IPM的结构
IPM由高速、低功率IGWT、优选的门级驱动器及保护电路构成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IPM具有GTR高电流密度、低饱和电压、高耐压、
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IPM MOSFET 电源技术 模拟技术 模块
场效应管(mosfet)检测方法与经验介绍
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