本周三，三星电子对外确认，部分半导体芯片产线临时停车，原因是1分钟的突然断电。事发地点位于三星华城工业园，波及到的多是DRAM和NAND芯片生产线。据悉，此次意外是因为当地输电线缆问题造成，预计产能完全恢复需要2~3天时间。三星在声明中称，他们正全面检查产线，全面评估受损程度。匿名消息人士透露，此次停车的损失在数百万美元左右，算不上重大。有分析人士认为，此次停车将减少三星的芯片库存，作为最大的存储芯片制造上，会否带来连锁效应尚不得而知。尤其是最新多方消息预判，明年内存、闪存、MLCC、液晶面板等诸多元器件
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在内存、闪存价格处于一个很敏感的拐点阶段，三星在韩国华城的内存及闪存工厂突然遭遇停电事故。对于这件事，大家很容易联系到之前三星、海力士、东芝、美光等存储芯片工厂遭遇的火灾、停电、跳闸等事故，不少人会心一笑。调侃归调侃，这次事件最大的问题在于三星损失多严重，对内存闪存的影响有多大。官方表示，他们正全面检查产线，全面评估受损程度。匿名消息人士透露，此次停车的损失在数百万美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢复正常。从目前的信息来看，三星认为事件影响不大，数百万美元的损失意味着只有极少数的晶圆受到影响，
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北京时间2020年1月1日消息，三星电子公司今天表示，在昨天下午发生大约一分钟的断电事故后，其华城芯片工厂的部分芯片生产已经暂停。三星在一份声明中表示，正在检查生产线以备重新启动，并正在评估造成的损失。需要指出的，这不是三星存储工厂第一次出现停电事。根据资料显示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平泽市）的NAND闪存工厂也曾出现过停电事故，虽然停电仅持续了半小时，但依然损坏了5000~6000片晶圆，是三星当月产量的11%，预计相当于3月份的全球供应的3.5%。事后，根据预计此次事故造成了
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今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。MRAM是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美SRAM、DRAM等传统内存，当同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的有点。三星量产的eMRAM内存是基于磁阻的存储，扩展性非常好，在非易失性、
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有不少网友发现，苹果中国官网悄悄更新了内存套件，其中新上架的DDR4 ECC内存套件为：256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。从苹果官网给出的售价来看，256GB DDR4 ECC套件（2933MHz LR-DIMM，为两个128GB DIMM）售价为44040元，而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM（两个16GB DIMM）售价为5872元。如果查看苹果内存套件和Mac Pro技术规格会发现，苹果根据芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
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国内最大的NOR闪存公司兆易创新上周末发表公告，宣布向10位投资者定向募集33.2亿元资金，主要用于DRAM内存研发及产业化，最快2021年开始量产。在募资公告中，兆易创新公布了这个项目的预计实施时间及整体进度安排，具体如下：·2020年，兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。·2020年，兆易创新将定义首款芯片的生产职称，并将经过验证后的设计开展流片试样，反复修改直至通过系统验证。·2021年，对首款芯片试样进行封装测试，并送交系统芯片商进行功能认证，并最终通过客
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近日，根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，2020年第一季除了因1X纳米良率问题导致供货不及，使得服务器内存价格领涨以外，显卡内存价格也快速反转向上。由于显卡内存相较于其他产品类别，属于价格波动明显的浅碟市场，因此在买方积极拉货下，预期价格将较前一季上涨逾5%，涨幅为所有产品中最高。显卡与游戏机规格提升，高容量GDDR6需求增温观察2020年整体需求状况，市场正快速从GDDR5转向GDDR6，显卡市场中，NVIDIA的主流产品RTX显卡几乎已经全部转用GDDR6，而AMD正在积
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我们知道，内存的性能不仅仅取决于频率高低，也要看延迟，甚至很多时候延迟的重要性要超过频率。芝奇此前就发布过DDR4-4000 CL15高频低延迟内存(单条8GB)，现在又带来了DDR4-3200 CL14，而且单条容量达32GB！新内存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三个系列中，单条容量统一都是32GB，搭载业界最高32Gb DDR4内存颗粒，提供双条共64GB、四条共128GB、八条共256GB三种套装，主流双通道
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日前澜起科技董事长杨崇和在参与活动时表态，公司正积极参与DDR5内存标准的制定。内存价格每次大起大落，中国公司都很受伤，因为国内几乎没有公司可以参与内存标准，全球内存主要控制在三星、SK海力士、美光三大公司中，技术标准也掌握在Intel、AMD、三星等公司中。澜起科技是国内为数不多的设计DDR内存接口芯片的公司之一，该公司成立于2004年，是全球内存接口芯片的主要供应商之一，凭借领先的技术水平，在DDR4阶段逐步确立了行业领先优势，公司2018年营业收入175,766.46万元，净利润73,687.84万
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据韩国媒体报道称，三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。据预计，由于供应有限，以及对5G设备和网络需求的不断上升，明年全球内存芯片市场将出现反弹。
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近日，以“数智·未来”为主题的2019中国数据与存储峰会在北京成功举办。汇聚全球数据存储领域知名的专家学者、企业领军人物与代表性企业用户，本次峰会旨在帮助企业和社会提升数据智能水平，推动全球存储与数据产业发展。英特尔公司中国区非易失性存储事业部总经理刘钢先生出席大会并发表演讲，不仅从产品层面阐述了英特尔如何通过傲腾™技术和QLC NAND™技术填补当前存储层级中的巨大鸿沟，还通过诸多用户案例进一步展示英特尔如何通过内存与存储的产品、技术创新引领存储新架构，构建数据金字塔。英特尔公司中国区非易失性存储事业部
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Amit Gattani （美光嵌入式产品事业部 高级市场总监） 摘 要：存储器厂商美光介绍了边缘AI为机器视觉和智能零售、智能工厂应用带来的变化，以及美光的存储器解决方案。 关键词：边缘AI；智能零售；智能工厂；内存 1 智能零售、智能工厂的AI机会 边缘AI正在智能零售、智能工厂/制造、智能城市/交通等工业应用领域迅速崛起。它提供了更智能的业务洞察，以实现更高的生产力、更低的运营成本，并更好地理解人们的行为。例如，零售商正在部署基于边缘AI的系统，帮助更好地了解顾客行为、员工行为，管理店内
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中国半导体行业又迎来一名重磅外援——紫光集团今天宣布前日本内存公司尔必达董事长坂本幸雄加盟，将担任高级副总裁及日本公司CEO，负责开拓日本市场。坂本幸雄在DRAM领域具有30余年的从业经验，在技术以及战略发展上拥有优秀的领导力。
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存储器产品占到了我国每年进口半导体芯片中的大头，其中DRAM内存芯片占比最高，有20%以上。最新报道称，合肥长鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的产能，目标是月产4万片晶圆。在9月份开幕的201 9世界制造业大会上，合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。据悉，长鑫的DRAM技术
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内存介绍
【内存简介】
在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和辅助存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。
内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等， [
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