- 内存的成本高昂，今年 NAND 在家庭主机和手持设备上的密集度仍将提高 40% 以上，而这是游戏最主要的游戏环境。
今年家用游戏主机的 NAND 平均密度预计达 923MB，较去年的 649MB 提高 42.2%。今年手持游戏设备的 NAND 平均密度则预计自去年的 87MB 增长 41.4%，达 123MB。
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Sony NAND
- LSI公司日前宣布推出一款 MegaRAID CacheVault技术，用于为 LSI MegaRAID 6Gb/s SATA+SAS RAID 控制卡提供基于闪存的高速缓存保护功能。MegaRAID CacheVault 采用固态 NAND 闪存，能够在电源发生故障的时候自动将高速缓存中的数据转移到闪存中，从而为存储在 RAID 控制器缓存中的数据提供强大的保护。CacheVault 技术避免了采用锂离子电池的麻烦，并可节约相关的硬件维护成本，从而实现更环保、总体成本更低的高速缓存保护解决方案。
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LSI NAND
- 据IHS iSuppli公司的NAND闪存研究报告，尽管NAND闪存成本较高妨碍其进入游戏硬件，但2011年家庭游戏机与手持游戏机中的NAND密度将增长40%以上。
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索尼 NAND
- 三星电子一家新的存储半导体制造厂将于9月投入运营。消息人士说，新厂编号为“Line-16”，主要生产NAND芯片。
2010年5月时，三星在韩国京畿道(Gyeonggi Province)华城(Hwaseong)破土动工，建立新的工厂。此前三星曾透露说，Line-16工厂月产20万片12寸圆晶。
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三星 NAND
- 日前东芝和SanDisk在日本建立了第三家半导体工厂，以应对智能手机和平板电脑的快速发展而带来的对闪存芯片的大量需求。该工厂主要生产300毫米晶片NAND半导体，工厂名称为“Fab 5”。
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东芝 NAND
- 东芝株式会社 与Sandisk公司日前共同庆祝位于日本三重县四日市东芝生产基地的第三家300mm晶圆NAND生产工厂Fab 5正式投产。
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东芝 NAND
- 摘要 基于Flash存储器的Hamming编码原理，在Altera QuartusⅡ7．0开发环境下，实现ECC校验功能。测试结果表明，该程序可实现每256 Byte数据生成3 Byte的ECC校验数据，能够检测出1 bit错误和2 bit错误，对于1 bit错误
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Flash FPGA NAND ECC
- 最近举办的Semicon West2011半导体业界大会上，三星与苹果之间的知识产权争端事件显然会是一个有趣的话题。目前，三星正准备于8月份开始量产苹果手机/平板电脑用 A5 SoC芯片。而且他们最近花费36亿美元对奥斯汀芯片厂进行了升级，使其产能能够在NAND或逻辑芯片产品之间自由切换，不过三星显然希望能够在保住苹果 芯片订单的前提下继续拓展自己的代工业务。
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三星 NAND
- 据IHS iSuppli公司的研究，东芝在2011年第一季度NAND闪存市场大有要超过三星之兆，这两家厂商的市场份额差距从2010年第四季度的1.1个百分点缩小到只有0.3个百分点。长期以来，三星一直是最大的NAND闪存厂商。
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东芝 NAND
- 据IHS iSuppli公司的研究，2011年第一季度NAND闪存领域争夺头号排名的竞争加剧，排名第二的东芝接近与三星电子平起平坐。长期以来，三星一直是最大的NAND闪存厂商。
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NAND 闪存
- 根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange表示，截自六月十六日6:00pm为止，由于大部分买方与卖方就六月上旬NAND Flash合约价格的谈判尚未告一段落，因此六月份NAND Flash合约价将等到各家厂商价格谈定后DRAMeXchange才会公布。
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平板电脑 NAND
- 行动装置风潮崛起使得PC DRAM需求式微，自2011年起包括Mobile RAM、服务器DRAM等，俨然已成为DRAM厂最佳避风港，然在各家存储器大厂一窝蜂抢进下，Mobile RAM已率先发难，出现供过于求警讯，日厂尔必达(Elpida)传出原本爆满的Mobile RAM产能将转回作PC DRAM，加上近日PC DRAM价格再度崩跌至濒临1.5美元保卫战，DRAM厂12寸厂产能陷入苦寻不到避风港困境。
存储器业者表示，PC市场成长趋缓是 DRAM产业致命伤，而平板计算机崛起让每台系统DRAM
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DRAM NAND
- Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片，Hynix称这款产品是业内首款基于20nm制程的大容量MLC NAND闪存芯片。
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Hynix NAND
- 南韩半导体大厂海力士半导体(Hynix)主要NAND Flash产品群，近期将从原本的30纳米制程转换至20纳米级制程。海力士目前整体NAND Flash产量，以26纳米制程产品比重逾50%为最大。
海力士相关人员表示，26纳米制程NAND Flash比重至2011年3月底约为40%，6月已超越50%，月底可望提升到50%中段。26纳米制程产品将逐渐取代32纳米制程产品，成为海力士主力产品。
NAND Flash为非挥发性内存芯片，即使中断供电也能储存信息，是智能型手机、平板计算机等行动装
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海力士 NAND
- 存储器模块厂金士顿(Kingston)不畏存储器景气波动，2010年全球独立DRAM模块厂市占率首度突破50%大关，NAND Flash市场布局也成功跨足固态硬盘(SSD)市场，面对台湾上游DRAM厂仍处于生存困境的当下，金士顿创办人之一的杜纪川表示，认同孙大卫认为台湾 DRAM产业要集成才有活路的策略，唯有计画性地将各方力量做结合，才能让台湾DRAM厂免受全球经济、市场波动冲击。
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NAND DRAM
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