三星电子(Samsung Electronics)表示,截至台北时间25日下午3时为止,南韩京畿省(Gyeonggi)器兴市(Giheung)半导体厂房跳电所造成的损失估计不到90亿韩圜(790万美元)。三星并表示,目前尚未找出跳电的原因。 Meritz Securities分析师Lee Sun-tae指出,三星半导体厂房跳电造成的影响其实不大,主因多数面临冲击者为非内存生产线。
Yonhap News于南韩时间24日下午7时48分报导,三星电子器兴市半导体厂房24日突然跳电,其K2、K5厂区在
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三星电子 DRAM NAND
韩国三星电子公司近日表示本月24日下午,其设在Kiheung地区的一个NAND闪存生产基地遭遇了断电事故,不过据三星公司的发言人表示这次为期一小 时的断电并没有对其32Gb以及其它大容量NAND闪存芯片的生产造成显著影响。
据三星的通路合作伙伴透露,在这次停电事故中受到影响的工厂主要包括三星旗下两间12英寸厂Fab13和Fab14.其中Fab13主要负责为三星生产内存芯片,而Fab14则主要生产NAND闪存芯片。Fab13和Fab14的月产能大约分别是12万/13万片晶圆。
无独有偶,20
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三星电子(Samsung Electronics)韩国器兴厂24日下午停电约1小时,虽然三星官方指出影响不大,但业界对于已极度缺货的DRAM市场相当紧张,甚至传出高容量 32Gb NAND Flash芯片亦受影响,尤其目前包括Mobile RAM、SDRAM和NOR Flash等存储器零组件都供货吃紧,三星跳电事件恐让存储器供应链出现供货排挤效应。
三星器兴厂发生停电意外,在启动不断电系统 (UPS)后,1小时内便恢复运作,估计此事件对公司营运影响不大。
存储器业者指出,这次三星受影响厂区
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据路透(Reuters)报导,全球最大存储器厂商三星电子(Samsung Electronics)惊传半导体厂房跳电消息,造成部分生产线临时停止运转。经韩国媒体查证,跳电厂房位于京畿道器兴(Kiheung)。
三星发言人James Chung表示,跳电发生后,已于1小时内恢复主要生产线运作,将损失降到最低。不过研究部门可能会受到较长时的影响,至于跳电原因目前尚未查明。
器兴是三星最早投入半导体产业的根基地,最早于1983年就在当地盖了第1座半导体工厂,自此开始扩展其半导体王国版图。三星器兴
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NAND Flash控制芯片市场曾吸引众多IC设计业者争相投入,随著快闪记忆卡市场饱和,以及固态硬碟(SSD)竞争对手环伺,过去拥有NAND Flash大厂作靠山便是票房保证的时代已不再,未来NAND Flash大厂对于控制芯片业者而言,恐怕不再是大树好乘凉,尤其包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)等大厂在走进SSD时代后,由于用在PC的零组件轻忽不得,遂纷收回控制芯片采购权,改采自家芯片,NAND Flash控制芯片产业势必将展开一波整合及淘汰赛。
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据国外媒体报道,市场分析机构iSuppli称,2010年OEM(原始设备制造商)和EMS(电子设备制造服务)提供商芯片支出将以两位数增长,扭转去年经济低迷期间支出缩减局面。
2010年电子设备OEM厂商芯片支出将由2009年的1570亿美元增长至1779亿美元,同比增长13%.iSuppli预计2010年EMC提供商总支出将由2009年的328亿美元增长至377亿美元,同比增长15.1%.
OEM芯片支出中包含终端产品消耗的所有芯片,其中包括OEM直接购买及通过EMC和分销商购买的芯片。
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据国外媒体报道,台湾南亚科技总裁连日昌周三表示,公司目前正在与合作伙伴美光科技联手,共同为未来的DRAM生产开发先进的20纳米芯片制程技术。
这 项先进的芯片制程技术有助于提高芯片性能、减少芯片耗电量、降低芯片生产成本。连日昌周三在台北的一次媒体活动中说,企业要想在未来五年的DRAM市场上 保持竞争力,拥有领先技术至关重要。
采用20纳米制程技术生产芯片将有助美光和南亚科技与业界领先企业三星电子展开更加有效的竞争。当前,三星已经在它的生产线上采用了30纳米芯片制程技术。三星称,使用30纳米
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平板显示产业是近年来发展速度最为迅猛、发展空间最为广阔的一个产业。三星电子在不断提高LCD研发、生产的同时,越来越重视中国等新兴市场。
三星LCD要与中国共发展
2009年年初,世界经济低迷使LCD需求骤减,LCD市场笼罩在一片灰暗中。但中国超出预期的经济恢复速度,使整个LCD市场产生了变化。特别是恰逢中国政府力推的家电下乡,以旧换新等政策使TCL、海信、康佳等中国液晶电视制造商需要更多的面板。
2009年1月,三星电子向中国5大家电企业提供了7万个左右的液晶面板,但是到了2009年
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记者从亦庄经济技术开发区管委会获悉,三星电子株式会社(以下简称三星电子)将正式入驻亦庄内的“移动硅谷”,这也是该区域2010年首家入驻的世界500强企业。
记者了解到,三星电子与中电华通通信有限公司的战略合作协议是在2月9日签署的。
根据协议,三星电子将与中电华通共同开展战略合作,为中电华通研发与制造设备及相关物联网网络设备。
同时三星电子还参与开发区中电华通无线宽带物联网产业园的建设。
据了解,“移动硅谷”计划于2009年12月
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韩国厂商三星电子日前在位于首尔瑞草区的公司大楼内举行了“Full HD 3D LED背光液晶电视发布会”,展出46寸和55寸两款。
三星电子3D LED电视的最大优点是可以将2D普通画面变成3D画面进行观看。三星电子电视事业部总经理尹富根表示:“在转播体育赛事的时候,用该款电视观看,会让人感觉非常真实,不亚于用3D手法拍摄的节目。”
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2月25日消息,网易科技今日从三星电子中国获悉,截止到今年1月,三星电子大型液晶电视(LCD)面板业务累计销量超过5亿台。
据了解,三星电子从1995年起开始经营LCD业务,到2005年,三星电子大型LCD累计销量突破1亿台;到2007年突破2亿台;到2008年突破3亿台;2009年一年销售1.3亿台,累计突破4亿台。到今年1月,销量超过5亿台。
三星电子表示,三星电子能够获得这样的业绩与去年抢滩新兴LED TV用面板市场及大尺寸LCD TV领域的强劲销售是分不开的。其中,电视部门出货量占
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三星电子宣布,该公司已经在业内第一家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4Gb DDR3内存芯片。
这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压,可组装成16/32GB RDIMM服务器内存条或者8GB SO-DIMM笔记本内存条,性能1.6Gbps,功耗相比于上一代产品降低35%,能为数据中心、服务器系统或者高端笔记本节省大量能源。
三星指出,目前服务器系统平均每路处理器搭配六条RDIMM内存条,总容量最大96GB,如果是60nm 1Gb DDR2芯片,内存子系统功耗可达210W,换
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三星电子 40nm DDR3
据韩联社(Yonhap)报导,全球最大计算机存储器制造商三星电子(Samsung Electronics)将和可编程逻辑IC龙头FPGA业者赛灵思(Xilinx)扩大代工合作协议,进展至28奈米制程。
在双方合作协议中,三星将于2011年起,以基于28奈米的高介电层/金属闸(High-K Metal Gate;HKMG)制程技术制造可编程逻辑芯片(FPGA)装置。
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三星电子 28纳米 FPGA
世界领先的先进半导体解决方案供应商三星电子与ARM公司近日在于巴塞罗那举行的世界移动通信大会上共同宣布:三星电子已经采用ARM Mali图形处理器架构,用于未来具有图形处理功能的片上系统(SoC)IC芯片以及其ASIC和代工业务。该协议标志着双方在图形技术上的长期战略合作。
三星电子拥有为众多市场开发基于ARM技术的尖端、复杂的片上系统的丰富经验,这些市场包括手机、家庭娱乐和导航应用。Mali图形技术满足了从汽车电子到家庭娱乐等众多领域中的产品对先进的互动图形处理的需求。
三星电子系统大规
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全球的半导体产业正在复苏。各国推出的大规模经济刺激计划让平板电视和智能手机需求大增,市场价格快速回升。据日本共同社报道,包括日本公司在内的半导体企业整体业绩也大幅改观。市场上也出现韩国三星电子和东芝将进行大型设备投资的传言。为了行业的真正复苏,各公司为开发新的节能产品,加强竞争力的战略将受到考验。
2008年秋季爆发的经济危机导致需求锐减,半导体行业陷入全球性的危机。日立公司08财年出现高达8000亿日元(约合600亿元人民币)的净损失,创下国内制造业之最,其中一个重要原因就是半导体业务的不济。
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三星电子介绍
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