- 中芯国际发布了截至12月31日的2006年第四季度财报。报告显示，中芯国际第四季度销售额为3.838亿美元，比上一季度增长4.0%，同比增长15.2%；第四季度净利润为120万美元，上一季度净亏损3510万美元，去年同期净亏损1500万美元。 主要业绩： -中芯国际第四季度销售额为3.838亿美元，比上一季度增长4.0%，同比增长15.2%； -第四季度运营利润为1480万美元，上一季度运营亏损为1340万美元，去年同期运营亏损为880万美元； -第四季度净利润为120万美元，上一季度
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- 对于中国半导体制造业的老大中芯国际(SMIC，下称“中芯”)来说，尽管今年1月可能被收购的传言逐渐熄灭，但是新一轮传言正在卷土重来。受传言带动，昨日中芯(0981.HK)上涨10.68%，报收于1.14港元。
资本的热情
昨日有国外媒体称，中芯日前已聘请投资银行寻找战略投资者。中芯已任命摩根士丹利(Morgan Stanley)和德意志银行(Deutsche Bank)负责该工作，最终获选者可能需要支付高达5亿美元，购入中芯20%的股权。
中芯新闻发言人昨日对《第一财经日报》表示，公
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- 秘密谈判两年后，英特尔最新一座12英寸芯片工厂终于正式落户大连。昨天，英特尔全球CEO欧德宁、国家发改委副主任张晓强在北京人民大会堂宣布，将斥资25亿美元的英特尔大连工厂项目正式开始。 为何是大连 大连经济技术开发区组织宣传处处长刘军日前对《第一财经日报》透露，大连开发区为了英特尔这一项目，付出了很多心血，谈了不下“几十轮”。 而亲自主管这一项目引入的大连市市长夏德仁则透露，一年多来的谈判非常“艰苦”，也有着“戏剧化”的过程。不过，他不愿意透露“戏剧化”的背景。 《第一财经日报》了解到，
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- 据港台媒体报道，台北“高等行政法院”对中芯国际张汝京投资大陆事做出判决，撤销原台湾“经济部”原处分与“行政院诉愿会”诉讼裁决，判决张汝京胜诉。
此前，台湾“经济部”认为，张汝京行为违反相关规定，罚款五百万元新台币，并限期六个月内停止投资。
张汝京不服，向“行政院诉愿会”提起行政诉讼遭到驳回，张汝京遂向台北“高等行政法院”提起行政诉讼。
判决书表示，“经济部”的处分无非以开曼中芯公司投资中芯上海公司时，张汝京为唯一董事、总裁及CEO，并兼任中芯上海公司董事兼总经理，但他所拥有开曼中芯公
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- 中芯国际集成电路制造有限公司与安捷伦科技共同宣布合作建立“中芯国际-安捷伦科技RFIC联合实验室”，旨在为中国的无线通信射频集成电路及其模块和移动通讯终端产品的研发、设计、流片、测试提供强有力的技术保障。该实验室的建立有助于提高RFIC设计公司的设计能力，缩短设计流片周期，提高芯片的一次性成功率，确保RFIC公司的产品可以尽快成功上市。
建立于中芯国际的该实验室采用安捷伦先进的EDA解决方案、建模系统、以及射频微波测量仪表，具有先进的射频设计仿真能力，高达40GHz的器件的参数提取和建模能力，以
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- 近日，由中国电子报主办的“2006年度(第二届)最受中国市场欢迎的半导体品牌”评选结果已经揭晓，Altera、Fairchild(飞兆半导体)、Freescale(飞思卡尔)、Fujitsu(富士通)、NXP(恩智浦)、Renesas(瑞萨)、Rohm(罗姆)、ST(意法半导体)、TI(德州仪器)、Xilinx(赛灵思)获得殊荣。上述十家企业无不是全球半导体各个市场领域中的领先者，其品牌在全球和中国市场得到广泛认同。在全球化进程不断加快的今天，品牌对于企业发展的作用如何体现？上述企业如何不断创新以促进品
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- 全球半导体制造业向中国转移的趋势仍在继续。 中芯国际相关人士向本报证实，日本最大半导体记忆体厂商尔必达将向其转让一批8英寸晶圆设备，该批设备将被用于中芯国际位于成都的工厂——成都成芯半导体制造有限公司(以下简称“成芯”)。 中芯国际是国内最大半导体代工企业，目前拥有4座8英寸工厂和1座12英寸工厂。注册资本5亿元人民币的成芯，于2005年由成都工业投资经营有限责任公司和成都高新区投资有限公司共同投资组建，委托中芯国际进行经营管理，在人才、技术、市场、知识产权和经验方面与中芯国际共享，每年向中芯国
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- 引言半导体制造技术能否持续突破，材料一直扮演着重要的角色，从最早的锗(Ge)，到随后普遍应用的硅(Si)，近年来又衍生出更多新材料，本文将针对此方面的新材料、新趋势的发展，以及现有的技术难题等进行讨论。
铜导线材料在半导体技术发展初期的20世纪50年代，主要是以锗元素为材料，不过锗元素的耐高温性不足、抗辐射能力差，以致在20世纪60年代后逐渐被硅元素取代。硅在抗热、抗辐射等方面的表现都优于锗，适合用来制做大功率的集成电路。近年来，随着制造技术不断缩小到0.25mm以下，集成电路在线路上的电阻电容延迟(R
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- 抢在中国前面，印度公布了半导体奖励方案。这引起业界的警惕，中国半导体新政应尽快出台。
近日，印度政府公布了该国半导体产业投资奖励方案框架：在印度经济特区内投资的半导体企业，10年内可享受20%的成本优惠补助，并可享受其他一些奖励政策。而对特区外的半导体企业，未来10年，印度将给予它们25%的成本优惠。
具体细节将在两周内公布，印度此番大手笔的优惠幅度令人动容。显然，印度希望借助政策补助，在半导体上拷贝软件的成功。在膨胀的野心下，首先它要把半导体投资的热情吸引过去。此前，全球半导体投资的重心
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- 半导体制造持续走俏
如果你现在手握巨额资金准备投资，我建议你投资半导体基础产业。这并非妄言，过去的2006年风险投资在半导体基础制造领域引发了井喷式的集体收购狂潮，看似平静的半导体基础制造产业瞬间成为风投的最大宠儿，半导体发展的稳定和保值是最根本原因。 连续5年的持续增长让半导体制造产业树立起坚挺的声誉，而电子产品对生活的入侵则成为半导体制造的原动力。不管是哪个领域的电子产品占据市场的主导，半导
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- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间，能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流，毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/DC转换器，以
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半导体 飞兆 隔离器件
- 飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出高频光隔离MOSFET栅极驱动器系列的全新产品，能够在工业应用中驱动高达30A/1200V的MOSFET。FOD3180(2A)和FOD3181(0.5A)具有200ns(最大)的上升/下降时间，能够迅速开启/关断MOSFET以减小开关损耗。FOD3180具有高达2A的峰值输出电流，毋须额外的功率放大线路便可直接驱动宽范围的MOSFET。在太阳能逆变器、高性能不间断电源(UPS)、DC/D
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- 据在班加罗尔的风险投资家和美国芯片领导厂商称，印度具有针对IT后端和半导体芯片设计服务这样的软件外包目的地的鲜明优势，与此同时，本地电子设备硬件市场的增长有望得到迅速地发展。 “印度的数字经济正开始发展，并且它将推动本地(硬件)市场，”据SandalwoodPartners的执行总监BobKondamoori表示，SandalwoodPartners是印度及亚太地区极具活力的一家风险投资(VC)公司
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- 一、 半导体发光二极管工作原理、特性及应用
（一）LED发光原理
发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化镓）、GaP（磷化镓）、GaAsP（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示。
假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发
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- 处于审核阶段的中国半导体产业新政策，虽然早成业内人士的关注焦点，但部分半导体企业却并未现出更多期待。相反，它们甚至有些抱怨。 “说实话，我们担心新政策出来还是一根鸡肋。拿‘18号文’(《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》)的优惠措施，我们只能看，根本就没办法享受，大部分优惠都让半导体生产企业享受了。”上海一家半导体设计企业市场部经理有些不满地对《第一财经日报》说。 &nb
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中芯国际.半导体介绍
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