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中芯国际 文章 进入中芯国际技术社区

英飞凌与中芯国际合作扩展至90纳米生产领域

  •      英飞凌和中芯国际近日共同宣布,双方已经签署合作协议,进一步扩展在标准记忆芯片(DRAM)产品生产领域中的现有合作,开始90纳米标准的产品合作生产。         根据新协议的内容,英飞凌将把自己最尖端的90纳米DRAM沟槽技术和300毫米产品生产技术转让于中芯国际,并可以在未来期间灵活进行其70纳米技术的进一步转让。因此,中芯国际将为英飞凌独家生产属于此技术范围之内
  • 关键字: 纳米  英飞凌  中芯国际  

中芯国际推出低压降线性稳压器智能模块

  • 中芯国际集成电路制造有限公司于近日宣布推出低压降(LDO)线性稳压器智能模块系列,适用于0.13微米至0.35微米逻辑/混合信号和0.18微米以及0.35微米电可檫除只读存储器CMOS工艺技术。 此系列的建立更丰富了中芯国际的电源管理系列智能模块。中芯国际的低压降(LDO)线性稳压器智能模块系列已经过硅验证并可以提供给客户使用,有些已经正式进入量产。此智能模块可嵌入于多种应用设备中,如数码相机、MP3、智能卡、SIM卡及IP电话等。 较之产业标准,中芯国际的智能模块具有诸多优势,包括面积小、低功
  • 关键字: 稳压器  智能模块  中芯国际  模块  

中芯国际VGA传感器量产拓CMOS市场

  •      作为其进入迅速增长的CMOS图像传感器市场和扩展其晶圆代工业务之长期发展战略的一部分,中芯国际日前宣布其0.18微米彩色VGA传感器芯片已正式进入量产阶段。     “这项技术的成功研发使得中芯国际能够进一步地服务于中国以及全球正在成长的电子消费类市场,特别针对0.18微米彩色VGA传感器芯片需求量快速增长的数码摄像手机、家庭防盗系统、汽车配件等领域的应用。”中芯国际资深副总裁李若加评价说,“ 感谢中芯国际CMOS图像传感器技
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中芯国际与日企建合资企业

  •    一边否定,一边行动。中芯国际正试图超越纯代工模式,全力布局半导体产业上下游。近日,其与日本凸版印刷株式会社合资成立了凸版中芯彩晶电子(上海)有限公司。这是中国首家产销图像传感器使用的芯载彩色滤光片和微镜产品的公司。   中芯国际资深副总裁、凸版中芯副董事长李若加对《第一财经日报》表示,这意味着中芯国际今后不仅提供芯片代工,还将进行产品独立产销。不过,中芯国际投资人关系处处长赖佑明表示,公司不会与客户争利,也不会走向IDM(垂直产业模式)。中芯国际总裁张汝京此前曾表示,像
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中芯国际发布0.18微米EEPROM

  •      中芯国际宣布其研发出的0.18微米电可擦除只读存储器(EEPROM)工艺技术已经可以提供给客户使用。为了更好地服务于全球客户,中芯国际设计服务处同时宣布他们采用此项工艺技术成功研发出嵌入式电可擦除只读存储器智能模块设计平台。         “众所周知,0.18微米电可擦除只读存储器是一项非常重要的技术。尤其在中国,不管是从其巨大的潜力市场来说,还是从其目前以及潜在的应用类产品
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中芯国际明年发布65纳米样品

  •    中芯国际公司总裁兼首席执行官张汝京日前表示,中芯国际公司将在2006年开发出采用65纳米制造工艺生产的芯片产品的样品。    这个消息是中芯国际公司日前公布的今年第三季度财报内容的一部分。张汝京表示,中芯国际公司最近与一个不愿意披露姓名的公司的客户签署了一项协议,将联合开发65纳米制造工艺,并发布消息说 将在明年年底之前开发出采用65纳米制造工艺生产的产品样品。    这一消息的宣布让行业的观察者感到惊奇,因为从理论上讲,中芯国际公司和其他中国合同芯
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中芯国际第三季销售额3.1亿美元

  •   时中芯国际近日发布了截至9月30日的2005年第三季度财报。报告显示,中芯国际第三季度销售额为3.1亿美元,比上一季度增长10.9%;净亏损2610万美元,上一季度净亏损4040万美元。    主要业绩:      -中芯国际第三季度销售额为3.1亿美元,比上一季度的2.795亿美元增长10.9%;    -第三季度月产能增至143188片8英寸等值晶圆;    -第三季度产能利用率92%,高于上一季度的87%;    -第三季度晶圆销量为3
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中芯国际宣称将提高内存产量业界纷纷质疑

  •   8月28日消息,尽管中芯国际已经表示会把重点日益转向逻辑集成电路的生产,但仍然有传言称,它将增加SDRAM内存芯片的产量。但是,SDRAM内存芯片设计厂商对中芯国际的能否提高产量持怀疑态度,主要原因是技术方面的。    在被要求对这些传言进行评论时,中芯国际只是表示,对DRAM内存芯片和逻辑集成电路芯片产量的任何调整都将是基于客户需求的。  但是,业界人士对中芯国际将提高SDRAM内存芯片产量的任何可能的措施提出了疑问。在SDRAM内存芯片生产方面,中芯国际采用了0.16微米生产工艺,而我国
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中芯国际获特许SAIFUN NROM技术用于扩大其半导体事业

  • 中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称“中芯国际”,国际领先的主要半导体承包制造商之一,以及 SAIFUN 半导体,为非易失内存技术 (NVM) 市场提供智能产权 (IP) 解决方案的供货商,于今日共同发布公告中芯国际已经在其以闪存为基础的产品上获特许使用 SAIFUN NROM(R) 技术。    “中芯国际已经成功地使用了其 DRAM 填补产能策略以度过最近半导体产业的下滑期,并且为其先进的逻辑工厂寻找到了填补产能的策略。中芯国际相信 SAIFUN 基于高级逻辑制程的 N
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中芯国际Q2亏损3.2亿 下半年料将恢复增长

  •   中国最大的芯片制造商中芯国际(SMIC)日前公布了截至今年6月30日的第二季度业绩。受存储芯片价格下跌影响,二季度成为连续第三个发生净亏损的季度。但该公司表示,业绩下滑态势业已触底,今后业务将恢复增长。    据路透社报道,中芯国际第二季度净亏损4044.5万美元(约合人民币3.2亿元),较首季2999.5万美元的亏损额有所扩大,合每股ADS(美国存托股)亏损0.11美分。而去年同期业绩为净盈利3416.5万美元,每ADS盈利10美分。    中芯国际本季度营业额为2.795亿美元
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中芯国际称王阳元接替张汝京任公司董事长

  •   中芯国际周四表示,董事会已经选举王阳元教授为董事会主席,接替张汝京。任命立即生效。   王阳元从2001年开始担任公司非执行董事,在半导体领域已经有40多年的经验。王阳元是北京大学微电子研究所的首席科学家,中国科学院院士,美国IEEE会员、英国电子工程师研究所会员。    王阳元表示:“我盼望担任公司董事会主席一职,利用我对业界的了解,我将使中芯国际有最好的表现,带动公司的增长。”   中芯国际首席执行官张汝京表示:“我们一直在努力提升董事会的质量,任命王阳元教授担任董事会主席进一步表明我们
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中芯国际驳斥传言称竞争对手挑起了价格战

  •   美国加利福尼亚州圣何塞当地时间7月28日,中芯国际(SMIC)宣布其0.09微米工艺生产线将在今年第四季度带来销售收入,这比其最初的计划晚了数个月时间。    中芯国际将亏损的原因归结为对手发起的价格战,而不是它本身。    该公司上周四还宣布,它已经选举王阳元取代张汝京担任公司新任主席。    中芯国际声称,2005年第二季度它的销售收入由第一季度的2.488亿美元增加到了2.795亿美元,增长幅度为12.3%。第二季度的亏损也由第一季度的3000万美元增加到了4040
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中芯国际二季亏3.2亿元 欲进军快闪记忆体

  •   中芯国际于近日公布了其截至今年6月底止的第二季度业绩,二季度发生净亏损4044.5万美元(近人民币3.2亿元),较首季亏损2999.5万美元有所扩大,每股亏损0.22美分。而去年同期业绩为净利润3416.5万美元,   根据香港联交所资料显示,中芯国际期內营业额为2.795亿美元,期內毛利率持续下跌,由首季度的6.1%降至2.3%。由于中芯国际第二季度扩大在上海八英寸厂及北京十二英寸厂的DRAM(动态随机记忆体)投产,使得折旧费用增加,而且受到DRAM的价格大跌及整个行业疲弱影响,其第二季度芯片平均出
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预计中芯国际二季达到预期三季将扭亏为盈

  •   据一位分析师预计,中芯国际第二季度业绩会实现预期并且第三季度可能会扭亏为盈。该公司在周四即7月28日将公布其第二季度业绩报告。投资银行Piper Jaffray (Minneapolis)分析师C. William Lu还提高了中芯国际2005年业绩预期,认为下半年前景比预计的要好。     该投资银行预计,中芯国际第二季度每股亏损0.09美元,销售额为2.836亿美元。Lu在一份报告中预计,中芯国际业绩“与预期一致,平均销售价格与上个季度比
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中芯国际和新思科技共同开发出了基于0.13微米工艺的设计参考流程2.0

  •     世界领先的半导体设计软件供应商新思科技有限公司今天宣布其已经和中国大陆最大的芯片代工厂中芯国际 (NYSE: SMI; SEHK: 0981.HK) 共同开发出了基于 0.13微米工艺的设计参考流程2.0。中芯国际和新思科技紧密合作,完成了从 RTL 到 GDSII 的设计流程。该流程基于新思科技的 Galaxy(TM) 设计平台和中芯国际
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中芯国际介绍

  '''中芯国际'''成立于2000年,公司总部位于中国上海,拥有三座芯片代工厂,包括一座后段铜制程代工厂。此外,中芯已收购其第四座位于天津的8英寸芯片代工厂,称之为“七厂”。同时中芯在北京的12英寸厂已在2004年七月开始投产。中芯国际一厂于2003年5月荣获《半导体国际》杂志颁发的"2003年度最佳半导体厂"奖项。   补充说明:截止2009年5月,中芯国际已在上海建有一座300mm芯片 [ 查看详细 ]

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