NEC电子近日完成了两种线宽40纳米的DRAM混载系统LSI工艺技术的开发，使用该工艺可以生产最大可集成256MbitDRAM的系统LSI。40nm工艺技术比新一代45nm半导体配线工艺更加微细，被称为45nm的下一代产品。此次，NEC电子推出的工艺中，一种为低工作功耗的“UX8GD”工艺，它可使逻辑部分的处理速度最快达到800MHz，同时保持低功耗;另一种为低漏电流的“UX8LD”工艺，它的功耗约为内嵌同等容量SRAM的1/3左右。
UX8GD和 UX8LD 是在线宽从55nm缩小至40nm的
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美国iSuppli调研结果显示，由于供应过剩与价格暴跌，DRAM及NAND闪存行情将在短期内进一步恶化。
NAND闪存方面，预计512M产品全球平均单价(ASP)将从2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND闪存的平均单价在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分别为6%与8.4%。但是在第四季度，随着价格下跌，行情出现恶化，短期内很难恢复。iSuppli首席分析师Nam Hyung Kim表示，此次价格下跌的主要原因韩国内存厂商将生产能力从DRAM转移至NAND闪存，从而导
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据iSuppli公司，2007年上半年金士顿巩固了自己在全球品牌第三方DRAM模块市场中的领先地位，但同期增长最快的则是规模较小的创见与记忆科技。
2007年上半年，台湾创见DRAM模块销售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供应商中增长率最高。其销售收入从2006年上半年的1.41亿美元增长到2.5亿美元。创见在品牌第三方DRAM模块市场中的排名从2006年上半年时的第10升至第六。
iSuppli公司的存储IC和存储系统总监兼首席分析师Nam Hyung Kim表示：“由于创见
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2008年半导体设备市场前景黯淡，资本开支预计下滑超过3%。Hosseini预测，前端设备订单不稳定情况将维持到2008年下半年，而后端设备预计也充满变数。
他在报告中指出，“DRAM行业基本状况继续恶化，由于芯片单元增长率出现拐点，2008年上半年晶圆厂产能利用率面临下降风险。我们预计前端设备订单继续下滑，下滑情况可能会持续到2008年第3季度。”他同时表示，“从2007年第3季度到2008年第3季度，预计后端订单势头平缓至下滑，之后有望重现恢复。”
他最大的担忧在DRAM行业，预计“整
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据国外媒体报道，美国半导体产业协会(SIA)表示，近期内半导体市场不大可能出现衰退。它认为今年全球芯片的销售额将增长3%，在随后三年中的增长速度会更高一些。
SIA表示，它预计全球的芯片销售额将由去年的2477亿美元增长至2571亿美元，增长速度低于今年年初时预期的10%。
6月份，SIA将今年芯片销售额的增长速度预期下调到了1.8%，主要原因是几种关键市场的低迷━━其中包括微处理器、DRAM和闪存。此后，微处理器的销售出现了强劲增长，迫使SIA提高了对芯片销售额增长速度的预期。
S
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据市场调研机构iSuppli公布的调查报告显示，韩国三星电子在今年第三季度全球DRAM储存芯片市场的销售收入仍稳坐冠军宝座，但其部分市场份额却被位居第二的Hynix夺走。
据国外媒体报道，iSuppli在上周四发布的报告中表示，在第三季度中Hynix有非常受瞩目的表现，它的成长速度相当迅猛，并在逐步缩小与三星的差距。据悉，第三季度三星的市场份额为27.7%，位居全球第一，其销售收入比第二季度下降了2.9%为19.33亿美元;排在第二位的是Hynix，其第三季度收入比第二季度增长了15.4%达到1
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研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，闪存产能将在2008年首次超过DRAM内存。
根据SMA报告，闪存产能从2000年以来已经增长了四倍，达到相当于290万片200毫米硅晶圆的规模。相比之下，DRAM产能自那时起仅增长225%。
报告表示，从2005年到2008年底的三年间，闪存制造商增加的产能是之前四年增加量的六倍。
预计2008年和2009年，将有另外超过十座晶圆厂上线。SMA预计，当设备装机完成时，将带来每月相当于150万片2
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对全球前四大代工厂公布的2007年第三季度财报进行分析可以发现，在该季度，代工业整体需求旺盛，一扫今年第一季度和第二季度较往年同期下滑的颓势。不过，虽然需求旺盛，但是由于代工产品种类及技术水平的差别，各代工厂在净利润方面却是冷暖自知，中芯国际(SMIC)成为DRAM价格严重下滑的最大受害者。虽然继今年第二季度之后第三季度继续亏损，但是通过与Spansion的合作以及在其他利好因素的推动下，不久中芯国际有望走出低迷。
第三季度代工需求旺盛
综合各家代工厂第三季度的财报，可以发现(见表“全球前
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IDC在最新的《全球半导体市场预测》中预测，2007年全球芯片销售收入增长速度放慢将为2008年的大增长奠定基础。
据国外媒体报道，2007年全球芯片市场的增长速度将只有4.8%，2006年的这一数字只有8.8%。IDC预测，2008年的增长速度将达到8.1%。
报告指出，如果产能增长速度在明年放缓和需求仍然保持缓慢，芯片市场的增长速度会更快。市场潮流是合并和收购，这可能会改变业界的竞争格局。
IDC负责《全球半导体市场预测》的项目经理戈帕尔说，今年上半年芯片市场的供过于求降低了对各
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美国和欧洲市场强劲的季节销售，以及紧随其后的中国新年销售旺季，将有助于决定DRAM是否供过于求、逻辑芯片供应正在减少以及2008年全球芯片产业走向。
应用材料总裁兼首席执行官MikeSplinter预测，如果情况不是很好，2008年半导体产业发展可能不会太强劲。2007年，半导体设备资本开支增长率为0到5%之间，而半导体收入增长预计为5%到10%之间。
Splinter表示，“尚未为止，2007年半导体产业未现繁荣景象。这不是因为销售没有增加，而是由于遭遇沉重的价格压力。粗略估计，逻辑芯片
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最近公布的数据显示，2007年IC单位出货量将增长10%，略高于市场调研公司ICInsights最初预计的8%。自2002年以来，IC单位出货量一直保持两位数的年增长率。DRAM(49%)、NAND闪存(38%)、接口(60%)、数据转换(58%)、和汽车相关的模拟IC(32%)出货量强劲增长，正在推动总体产业需求，并使IC出货量保持在高位。
1980年以来，IC产业单位出货量有两次实现连续三年保持两位数增长率，分别是1982-1984和1986-1988年。在这两次之后，IC的单位出货量增长速
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市场研究公司ICInsights将2007年全球集成电路(IC)出货量成长率从原来的8%提升到了10%。
这家研究公司把2007年全球集成电路出货量的增长归功于一些集成电路产品出货量的强劲增长,如DRAM内存出货量增长49%,NAND闪存出货量增长38%,界面集成电路出货量增长60%,数据转换集成电路出货量增长58%,汽车模拟集成电路出货量增长32%。
ICInsights称,如果2007年全球集成电路出货量成长率达到10%或者更高,这将是连续第六年的两位增长,这是前所未有的大牛市。
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如果你认为过去的归过去，未来的归未来，那么你就错了，因为没有过去就不会有现在，没有现在当然就不会有未来。然而过去、现在、未来之间是如何相互依存的呢？从某方面来说这是神秘难以解答的一件事，但简单来讲就是靠记忆的作用，过去虽然不存在了，却可以回想，未来虽然还没有决定，现在却可以一步步去计划、设想与实践
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上周(10/15-10/22)现货市场eTT颗粒呈现近几周少见的急涨局面，DDR2512MbeTT价格收在1.17美元，涨幅约11.9%;相较之下，品牌颗粒仍呈现平稳走势，上涨至1.37美元，幅度为1.4%。根据集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的强劲涨势，是因为eTT主要的供货商进行70nm转进，供给量减少，部份买主逢低买进拉抬买气，进而带动价格上扬，因此这波价格上扬主要是短期市场操作结果，而非市场终端需求带动;此外，这波投机性买盘主要集中在DDR2eTT的颗粒，并没有
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现货市场DDR2价格方面持续走弱;而DDR则因供应不足价格缓步盘坚。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低价之后，暂时止跌并微幅反弹，在1.02至1.05美元震荡，以1.03美元做收，跌幅为5.5%;DDR2512Mb667MHz则滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市场方面，由于现货市场供给数量仍旧不足，上周也曾出现缺货状况，价格持续小幅上扬，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上涨5.6%。
十月份合约市场相当清淡，OEM拿货意愿低落，部分厂商甚至认为，倘若预期十一
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动态随机存取内存(dram)介绍
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