- 晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。 一旦你了解了晶体管的基本知识，这其实是相当容易的。我们将集中讨论两个最常见的晶体管：BJT和MOSFET。 晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有
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放大器 晶体管 MOS BJT
- 随著电子产品的不断发展，功率放大器的性能对产品质量有着重要的影响。传统的线性功放（A、B、AB类）虽然有良好的线性度和THD等性能，但都有共同的缺陷，如效率都低于50%、功耗大，制约其在可携式产品上的应用[1]，而高效率、节能、低失真、体积小的D类功放应用日益广泛D类放大利用的原理为PWM(Pulse Width Modulation)，作用方式类似于主机板上交换式电源概念，即利用数位频率波型的疏密来输出类比振幅的高低大小，频率密则振幅高，反之频率疏时则振幅降低。也因此运作模式，D类放大意被称为数位式功率
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Richtek Audio Amplifier 放大器 Speaker 扬声器 I2S TV Sound Bar
- 本文旨在帮助硬件设计人员设计宽带可编程增益仪表放大器(PGIA)，从选择现成的分立式组件到性能评估，以及如何节省时间和减少设计迭代次数。展示的PGIA架构经过优化，可以全速驱动基于高精度逐次逼近寄存器(SAR)架构的ADC。本文还展示了PGIA在各种增益选项下驱动宽带宽信号链的精密性能。简介精密数据采集子系统通常由高性能的分立式线性信号链模块组成，用于测量和保护、调节和获取，或者合成和驱动。硬件设计人员在开发这些数据采集信号链时，通常需要高输入阻抗，以直接连接多种传感器。在这种情况下，通常需要利用可编程增
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ADI 放大器
- 本文简短介绍了斩波、自稳零和零漂移伪像来源，并概述了放大器设计人员可以用来降低其影响的一些技术。本文还阐释了如何最大程度地减少精密信号链中这些残余交流伪像的影响，包括匹配输入源阻抗、滤波和频率规划。简介零漂移运算放大器使用斩波、自稳零或这两种技术的结合来消除不需要的低频误差源，例如失调和1/f噪声。传统上，此类放大器仅用于低带宽应用中，因为这些技术在较高频率时会产生伪像。只要系统设计时考虑了高频误差，例如纹波、毛刺和交调失真(IMD)等，较宽带宽的解决方案也可以受益于零漂移运算放大器的出色直流性能。零漂移
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ADI 放大器
- 在电磁流量计和生物电测量等应用中，小差分信号与大得多的差分偏移串联。这些偏移通常会限制电路在前端设计中可以获得的增益，进而影响整体动态范围。当使用较低电源电压时，例如在电池供电的信号链中，增益限制更具挑战性。解决这个大差分偏移问题的一种方案是使用交流耦合测量信号链。典型的交流耦合信号链包括一个低增益仪表放大器，其后是一个高通滤波器和额外的增益级(请参阅 "放大具有大直流偏移的交流信号以支持低功耗设计")。问题:如何支持存在大差分偏移电压的应用而不需要增加增益级？答案:这可以通过在一级中
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ADI 放大器
- REF-DAB11KIZSICSYS是一个CLLC谐振DC/DC转换器板，能够提供高达11kW的800 V输出电压，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性价比和功率密度更高。凭借其高效的双向功率变换能力和软开关特性，是电动汽车和能量存储系统（ESS）等DCDC项目的理想选择。 终端应用产品30 kW 至 150 kW 的充电机，50 kW 至 350 kW 的充电机，储能系统，电动汽车快速充电，功率转换系统 （PCS）►场景应用
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- 氮化镓 (GaN) 是需要高频率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的应用的理想选择。与硅相比，GaN 具有达 3.4 eV 的 3 倍带隙，达 3.3 MV/cm 的 20 倍临界电场击穿，达 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中获得应用。其中许多应用需要很长的使用寿
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- 摘要：针对目前电动汽车V2G充电桩单接口的充放电功率恒定、无法扩展的问题，设计一种双回路双接口的
V2G充放电系统，采用在功率模块直流侧进行功率投切控制的方式，使得充放电系统突破单接口额定功率的限
制，有效进行充放电功率扩展。样机的实验数据表明，充放电系统能够根据后台指令，控制相应的接触器投切
动作，完成回路间功率模块调用，准确响应后台功率需求，输出扩展后的充放电功率。关键词：V2G；充电桩；功率；扩展；设计0 引言我国新能源电动汽车保有量日益增多，作为“新基
建”之一的充电桩是连接电动汽车和电网
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202208 V2G 充电桩 功率 扩展 设计
- 在线性模式供电的电子系统中，功率 MOSFET器件被广泛用作压控电阻器，电磁干扰 (EMI) 和系统总体成本是功率MOSFET的优势所在。 在线性模式工作时，MOSFET必须在恶劣工作条件下工作，承受很高的漏极电流(ID)和漏源电压 (VDS)，然后还需处理很高的功率。这些器件必须满足一些技术要求才能提高耐用性，还必须符合热管理限制，才能避免热失控。 意法半导体 (ST) 推出了一款采用先进的 STPOWER STripFET F7制造技术和H2PAK 封装的 100V功率 MOSFE
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- 终端测试仪是通信测试领域的重要环节，本文对此类仪器的校准方法进行了分析和研究，阐述了一种利用数字稳幅电路校准终端测试仪内部信号源的功率，利用内置信号源校准内部接收机功率的自动校准的方法，同时给出终端综测仪硬件平台总体方案及自动校准软件流程图，提供了一套针对该类型仪表功率的自动校准的可行方案做为参考。
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- 在电子电路中，电源、放大、振荡和调制电路被称为模拟电子电路，因为它们加工和处理的是连续变化的模拟信号。1. 反馈反馈是指把输出的变化通过某种方式送到输入端，作为输入的一部分。如果送回部分和原来的输入部分是相减的，就是负反馈。2. 耦合一个放大器通常有好几级，级与级之间的联系就称为耦合。放大器的级间耦合方式有三种：①RC 耦合(见图a): 优点是简单、成本低。但性能不是最佳。② 变压器耦合(见图b):优点是阻抗匹配好、输出功率和效率高，但变压器制作比较麻烦。③ 直接耦合(见图c): 优点是频带宽，可作直流放
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放大器 振荡器 模拟电路
- 预计到2027年，全球电动汽车充电站市场规模迅速扩展，而亚太地区电动汽车销量的迅速成长推动了全球电动汽车充电站市场的成长。意法半导体（ST）产品可支持此一市场／应用。本文介绍主要系统架构以及主要适用的ST产品。预计到2027年，全球电动汽车充电站市场规模将从2020年估计的2,115,000个成长至30,758,000个，复合年均成长率高达46.6%。该报告的基准年为2019年，预测期为2020年至2027年。[1] 从地理位置来看，亚太地区（尤其是中国）电动汽车销量的迅速成长推动了全球电动汽车充电站市场
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DC充电站 ST 功率
- 1 音效成为选购手机的重要因素如今，消费者购买手机时非常看重扬声器模式下的音频质量，希望得到更好的沉浸式体验。尤其疫情期间消费者对于手机扬声器的使用越来越频繁，使扬声器的音质和音效成为了选购手机的重要考虑因素。 据SAR Insight ＆ Consulting所做的一项最新用户调查显示，用户越来越看重智能设备的音频质量，而且人们对智能设备扬声器模式的使用也越来越频繁。例如，在2020年4月—2021年3月的为期12个月的调查样品中，40％的受访者增加了对扬声器
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- 目前，在转换器领域风头正盛的是 GSPS ADC—也称 RF ADC。凭借市场上采样速率如此高的转换器，奈奎斯特频率与五年前相比提高了 10 倍。关于使用 RF ADC 的优势，以及如何使用它们进行设计并以如此高的速率捕获数据，人们进行了大量的讨论。 高性能模数转换器(ADC)之前的输入配置或者前端设计，对于实现所需的系统性能非常关键。通常重点在于捕获宽带频率，例如大于 1 GHz 的宽带频率。然而，在某些应用中，也需要直流或近直流信号，并且受到最终用户的欢迎，因为它们也可以传输重要信息。因此，通过
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- 本文主要分析了超结结构的功率MOSFET的输出电容以及非线性特性的表现形态，探讨了内部P柱形成耗尽层及横向电场过程中，耗尽层形态和输出电容变化的关系，最后讨论了新一代超结技术工艺采用更小晶胞单元尺寸，更低输出电容转折点电压，降低开关损耗，同时产生非常大的du/dt和di/dt，对系统EMI产生影响。
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