- 按照现代的制造工艺来说，根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，由此就构成了一个晶体管。 晶体管最大的优点就是能够放大信号，它是放大电路的核心元件，能够控制能量的转换，将输入
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几个问题 注意 需要 使用 三极管
- Q1：主开关，主要作用是提供12VSW电流，特点饱和时Vec必须很小，热阻不能太大。 Q2：副开关，主要作用是旁路Q1，在MCU置高电平时导通，ce拉低使Q1工作。 R1：保证MCU无输出的时候电路不工作。 R2：限
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电路 开关 三极管 解析 图文
- 三极管的发射结作为一个二极管，类似图5.4-94所示电路组成一个三极管钳位器，如图5.4-94A所示，图中RE使T管在静态时处于饱和状态，输出VOL=VCES，条件是R5≤BRC（B为V管直流放大倍数），输入端时间常数RBC远大于输入
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三极管 钳位器 工作原理
- 利用三极管在大信号作用下饱和与截止特性，可构成限幅器，三极管未饱和也未截止时则是一个放大器，输出端呈现放大的输入信号。1、共发射限幅器图5.4-92A所示电路为共发射极限幅器，其输出与输入反相。图B为该限幅器传
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三极管 限幅器原理
- 能不能用干簧管开关直接控制电动机的转与停呢？玩具电动机是常用的动力装置，它能够把电能转换为机械能，可用于小电风扇转动、小离心水泵抽水等执行功能。通常玩具直流电动机工作电压低，虽然在1.5～3V就可以启动，
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电路 原理 自控 三极管 开关
- 如图所示电路，用双三极管ECC82(相当于E802C、E82CC、与北美12AU7、国产6N10型)作为放大器。此类管子l有指标优良和使用寿命长的特点。前置放大器要产生足够的信号幅度去驱动耳机。管脚1、2、3、的三极管部分放大信号
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耳机 放大器 电路 OTL 组成 ECC822 电子管 三极管
- 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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功率放大器 三极管
- Cree发布了两款突破性的GaN HEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技术上的的领导地位。
新款15-watt与30-watt器件的重要潜在特性包括：
1. 相比于类似功率级的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍
2. 相比于商业可用硅LDMOS，提高了工作频率
3. 在免授权的5.8G
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三极管 WiMAX Cree GaN
- HVVi推出首个高频高电压垂直场效应三极管 HVVi半导体推出首个高频高电压垂直场效应三极管（HVVFET?），HVVi的新构架为雷达和航空电子应用提供频带、电压以及功率级，远远超过了目前的双极性和LDMOS技术的性能。这一具有革命性新的正在申请专利的技术使得HVVi达到了可与非硅芯片技术的性能级别，而其成本水平却极具吸引力。
作为初始发布的一部分，HVVi还推出基于这一新颖HVVFET构架的最早三款产品。用于L-波段高功率脉冲RF应用，如IFF，TCAS，TACAN以及Mode-S，三个新产品
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HVVi 高频 高电压 场效应 三极管
- 三极管的电流放大原理 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正
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晶体 三极管 显示技术
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P-N结及其电流电压特性
晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流：
当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0
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二极管 三极管 MOS器件 原理 元件 制造
- 半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观如图，大的很大，小的很小。三极管
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三极管 元件 制造
- SMD三极管（SOT-23封装）的表示方法：
90111T
90122T
9013J3
9014J6
9015M6
9016Y6
9018J8
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SMD 封装 三极管 元件 制造
- BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件，由于PN结之间的相互影响， 使BJT表现出不同于单个 PN结的特性而具有电流放大，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。本节将围绕BJT为什么具有电流放大作用这个核心问题，讨论BJT的结构、内部载流子的运动过程以及它的特性曲线和参数。 一、BJT的结构简介 BJT又常称为晶体管，它的种类很多。按照频率分，有高频管、低频管； 按照功率分，有小、中、大功率管；按照半导
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三极管 电子元件 元件 制造
- 一、晶体管基础 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于
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三极管 参数 显示技术
三极管介绍
什么是三极管
三极管在中文含义里面只是对三个脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如下几种器件，
可以看到，虽然问都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意的词汇
电子三极管 Triode
双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate F [
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