美国Gartner的发布资料显示，2006年全球半导体设备投资增加了24.9％（发布资料、英文）。在2006年半导体设备投资中，逻辑产品虽然投资减速，但借助内存设备投资的增加，整体依然保持了增长。该公司预测，投资额在2007年将减少0.7％，到2008年则会再度出现20.8％的大幅增加。 其中，2006年晶圆制造设备（wafer fab equipment）投资增加了26.3％。主要是面向内存设备的投资。今后，支持65nm及45nm工艺的设备需求
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半导体 设备 投资
半导体销售额今年增10.6% 处理器市场反弹 据国外媒体报道，iSuppli公司近日发表研究报告称，半导体产业将在今年看到当前增长周期的顶峰，但由于商业的动态变化，今年的增长率将仅有10.6%，远远低于历史最高记录。 该研究公司称，全球半导体销售额将在07年达到2858亿美元，比去年的2585亿美元增长10.6%。在2007年以后，增速将放缓至8.7%，到2009年则降至谷底，增长率为3.7%。到2010年，半导体销售年增长率又将反弹至7.4%。 10.6%属
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半导体 市场
根据最新一份调查报告，今年半导体板块有望再创辉煌。 据vnunet报道，在刚刚过去的2007年1月份中，全球半导体产品总销量达到214.7亿美元，比去年同期足足上涨了9.2％。然而该数字比去年12月份则下降了2.1％。该统计数字来自于半导体产业协会SIA。据悉DRAM内存芯片是一月份的明星产品，营收增长率达到72％，与此同时笔记本和个人电脑
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半导体 财报
秘密谈判两年后，英特尔最新一座12英寸芯片工厂终于正式落户大连。昨天，英特尔全球CEO欧德宁、国家发改委副主任张晓强在北京人民大会堂宣布，将斥资25亿美元的英特尔大连工厂项目正式开始。 为何是大连 大连经济技术开发区组织宣传处处长刘军日前对《第一财经日报》透露，大连开发区为了英特尔这一项目，付出了很多心血，谈了不下“几十轮”。 而亲自主管这一项目引入的大连市市长夏德仁则透露，一年多来的谈判非常“艰苦”，也有着“戏剧化”的过程。不过，他不愿意透露“戏剧化”的背景。 《第一财经日报》了解到，
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半导体 大连 单片机 嵌入式系统 英特尔
2007年3月，英特尔公司宣布在中国大连建厂。
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英特尔 封测
近日，由中国电子报主办的“2006年度(第二届)最受中国市场欢迎的半导体品牌”评选结果已经揭晓，Altera、Fairchild(飞兆半导体)、Freescale(飞思卡尔)、Fujitsu(富士通)、NXP(恩智浦)、Renesas(瑞萨)、Rohm(罗姆)、ST(意法半导体)、TI(德州仪器)、Xilinx(赛灵思)获得殊荣。上述十家企业无不是全球半导体各个市场领域中的领先者，其品牌在全球和中国市场得到广泛认同。在全球化进程不断加快的今天，品牌对于企业发展的作用如何体现？上述企业如何不断创新以促进品
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半导体 单片机 嵌入式系统 中国市场
引言半导体制造技术能否持续突破，材料一直扮演着重要的角色，从最早的锗(Ge)，到随后普遍应用的硅(Si)，近年来又衍生出更多新材料，本文将针对此方面的新材料、新趋势的发展，以及现有的技术难题等进行讨论。
铜导线材料在半导体技术发展初期的20世纪50年代，主要是以锗元素为材料，不过锗元素的耐高温性不足、抗辐射能力差，以致在20世纪60年代后逐渐被硅元素取代。硅在抗热、抗辐射等方面的表现都优于锗，适合用来制做大功率的集成电路。近年来，随着制造技术不断缩小到0.25mm以下，集成电路在线路上的电阻电容延迟(R
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抢在中国前面，印度公布了半导体奖励方案。这引起业界的警惕，中国半导体新政应尽快出台。
近日，印度政府公布了该国半导体产业投资奖励方案框架：在印度经济特区内投资的半导体企业，10年内可享受20%的成本优惠补助，并可享受其他一些奖励政策。而对特区外的半导体企业，未来10年，印度将给予它们25%的成本优惠。
具体细节将在两周内公布，印度此番大手笔的优惠幅度令人动容。显然，印度希望借助政策补助，在半导体上拷贝软件的成功。在膨胀的野心下，首先它要把半导体投资的热情吸引过去。此前，全球半导体投资的重心
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半导体 印度 政策
半导体制造持续走俏
如果你现在手握巨额资金准备投资，我建议你投资半导体基础产业。这并非妄言，过去的2006年风险投资在半导体基础制造领域引发了井喷式的集体收购狂潮，看似平静的半导体基础制造产业瞬间成为风投的最大宠儿，半导体发展的稳定和保值是最根本原因。 连续5年的持续增长让半导体制造产业树立起坚挺的声誉，而电子产品对生活的入侵则成为半导体制造的原动力。不管是哪个领域的电子产品占据市场的主导，半导
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飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间，能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流，毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/DC转换器，以
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半导体 飞兆 隔离器件
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间，能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流，毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/D
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半导体 飞兆 隔离器件
据在班加罗尔的风险投资家和美国芯片领导厂商称，印度具有针对IT后端和半导体芯片设计服务这样的软件外包目的地的鲜明优势，与此同时，本地电子设备硬件市场的增长有望得到迅速地发展。 “印度的数字经济正开始发展，并且它将推动本地(硬件)市场，”据SandalwoodPartners的执行总监BobKondamoori表示，SandalwoodPartners是印度及亚太地区极具活力的一家风险投资(VC)公司
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半导体 电子 芯片
一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用
（一）LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发
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处于审核阶段的中国半导体产业新政策，虽然早成业内人士的关注焦点，但部分半导体企业却并未现出更多期待。相反，它们甚至有些抱怨。 “说实话，我们担心新政策出来还是一根鸡肋。拿‘18号文’(《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》)的优惠措施，我们只能看，根本就没办法享受，大部分优惠都让半导体生产企业享受了。”上海一家半导体设计企业市场部经理有些不满地对《第一财经日报》说。 &nb
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WSTS和SIA日前相继发表世界半导体市场的秋季预测报告，WSTS预测2006年世界半导体市场增长8.6%，SIA预测增长9.4%。2006年春WSTS预测增长10.1%，SIA预测增长9.8%，分别作了向下修正。主要原因是PC市场呈现调整局面，Intel和AMD的MPU芯片价格下落，致使MOS微芯片市场经过4年连续增长之后，跌入负增长。但是，综观2006年世界电子产品市场，情况还是不错的，移动电话增长20%，出货量超过10亿部，数码相机出货量增长11%，MP3激增35%，数字电视更飚升56%，PC也有1
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