- 硅谷卫星雷达载荷初创企业 Array Labs 完成 2100 万美元战略融资，本轮领投方为三菱电机，Catapult Ventures、Kompas VC、Y Combinator 等原有投资方持续跟投。本次融资同步宣布，Array Labs 与三菱电机达成战略合作，共同面向亚太地区防务与安全客户，提供基于卫星平台的空目标跟踪服务。Array Labs 联合首席运营官表示：“多年来防务、情报领域客户一直亟需该类能力，本轮融资将加速我们落地相关产品。本轮融资超额认购，且获得三菱电机这样重量级企业领投，充分
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三菱电机
Array Labs
卫星雷达载荷
- 总部位于东京的三菱电机株式会社将于 6 月下旬分批送出两款全新第五代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）裸片样品。新款 SiC MOSFET 面向纯电动汽车（EV）、插电混动汽车（PHEV）及各类电气化车型（xEV）的驱动电机逆变器、集成电驱动桥 eAxle（电机 + 逆变器 + 减速器一体化总成）开发。产品采用三菱电机自研沟槽结构，在额定电压一致、阈值电压经过调校的前提下，导通电阻相较现有第四代沟槽 SiC MOSFET 产品降幅约 25%，达到业内领先的低阻水平。该系列产品已于
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第五代
沟槽型碳化硅
MOSFET
- 据日经新闻、产经新闻等报道，日本罗姆半导体（Rohm）于3月27日宣布，已与东芝旗下的Electronic Devices & Storage半导体业务以及三菱电机的功率元件业务达成基本协议，三方将围绕事业与经营整合展开正式协商。 罗姆社长东克己在当天受访时表示，电装（Denso）此前提出的并购提案加速了罗姆与东芝及三菱电机的整合进程。但他强调，此次整合并非单纯为了对抗电装，而是罗姆既有成长战略的延续。东克己分析称，加入丰田（Toyota）集团体系虽能稳定车用业务并获得资金支持，但可能导
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功率半导体
罗姆
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- 据知情人士透露，三菱电机公司正计划出售其汽车零部件业务，并已启动招标程序。潜在买家包括其他汽车零部件供应商和私募股权基金，第一轮报价将于1月26日前提交。此次出售预计可带来2000亿至3000亿日元（约合13亿至19亿美元）的收益。三菱电机的汽车零部件业务主要生产逆变器、电动汽车电机以及车载娱乐系统等产品。这些领域正面临激烈的成本竞争，加之全球电动汽车市场增长放缓，进一步加剧了盈利压力。数据显示，该业务部门在2025财年上半年（2025年4月~9月）的销售额为4230亿日元，营业利润率约为5%，低于三菱电
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- 莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商，近日宣布其低功耗莱迪思CertusPro™-NX FPGA将支持三菱电机的计算机数控控制器（CNC）解决方案，为客户带来高能效、高可靠性的工厂自动化体验。双方在东京举行的莱迪思亚太区技术峰会上宣布了该项合作，三菱电机作为主讲嘉宾参加了此次峰会。莱迪思亚太技术峰会于今天举行，莱迪思与三菱电机、德赛、Furukawa AS、Glory LTD、LIPS和恩智浦等行业领导者以及亚太地区的150多家客户和合作伙伴共同展示了公司最新的低功耗FPGA技术。三菱电机业界领
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- 本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。1. 阈值电压特性SiC MOSFET的阈值电压（VGS(th)）通常低于Si IGBT。降低阈值电压可降低SiC MOSFET的通态电阻。驱动SiC MOSFET需要对栅极施加负偏压，并仔细设计控制电路布线，这是为了防止噪声干扰引起的故障。此外，阈值电压随着温度升高而降低（图1），因此建议在高温运行期间检查是否有异常。图1：SiC MOSFET（FMF600
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- 商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT的通态压降；在接近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降几乎与Si IGBT相同。对于经常以低于额定电流工作的应用，使用SiC
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MOSFET
- SiC SBD具有高耐压、快恢复速度、低损耗和低漏电流等优点，可降低电力电子系统的损耗并显著提高效率。适合高频电源、新能源发电及新能源汽车等多种应用，本文介绍SiC SBD的静态特性和动态特性。SBD（肖特基势垒二极管）是一种利用金属和半导体接触，在接触处形成势垒，具有整流功能的器件。Si SBD耐压一般在200V以下，而耐压在600V以上的SiC SBD产品已广泛产品化。SiC SBD的某些产品具有3300V的耐压。半导体器件的击穿电压与半导体漂移层的厚度成正比，因此为了提高耐压，必须增加器件的厚度。而
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SBD
- 2月28日消息，据日经新闻报道，日本三菱电机将针对工业机器人等工厂自动化业务调整中国的供应链。将减少从日本进口产品和零部件，携手中国当地企业，采购低价位产品。公司首席财务官增田邦昭表示，“目前在中国市场（从日本等地）进口产品进行销售，但以后将仅通过中国国内采购来满足需求”；公司计划在2025财年（截至2026年3月）讨论相关合作，包括向工厂自动化相关的中国企业出资等。三菱电机还计划通过与当地企业合作扩充产品阵容，便于满足客户的多样化需求。增田表示“人工智能（AI）相关的投资非常坚挺，希望能够不断切实获得订
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自动化
供应链
- 栅极氧化层可靠性是SiC器件应用的一个关注点。本节介绍SiC栅极绝缘层加工工艺，重点介绍其与Si的不同之处。SiC可以通过与Si类似的热氧化过程，在晶圆表面形成优质的SiO2绝缘膜。这在制造SiC器件方面具有非常大的优势。在平面栅SiC MOSFET中，这种热氧化形成的SiO2通常被用作栅极绝缘膜，并已实现产品化。然而，SiC的热氧化与Si的热氧化存在一些差异，在将热氧化工艺应用于SiC器件时必须考虑到这一点。首先，与Si相比，SiC的热氧化速率低。因此，该过程需要很长时间，而且还需要高温。在SiC的热氧
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SiC
栅极绝缘层
- 离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入，可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。SiC的杂质原子扩散系数非常小，因此无法利用热扩散工艺制造施主和受主等掺杂原子的器件结构（形成pn结）。因此，SiC器件的制造采用了基于离子注入工艺的掺杂技术：在SiC中进行离子注入时，对于n型区域通常使用氮（N）或磷（P），这是容易低电阻化的施主元素，而对于p型区域则通常使用铝（Al）作为受主元素。另外，用于Al离子注入的原料通常是固体，要稳定地进行高浓度的Al离子注入，需
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SiC
- 摘要本文介绍了为工业应用设计的第8代1800A/1200V IGBT功率模块，该功率模块采用了先进的第8代IGBT和二极管。与传统功率模块相比，该模块采用了分段式栅极沟槽（SDA）结构，并通过可以控制载流子的等离子体层（CPL）结构减少芯片厚度，从而显著的降低了功率损耗。特别是，在开通dv/dt与传统模块相同的情况下，SDA结构可将Eon降低约60%，通过大幅降低功率损耗，模块可以提高功率密度。通过采用这些技术并扩大芯片面积，第8代1200V IGBT功率模块在相同的三菱电机LV100封装中实现了1800
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- 与Si材料相比，SiC半导体材料在物理特性上优势明显，比如击穿电场强度高、耐高温、热传导性好等，使其适合于制造高耐压、低损耗功率器件。本篇章带你详细了解SiC材料的物理特性。SiC作为半导体功率器件材料，具有许多优异的特性。4H-SiC与Si、GaN的物理特性对比见表1。与Si相比，4H-SiC拥有10倍的击穿电场强度，可实现高耐压。与另一种宽禁带半导体GaN相比，物理特性相似，但在p型器件导通控制和热氧化工艺形成栅极氧化膜方面存在较大差异，4H-SiC在多用途功率MOS晶体管的制备方面具有优势。此外，由
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- SiC晶体中存在各种缺陷，对SiC器件性能有直接的影响。研究清楚各类缺陷的构成和生长机制非常重要。本文带你了解SiC的晶体缺陷及其如何影响SiC器件特性。在SiC晶体中存在各种缺陷，其中一些会影响器件的特性。SiC缺陷的主要类型包括微管、晶界、多型夹杂物、碳夹杂物等大型缺陷、以及堆垛层错（SF）、以及刃位错（TED）、螺旋位错（TSD）、基面位错（BPD）和这些复合体的混合位错。就密度而言，最近质量相对较好的SiC晶体中，微管是1〜10个/cm²，位错的密度约为10³～10⁴长达个/cm²。至今，与Si相
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SiC
- 三菱电机从事SiC器件开发和应用研究已有近30年的历史，从基础研究、应用研究到批量商业化，从2英寸、4英寸晶圆到6英寸晶圆，三菱电机一直致力于开发和应用高性能、高可靠性且高性价比的SiC器件，本篇章带你了解三菱电机SiC器件发展史。三菱电机从上世纪90年代已经开始启动SiC相关的研发工作。最初阶段，SiC晶体的品质并不理想，适合SiC的器件结构和制造工艺仍处于探索阶段，但研发人员坚信SiC MOSFET是能够最大限度发挥SiC材料优异物理性能的器件，因此一直致力于相关研发。三菱电机于2003年开发出耐压2
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- 11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导体。双方将联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。目前芯片供应量尚未确认，预计最早将于2023年内开始供应。公开消息显示，安世半导体总部位于荷兰，目前是中国闻泰科技的子公司。11月初，安世半导体被迫转手出售其于2021年收购的英国NWF晶圆厂。尽管同属功率半导体公司，三菱电机与安世半导体的侧重点不同，前者以“多个离散元件组合
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- Nexperia近日宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率半导体快速增长的需求。三菱电机的功率半导体产品有助于客户在汽车、家用电器、工业设备和牵引电机等众多领域实现大幅节能。该公司提供的高性能SiC模块产品性能可靠，在业界享有盛誉。日本备受赞誉的高速新干线列车采用了这些模块，并以出色的效率、安全性和可靠性闻名遐迩。N
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- 三菱电机将与Nexperia（安世）合力开发SiC芯片，通过SiC功率模块来积累相关技术经验。东京--(美国商业资讯)--三菱电机株式会社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅(SiC)功率半导体。三菱电机将利用其宽带隙半导体技术开发并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia将使用这些芯片开发SiC分离器件。电动汽车市场正在全球范围内扩大，并有助于推动Si
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- Denso和三菱电机宣布将分别投资5亿美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司。据外媒，日本电装株式会社(Denso)和三菱电机宣布，将分别投资5亿美元，入股美国半导体材料、网络及激光供应商Coherent的碳化硅（SiC）业务子公司Silicon Carbide，并分别取得12.5%股权（两家日企合计取得25%股权）。据悉，Silicon Carbide主要从事SiC晶圆等产品的制造，是于2023年4月从Coherent公司分拆出来设立的SiC业务子公司。Denso与三菱电机将向该公司采购
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- 近日，美国激光技术与加工系统供应商Coherent和三菱电机宣布，双方已签署一份谅解备忘录 （MOU）并达成项目合作，将在200毫米技术平台上扩大SiC电力电子产品的规模化生产。三菱电机宣布在截至2026年3月的五年内投资约2600亿日元。其中，大约1000亿日元将用于建设基于200mm技术平台的SiC功率器件新工厂，并加强相关生产设备。根据谅解备忘录，Coherent将为三菱电机未来在新工厂生产的SiC功率器件开发200毫米n型4H SiC衬底。资料显示，Coherent于1966年成立于美国加利福尼亚
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SiC衬底
- 1800亿只，是宁波康强电子股份有限公司冲压引线框架的年产能。从1992年开始，康强电子深耕半导体封装材料领域，以技术创新为驱动，穿越行业周期，不断发展壮大。其三大业务领域引线框架、键合丝与电极丝均为国内翘楚，其中引线框架产销量在国内同行中连续数年排名第一，全球市场占有率位居前七，荣获“中国半导体材料十强企业”“中国电子材料50强企业”等荣誉称号。2022年10月，国家级第四批专精特新“小巨人”企业的认定，不仅坚定了康强电子在这一细分领域的发展信心，更为三菱电机谋划未来打开了新的机遇之窗。客户痛点：精益求
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专精特新
- 三菱电机集团近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半导体模块将于2023年2月发布，该模块具有30A的高额定电流，主要应用于家用电器逆变器系统。该紧凑型模块将使SLIMDIP™系列能够满足逆变器单元更广泛的功率和尺寸需求，有助于简化和缩小空调、洗衣机和冰箱等多功能和复杂产品的体积。30A的高额定电流将助力简化和缩小家电应用中的逆变器系统三菱电机集团近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半导体模块将于2023年2月发布，该模块具有30A的高额定电流，主要应用于家用电器逆变器系统。该紧凑型模块将使SLIMDI
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功率半导体模块
- 据三菱电机官网消息，该公司决定退出液晶面板生产，其全资子公司Melco Display Technology Inc。（MDTI） 将于2022年6月结束TFT-LCD模组生产。图源：钜亨网 官网显示，MDTI于2002年4月成立，公司预定以法人身份进行清算，在该公司工作的约 430 名员工，也将异动至动力半导体等部门。不过该公司位于日本熊本县菊池市的工厂，目前还尚未决定如何处置。 据悉，三菱电机的LCD业务目前主要集中于工业和汽车用中小
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液晶面板
LCD
- 近日，据外媒报道，日本三菱电机公司宣布已开发出一种紧凑的LiDAR（激光雷达）解决方案，据称，该解决方案集成了微机电系统（MEMS），实现了超宽的水平扫描角度，可以准确探测自动驾驶系统前方物体的形状和距离。
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激光雷达
自动驾驶
- 在产业电子化升级过程中，作为电子产品的基础元器件之一的功率半导体器件越来越得到重视与应用。而中国作为需求大国，已经占有约39％的市场份额，在中国制造业转型升级的关键时期，对功率半导体器件的需求将会越来越大。自上世纪80年代起，功率半导体器件MOSFET、IGBT和功率集成电路逐步成为了主流应用类型。其中IGBT经历了器件纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺等7次技术演进，目前可承受电压能力达到6500V，并且实现了高功率密度化。在此背景下，6月26-28日，PCIM亚洲展2019将在在上海世博展览馆举行，三
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IGBT
- 日本电机大厂东芝(Toshiba)想靠物联网(IoT)技术重建事业，推出自身的物联网平台SPINEX，但物联网事业需电信厂商配合才能成事，因此东芝在2019年4月23日发布新闻，该厂决定与日本电信大厂KDDI进行物联网事业合作，朝海外发展，首先在5月展开电梯的云端监视服务事业研究。
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KDDI
FANUC
物联网云端平台
- 随着功率半导体的不断发展和技术进步，功率器件下游产业的稳步扩张，未来在政策资金支持以及国内新能源汽车的蓬勃发展下，国内功率半导体产业将迎来黄金发展期。 6月26日，PCIM 亚洲 2018展会在上海世博展览馆隆重举行。作为全球500强企业，同时也是现代功率半导体器件的开拓者，大中国区三菱电机半导体携多款功率器件产品及相关解决方案亮相，同时发布了更高集成度、更小体积、更能降低生产成本，并拥有全面保护功能的表面贴装型IPM，以及助力新能源发电应用新封装大功率IGBT模块两款最新产品。 (图一：2018
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- 自上世纪八十年代后期推出IGBT模块后，三菱电机至今已成功将第七代IGBT模块推向市场。在持续性和创造性的研发下，三菱电机在变频家电、工业新能源、电动汽车、轨道牵引四大领域不断深耕，致力于提供低损耗、高性能和高可靠性的产品。 一年一度的PCIM亚洲展今年将于6月26-28日在上海世博展览馆举办，届时，三菱电机将携19款功率模块将集体亮相，而其中有7款新型功率模块备受期待。(三菱电机展位号：D09) 在变频家电领域，三菱电机成功发布面向变频冰箱和风机驱动的SLIMDIP-S以及面向变频空调和洗衣机的
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- 三菱电机(MitsubishiElectric-mesh.com)在刚结束的第19届中国国际光电博览会(2017 CIOE)上，表示该公司正在积极备战将于2020年来临的中国5G市场，针对5G无线网络中的各种应用和需求，正在开发相应的新产品，估计整个行业至2030年的投资总额高达5千亿元。
三菱电机半导体亚洲区销售总监増田健之先生称，中国计划于2020年实现推进5G网络，估计整个行业的投资总额将达2,740亿元，至2030年更高达5,200亿元的规模。至于各大通信运营商的投资额，将在2020年及
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5G
- 三菱电机半导体首席技术执行官Gourab Majumdar博士日前表示，为了提高三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市场渗透率，公司已经开始投资兴建6英寸晶圆生产线来扩产，再配合创新技术向市场推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新产品。 在刚举行的PCIM亚洲2017展上，Majumdar博士称，三菱电机从2013年开始推出第一代碳化硅功率模块，至2015年进入第二代产品，并且率先投产4英寸晶圆生产线。由于碳化硅需求量急速增长，三菱电机
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