引言对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。对导通损耗的影响无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型层强度越强，由门极电压而产生的沟道阻抗越小，流过相同电流的压降就越低。不过器件导通损耗除了受这个门极沟道影响外，还和芯片的厚度有很大的关系，一般越薄的导通损
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英飞凌 门极驱动
【2024年1月29日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）将自身久经验证的磁性位置传感器技术专长与成熟的线性隧道磁阻（TMR）技术合二为一，推出XENSIV™ TLI5590-A6W磁性位置传感器。该传感器采用晶圆级封装，适用于线性和角度增量位置检测。这款半导体器件符合JEDEC JESD47K标准，适用于工业和消费应用并且可替代光学编码器和解码器，尤其适合用于摄像机定位镜头的变焦和对焦调整。 XENSIV_TLI5590
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英飞凌 XENSIV 杂散场稳健型 TMR传感器 高精度长度测量
英飞凌科技股份公司与格芯（GlobalFoundries）近日宣布，就英飞凌的AURIX™ TC3x 40纳米汽车微控制器以及电源管理和连接解决方案达成一项新的多年期供应协议。这一新增产能的锁定将有助于满足英飞凌2024年至2030年的业务增长需求。英飞凌和格芯自2013年以来一直在合作开发差异化的汽车类、工业类和安全类半导体技术与产品。此次合作主要围绕高可靠性的嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术解决方案展开，该解决方案非常适合用于实现任务关键型汽车应用，并且能够满足新一代汽车系统严格的功能安全和信息安
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英飞凌 格芯 汽车微控制器
【2024年1月26日，德国慕尼黑和美国北卡罗来纳州达勒姆讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与全球碳化硅技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展，双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。&
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英飞凌 Wolfspeed 150mm 碳化硅晶圆
双脉冲测试(DPT)是一种被广泛接受的评估功率器件动态特性的方法。以IGBT在两电平桥式电路中应用为例，如下图，通过调节直流母线电压和第一个脉冲持续时间，可以在第一个脉冲结束和第二个脉冲开始时捕捉到被测器件在任何所需的电压和电流条件下的开关瞬态行为。DPT结果量化了功率器件的开关性能，并为功率变换器的设计（如开关频率和死区时间的确定、热管理和效率评估）提供了参考依据，那么对于三电平电路，双脉冲测试需要怎么做呢？图1 两电平典型DPT电路图2 DPT典型测试波形1. I-NPC三电平电路的换流方式与双脉冲测
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英飞凌 三电平电路 短路测试
近日，英飞凌宣布与全球领先的能源互联网核心电力设备及解决方案领军企业盛弘电气股份有限公司达成合作。英飞凌将为盛弘提供业内领先的1200 V CoolSiC MOSFET功率半导体器件，配合EiceDRIVER™ 紧凑型1200V单通道隔离栅极驱动IC， 从而进一步提升储能变流器的效率。在“双碳”战略和新能源浪潮带动下，近年来，国内储能市场保持持续快速发展。据工信部统计，2023年上半年，新型储能装机规模达到863万千瓦，相当于此前历年累计装机规模总和。而储能系统的效率和功率密度是产品竞争力的重要因素，系统
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英飞凌 盛弘 储能 绿色能源
【2024年1月25日，德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX /OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新应用中心。该创新应用中心全面投入运营之后，将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路，从而推动低碳化进程。英飞凌及安克创新管理层、及相关项目负责人员参与揭幕仪式并剪彩（参与仪式者从左至右依次为安克预研研发总监赵波、安克高级研发总监王晶，安克高级研发总监肖松，安克充电及储能事业
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英飞凌 安克 PD快充
据外媒，1月23日，英飞凌与美国半导体制造商Wolfspeed发布声明，宣布扩大并延长双方2018年2月签署的现有150mm碳化硅晶圆长期供应协议。根据声明，双方延长的的合作关系中包括一项多年期产能预留协议。新协议有助于提高英飞凌总体供应链的稳定性，同时满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅晶圆产品日益增长的需求。英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范围内保障对于150mm和200mm碳化硅晶圆的高品质、长期供应优质货源。
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英飞凌 碳化硅 晶圆 Wolfspeed
【2024年1月24日，德国慕尼黑讯】随着USB-C电源传输（PD）充电技术的日益普及，整个消费市场对兼容性强的充电器的需求也在增加。如今，用户需要功能强大而又设计紧凑的适配器。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出的次级侧受控ZVS反激式转换器芯片组 EZ-PD™ PAG2可以满足这一需求。该芯片组由EZ-PD PAG2P和EZ-PD PAG2S两款不同的型号组成，集成了USB PD、同步整流器和PWM控制器。它能够使用脉冲-边沿转换器（PET）CYPET
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英飞凌 ZVS 反激式转换器 USB-C PD
【2024年1月18日，德国慕尼黑讯】现代功率系统需要高效且设计紧凑的稳压器。为了应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）面向服务器、AI、数据通信、电信和存储市场推出了TDA388xx系列产品。最新的12 A和 20 A同步降压稳压器采用快速恒定导通时间（COT）控制模式来优化性能。这种方法可确保快速瞬态响应，能够最大程度地减少无源元件数量并节省电路板空间。该系列稳压器用途广泛，能够在4.0 V至16 V的宽输入电压范围内稳定工作，并且可以通过外部偏置电源进
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英飞凌 DC-DC POL COT架构 同步降压稳压器
据英飞凌官网消息，近日，英飞凌已与碳化硅 (SiC) 供应商 SK Siltron CSS 正式达成协议。据悉，SK Siltron CSS将为英飞凌提供具有竞争力的高质量150mm SiC晶圆，支持SiC半导体的生产。在后续阶段，SK Siltron CSS将在协助英飞凌向200 mm 晶圆直径过渡方面发挥重要作用。据了解，英飞凌首席采购官 Angelique van der Burg 表示：“对于英飞凌来说，供应链弹性意味着实施多供应商战略，并在逆境中蓬勃发展，创造新的增长机会并推
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【2024年1月15日，德国慕尼黑讯】卫星上的边缘计算和推理可实现近乎实时的数据分析和决策制定。随着联网设备的数量及其产生的数据量不断增长，这一点变得愈发重要。为满足太空应用中的这些高性能计算需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布推出采用英飞凌专利技术RADSTOP™设计的最新抗辐射（rad hard）异步静态随机存取存储器。全新产品专为高可靠性和高性能极为关键的太空及其
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英飞凌 嵌入式纠错码 ECC 抗辐射 异步静态 RAM 极端环境
随着对逆变器的功率密度、效率、输出波形质量等性能要求逐渐增加，中点钳位型(Neutral Point Clamped，NPC)的三电平拓扑逆变器已经得到了广泛的应用，典型的三电平拓扑有二极管型NPC(NPC1)、Conergy NPC(NPC2)、有源NPC(ANPC)，如下图所示。相对于传统的两电平逆变器，三电平逆变器有以下优点：输出波形的谐波成分少：三电平逆变器相对两电平逆变器，增加了一个零电平通路，相电压可输出三个电平，即+Vdc/2、0、-Vdc/2，根据下图可以看到三电平逆变器输出的电压波形更加
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英飞凌 三电平电路 电路拓扑
【2024年1月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX /OTCQX代码：IFNNY）宣布将致力于制定科学碳目标，进一步扩展气候战略。英飞凌正向着在2030年实现碳中和的目标稳步迈进，该目标包含与能源相关的直接和间接碳排放（范围1和2）。截至目前，英飞凌的相关碳排放量与2019年的基准相比已经降低了56.8%。现在，英飞凌又制定了更加宏伟的目标，旨在将公司的气候保护工作延伸到供应链（范围3）。 英飞凌科技首席数字化转型官Elke Reichart 负责可持续发展的
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英飞凌 气候战略
在2023 年半导体波澜壮阔的竞争格局中，有一家半导体公司业绩表现非常亮眼，这就是英飞凌集团。得益于低碳化和数字化的合力驱动，英飞凌集团在2023年实现了创纪录的营收和利润，全球总营收超过了163亿欧元，同比增长 15%。可再生能源、电动汽车（尤其在中国）和汽车微控制器领域等目标市场都保持了强劲的增长势头。在此背景下，英飞凌汽车电子事业部在2023 财年也表现优异，整个部门创造的营收超过了82 亿欧元，在公司总营收中的占比高达51%。根据TechInsights 发布的数据，在2022 年汽车半导体市场上
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