- 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。功率电路寄生电感在哪里？图1给出了半桥电路中不同位置寄生电感示意图，主要包括三类：连接母排及功率回路中的寄生电感，IGBT模块内部寄生电感，直流母线电容寄生电感，分别如下图中a、b、c所示。图1 半桥电路中三类寄生电感位置示意图1. 连接母排以及功率回路中的寄生电感连接母排以及功率回路中的寄生电感
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英飞凌 杂散电感
- 英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）
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英飞凌 CoolSiC
- Source: Getty Images/metamorworks根据1月16日发布的一篇新闻稿，英飞凌科技日前与Qt集团合作，将Qt的图形用户界面（GUI）框架集成到其微控制器（MCU）中。此次合作旨在将Qt的轻量级高性能图形框架无缝集成到英飞凌支持图形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集团微控制器产品总监主管Toni Paila表示：“当今的全球半导体市场竞争非常激烈，全球制造商正在不断寻找办法，以期尽可能快地将他们的产品推向市场。全球微控制器的开发周期不断缩短就是最好的证明。但即使
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英飞凌 Qt 图形用户界面 微控制器 MCU
- 英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程
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英飞凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
- 随着科技的飞速发展，微控制器（MCU）在各个领域的应用越来越广泛。尤其是在汽车电子领域，MCU的重要性不言而喻。英飞凌作为汽车半导体领域的领军者，当然更加重视MCU 在汽车领域中的应用。英飞凌科技大中华区高级总监、动力与新能源系统业务单元负责人 仲小龙1 32位MCU不断挤占市场近年来， 随着32 位MCU 的普及，8 位/16 位MCU的市场地位受到了一定程度的挤压。随着汽车电子系统功能的提升和集成度的不断提高，EE 架构不断更新，总体上对MCU性能的需求也在不断提升。功能相对简单的系统，如泵、阀和小电
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202403 英飞凌 MCU
- 英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示：“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了
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英飞凌 Worksport 氮化镓 GaN 便携式发电站
- 英飞凌科技股份公司在美国国际电力电子应用展览会（APEC）上推出全新固态隔离器产品系列。该系列可实现更快速、可靠的电路交换，并拥有光学固态继电器（SSR）所不具备的保护功能。这些隔离器采用无芯变压器技术，支持高20倍的能量传输的同时，还具备了电流和温度保护功能，实现更高的可靠性和更低的成本。这款，与目前使用的传统的固态隔离器驱动SCR（硅控整流器）和可控硅的方案相比，新的固态隔离器可驱动英飞凌的OptiMOS™和CoolMOS™，其功耗降低多达70%。英飞凌的固态隔离器可使固态继电器控制1000 V和10
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英飞凌 固态隔离器
- 【2024年3月8日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新车规级PSoC™ 4100S Max系列。这一微控制器器件系列具有更佳的闪存密度、通用输入输出接口（GPIO）、CAN-FD和硬件安全性，扩展了采用CAPSENSE™技术的英飞凌汽车车身/暖通空调（HVAC）和方向盘应用人机界面（HMI）解决方案组合。 车规级 PSoC™ 4100S Max 车规级PSoC™ 4100S Max通过第五代CAPSEN
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英飞凌 PSoC CAPSENSE
- 2月28日，英飞凌宣布重组销售与营销组织，自3月1日起，英飞凌的销售团队将围绕三个以客户为中心的业务领域进行组织和重建：“汽车业务”、“工业与基础设施业务”以及“消费、计算与通讯业务”。分销商和电子制造服务管理（DEM）销售组织将继续负责分销商和电子制造服务（EMS）领域。英飞凌表示，简洁的重组方法将帮助客户更便捷地获取英飞凌的完整产品组合，并通过提供来自不同事业部的互补产品来满足客户的特定需求。此外，此次重组将减少英飞凌客户的接口数量，有助于缩短英飞凌半导体和解决方案支持的研发项目的上市时间。英飞凌科技
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- 英飞凌科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞凌的元件采用 D²PAK 封装，将超高速 TRENCHSTOP 5 IGBT与碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管相结合，在硬开关和软开关拓扑结构中具有完美的性价比。凭借卓越的性能、优化的功率密度和领先的质量，该功率半导
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英飞凌 威迈斯 电动汽车 快速充电
- 3月4日消息，日前，芯联集成与理想汽车正式签署战略合作框架协议。按照双方协议签署，芯联集成将和理想汽车在碳化硅领域展开全面战略合作，双方将一起积极推动产品化进程，共同提升双方的市场竞争力。同时，双方也在积极讨论下一步将在模拟IC等领域展开深度合作。2023年，芯联集成已经实现碳化硅的量产，产品类型为平面MOSFET产品，其中90%的产品应用于新能源汽车主驱逆变器。公司目前已经实现月产出5000片以上的量产，同时公司最新一代的碳化硅MOSFET产品性能已达世界领先水平。目前，芯联集成正在建设国内第一条8英寸
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英飞凌 汽车 DEM EMS
- 3月1日消息，自3月1日起，英飞凌的销售团队将围绕三个以客户为中心的业务领域进行组织和重建——“汽车业务”“工业与基础设施业务”以及“消费、计算与通讯业务”。分销商和电子制造服务管理（DEM）销售组织将继续负责分销商和电子制造服务（EMS）领域。新的组织结构将以客户的应用需求为中心，进一步发挥英飞凌全面、多样化产品组合的潜力。这些新的组织结构将在全球范围内部署，同时优化区域布局。简洁的重组方法将帮助客户更便捷地获取英飞凌的完整产品组合，并通过提供来自不同事业部的互补产品来满足客户的特定需求。此外，此次重组
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英飞凌 汽车 DEM EMS
- 【2024年3月1日，德国慕尼黑和加利福尼亚州长滩讯】人工智能（AI）正推动全球数据生成量成倍增长，促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本（TCO）。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构，通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率，在满足AI GPU（图形处理器单元）平台高功率需求的
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英飞凌 功率模块 AI数据中心
- 在普通的非ICU患者中，有高达75%的不良事件和可预防死亡是因缺乏多参数生命体征（VS）监测而发生。患者和老年人医疗保健的一个重要方面是监测呼吸速率和心率等生命体征。大多数用于追踪生命体征的设备，如心电图和脉搏血氧仪，需要通过绑带和电极直接接触皮肤，并且需要接线或定期充电，使得患者无法自由活动。然而，先进的雷达传感器的出现催生出无需任何身体接触的全新生命体征监测技术。且因非接触式生命体征监测具有诸多优势，其重要性日益显现，其中包括无接触测量、持续监测、及早发现异常情况以及能够无缝集成到消费类产品中等优势。
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