- 行动装置和物联网(IoT)带动半导体产业先进制程需求成焦点，大陆晶圆代工厂利用此机会试图再崛起，中芯国际绝对是焦点，尤其营运转亏为盈后气势大增，从宣示3DIC布局、28奈米技术，到建立后端封测，布局一一到位，看似有模有样，台积电未必被伤到毫发，但联电28奈米布局落后，的确值得担心。
半导体业者认为，中芯国际和江苏长电成立12吋晶圆后端Bumping产能的合资公司，目标是打造大陆当地的IC生产制造供应链，有官方注资作推手的色彩，规划的蓝图策略有挑战龙头厂台积电的味道。
大陆积极扶植半导体产业
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中芯国际 晶圆代工
- 2月20日，中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)与江苏长电科技股份有限公司(长电科技)共同投资1.5亿美元(中芯国际占51%，长电科技占49%)，建立具有12英寸5万片/月凸块加工(Bumping)及配套测试能力的合资公司。同时，长电科技将就近建立配套的后段封装生产线，为针对中国市场的国内外芯片设计客户提供优质、高效与便利的一条龙生产服务。
凸块是先进的半导体制造前段工艺良率测试所必需的，也是未来3D晶圆级封装技术的基础。随着移动互联网市场规模的不断扩大，以及40纳米及28纳米等先进IC
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中芯国际 集成电路
- 2月20日，中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，与江苏长电科技股份有限公司(长电科技)，中国内地最大的封装服务供应商联合宣布，双方共同投资1.5亿美元(中芯国际占51%，长电科技占49%)，建立具有12英寸5万片/月凸块加工(Bumping)及配套测试能力的合资公司。同时，长电科技将就近建立配套的后段封装生产线，为针对中国市场的国内外芯片设计客户提供优质、高效与便利的一条龙生产服务。
凸块是先进的半导体制造前段工艺良率测试所必需的，也
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中芯国际 3D晶圆
- 国际主要半导体代工制造商中芯国际集成电路制造有限公司公布了2013年经营业绩。盈利创历史新高，达1.7亿元。
中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示："对中芯来说，2013又是破纪录的一年。根据我们2013全年未经审核财务报告，2013年全年销售额创新高，达到20亿7千万元，与2012年相比增长21.6%。如果去掉来自武汉新芯的销售贡献，中芯的年销售额强劲增长，达到了27%。在2013年，中芯国际应占盈利同样达到了历史新高，为1亿7仟3佰20万元，而2012年中芯国际应占盈利为
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中芯国际 28纳米
- 中芯国际公布了截至12月31日的2013财年第四季度财报。报告显示，中芯国际第四季度营收为4.918亿美元，比去年同期增长1.2%;归属于中芯国际的利润为1470万美元，比去年同期的4660万美元下滑68.5%，比上一季度的4250万美元下滑65.4%。
业绩要点：
-中芯国际第四季度营收(包含来自于武汉新芯的晶圆出货量)为4.918亿美元，比去年同期增长1.2%，比上一季度下滑7.9%;
-不按照美国通用会计准则，中芯国际第四季度营收(不包含来自于武汉新芯的晶圆出货量)
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中芯国际 晶圆
- 中芯国际(00981.HK)昨日宣布，公司正式进入28纳米工艺时代。公司表示，启动28纳米新工艺后，公司将可为全球集成电路(IC)设计商提供包含28纳米多晶硅(PolySiON)和28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)在内的多项目晶圆(MPW)服务。
中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云博士表示，“这是中芯国际发展历程中的重要里程碑，标志着中芯国际生产及研发能力的极大提升。进入28纳米工艺时代，夯实了我们在移动计算相关IC制造领域中的有利地位”。
据介绍，28纳米工艺
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中芯国际 28纳
- 11月30日，随着最后一桶混凝土的成功浇筑，中国最大集成电路厂房——中芯国际二期项目正式封顶。
新的北京二期项目宽133米，长201米，单层28000平方米，整体建筑面积达91000平方米，是目前我国建筑面积最大的集成电路厂房，工厂建成后将引入45/40纳米以及32/28纳米2条产能各为3.5万片的生产线,实现技术水平为32-28纳米的芯片在国内量产“零”的突破，进一步减弱国内高技术芯片对进口的依赖。
据介绍，中芯国际集成电路制造有限
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中芯国际 IC
- 年底将近，芯片厂或将迎来新一轮的产能大战。中芯国际(00981.HK)日前公告称，发2亿美元零息可换股债券，所得款项净额将用作扩大8英寸及12英寸制造设施产能相关之资本开支及一般公司用途。
昨日，《第一财经日报》记者从德银方面获悉，中芯国际2亿美元可转债项目吸引了120多个投资者，已完成9倍超额认购。
iSuppli半导体首席分析师顾文军向本报记者表示，自从新管理层上台后，中芯国际最近业绩不错，产能利用率也高，在订单增加的情况下，扩充生产对公司来说是一个必然的动作。
目前
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中芯国际 28纳米
- 作为国内最大、最先进的半导体制造商，中芯国际(SMIC)已经成立了新的“视觉、传感器与3D集成电路”(CVS3D)研发中心，集中力量重点攻关硅传感器、TSV硅通孔和其它中端晶圆处理(MEWP)技术。
为了进一步提升晶体管集成度，业内正在普遍上马基于TSV技术的2.5D、3D半导体工艺，涵盖CPU处理器、GPU图形核心、内存、闪存等等。
调研机构认为，TSV晶圆今年的出货量会有大约135万块(折合300毫米晶圆)，2017年将猛增至958万块，年复合增长率63%。
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中芯国际 28nm
- 中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)宣布成立视觉、传感器和3DIC中心(简称CVS3D)。中芯国际CVS3D整合、强化了中芯国际在硅传感器、通过硅通孔(TSV)技术和其他中端晶圆制程技术(MEWP)的上的研发和生产制造能力。而MEWP技术带动了在CMOS图像传感器、MEMS传感器、三维堆叠设备，和基于TSV2.5D和3D的高性能系统级封装(SiP)方面的显著进步。
半导体行业正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技术，使系统芯片进一步小型化，同时降低功耗、提高设备和系统性能。根据201
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中芯国际 3DIC
- 中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际，纽约证交所股票代码：SMI，香港联交所代码：981)，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业宣布，其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式闪存(eFlash)工艺已正式进入量产。该技术是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的延续，为客户提供了一个高性能、低功耗和低成本的差异化解决方案。
中芯国际的0.13微米嵌入式闪存技术平台可为客户提供以下优势：
强耐度：具备高达300K周期的优秀的循环擦写能力，达到业界标准的三倍;极具成本效益：制程创新，使用
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中芯国际 嵌入式
- 中芯国际宣布，采用中芯国际eEEPROM(嵌入式可擦可编程只读存储器)平台的银行卡品获得银联认证。
eEEPROM平台基于18纳米工艺技术，是中芯国际为成熟工艺节点所提供的个性化方案之一，主要面向中国快速发展的双界面金融IC卡、全球非接触式智能卡，以及任何对于频繁读写的数据安全可靠性有需求的应用市场。
当前，中国国内6家在银联认证的银行卡晶片设计公司中，有4家选择了中芯国际作为其合作伙伴。其中3家已获得银联验证，另一家有望于年底前完成验证。
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中芯国际 18纳米
- 中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际"，纽约证交所代码：SMI，香港联交所代码：981)，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，今日与华大九天，全球知名的电子设计自动化 (Electronic Design Automation) 及 IP 解决方案供应商，共同宣布，中芯国际 IP 研发中心采用北京华大九天软件有限公司高性能并行电路仿真工具 Aeolus 及其他定制化工具。
该Aeolus仿真工具拥有千万量级晶体管规模电路的仿真容量,可以支撑纳米级电路的后仿
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中芯国际 EDA
- 为客户提供更低成本，更佳性能和更灵活的设计
中芯国际集成电路制造有限公司，中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，今日宣布推出多元化嵌入式非挥发性记忆体(eNVM)平台。中芯国际综合eNVM平台包括0.18和0.13微米(μm)嵌入式电可擦可编程只读存储器(eEEPROM)技术、嵌入式闪存(eFlash)技术、多次可编程(MTP)、单次可编程(OTP)，以及在明年第二季度预备就绪的55纳米(nm) eFlash技术。该高差异化的平台可满足客户对低成本、低功耗、高性能和高可靠性各
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中芯国际 eNVM
- 益华电脑(Cadence Design Systems)与中国晶圆代工业者中芯国际(SMIC)共同宣布，中芯国际已采用 Cadence 数位工具设计流程，能够适用于最新的SMIC Reference Flow 5.1，一款为低功耗设计的完善 RTL-GDSII 数位设计流程。
Cadence设计流程结合先进功能，可帮助彼此的客户改善40nm晶片设计的功耗、效能与面积。这个设计流程中运用的Cadence工具有RTL Compiler、Encounter Digital Implementation
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中芯国际 数位设计
中芯国际介绍
'''中芯国际'''成立于2000年，公司总部位于中国上海，拥有三座芯片代工厂，包括一座后段铜制程代工厂。此外，中芯已收购其第四座位于天津的8英寸芯片代工厂，称之为“七厂”。同时中芯在北京的12英寸厂已在2004年七月开始投产。中芯国际一厂于2003年5月荣获《半导体国际》杂志颁发的"2003年度最佳半导体厂"奖项。
补充说明：截止2009年5月，中芯国际已在上海建有一座300mm芯片 [
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