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- 市场研究机构In-Stat 预测，移动通讯业者将在成熟的手机市场取得更进一步的商机，同时也将为电子书阅读器、平板设备等新兴无线产品提供连结功能。
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平板 3G
- 英特尔日前在上海召开“至强”E3(代号Bromolow)处理器发布会，展示了以“至强”处理器E3家族产品为核心的服务器产品和解决方案。
“至强”处理器E3家族产品是一款入门级的服务器，相比上一代服务器和桌面系统，“至强”E3处理器拥有更高的性能，可满足苛刻的工作负载需求，其计算能力更强大、故障更少、信息访问更容易，用户可提高工作效率，更快地对业务做出响应。基于“至强E3”处理器
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Intel E3处理器
- 由于对目前Atom处理器路线图的不满，Intel公司首席执行官Paul Otellini认为应该改变原有路线图，寻找新的中心点，同时Paul Otellini称公司已经加快新款Atom处理器的设计进度，并表示Intel公司的一个目标是在智能手机和平板电脑设备上部署Atom处理器。
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Intel Atom 智能手机芯片
- 智能手机和平板电脑掀起的热潮，希望传统PC企业的转型，而在芯片领域，这也为低功耗、便携性提出了更高的要求。英特尔、AMD等企业逐步进入移动市场争夺未来的增长点。
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Intel 芯片
- IHS iSuppli公司的市场研究显示，三星电子在半导体产业稳步成长，2010年进一步逼近英特尔占据的芯片市场霸主地位。在10多年来，从没有一家公司像三星这样接近这一位置。
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三星 Intel IC
- 根据国外媒体的报道，英特尔正在研发新的Atom芯片架构，将会采用3D晶体管技术。新Atom的架构代号为Silvermont，预计在2013年发布。
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Intel Atom
- 摘要：本文对新的HELP技术与开关调节器在3G手机中的应用作分析，并以新型芯片应用为例作说明。 1 问题呈现与面对 当今已是第三代移动通信(3G)时代，手机设计人员正忙于开发新的方案，以解决具有wcb浏览、无线
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3G 手机 应用 调节器 开关 HELP 技术 新型
- 手机市场激烈的竞争推动制造商去寻找新的降低成本、印制电路板(PCB)面积和功率损耗的设计方法。同时，第三代(3G)网络的首次展示已打开各种新型多媒体和以实验为依据的应用之门，从无线网络接入和移动视频到文本发
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RF 前端 设计 手机 3G 多模 频带 简化
- 蜂窝发射模块对手机内的任何元件来说都将产生最大的辐射功率，从而可能诱发EMI和RFI。类似这样的问题可以采用RF屏蔽技术来降低与EMI及射频干扰(RFI)相关的辐射，并可将对外部磁场的敏感度降至最低。那么，什么样的
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屏蔽 设计 RF 手机 3G 基于
- 固定WiMAX 标准基于正交频分复用( OFDM) 技术，使用256 个副载波; 该标准支持1. 75~ 28 MHz范围内的多个信道带宽，同时支持多种不同的调制方案，包括BPSK、QPSK、16QAM 和64QAM。1 主要芯片完成功能本设备采用超外差
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方案 设计 系统 射频 WiMAX
- Iphone、Ipad和Android系统等智能机的大规模普及再次点燃了国内终端市场的热情，也让越来越多的用户感受到高速移动网络给生活带来的新体验。WLAN作为一种新兴的“最后一公里”接入技术，以“3G网络补
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实现 多方 共赢 WLAN 3G 创造 价值 融合
- 射频 (RF) 和混合信号半导体解决方案供应商ANADIGICS公司日前推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP) 技术的全新功率放大器 (PA) 系列产品。新的HELP3DC AWT663x系列功率放大器专门针对CDMA、WCDMA/HSPA和LTE设备中包含开关模式电源 (SMPS) 、DC/DC转换器或包络跟踪IC进行优化，以便对功率放大器的工作电压进行控制。 根据这种设计，HELP3DC功率放大器能提供业界领先的平均电流消耗，有助于延长手机、智能电话、平板电脑、上网本和笔记本的电池使用时间。
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ANADIGICS 3G LTE
- 市场调研公司集邦科技日前发布的全球一季度DRAM内存芯片市场统计报告显示，DRAM内存芯片市场该季度营收83亿美元，相比去年第四季度的86亿美元下降4%。
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DRAM DDR3 WiMAX
- 英特尔公司(IntelCorp)4日公布了新一代技术，其能够在微晶片上集成更多的晶体管，希望能够帮助其在当前正火热的平板电脑和智能手机市场立足。
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Intel 移动设备
- 英特尔公布重大技术，下一代处理器基于3D晶体管。那么，3D晶体管的精确定义及其重要性是什么呢？下面我们对此作出解答。
3D的确切含义是什么？
英特尔称之为3D晶体管，但从技术上讲，这是三门晶体管。传统的二维门由较薄的三维硅鳍所取代，硅鳍由硅基垂直伸出。
何谓硅鳍？
门包裹着硅鳍。硅鳍的三面都由门包裹控制，顶部包裹一个门，侧面各包裹一个门，共包裹三个门。2D二维晶体管只有顶部一个门包裹控制。英特尔对此解释简单明了：“控制门增加，晶体管处于‘开&rsqu
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Intel 3D晶体管 22纳米
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