在电源系统中，MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号，以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻，所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。 UC
关键字：
MOSFET 驱动器 数字控制电源 性能
应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500毫焦(mJ)的业界领先雪崩额定值，非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力的设计。
安森美半导体这些100 V功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源(UPS)中的电源逆变器，以及汽车中的直接燃气喷射(DGI)。这些无铅器件，符合RoHS指令，关键的规范特性包括：
关键字：
安森美 MOSFET
电脑的麦克风电路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
关键字：
电路 耳机 功放 JFET-MOSFET 以及 麦克风 电脑
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高边MOSFET驱动器的HB (高亮度) LED设计提供低成本方案。MAX15054在单串和多串LED驱动器中通过使用降压以及单电感升降压拓扑结构，并将地电位作为输出电压的参考点，从而使设计人员避免了采用SEPIC结构带来的成本和设计复杂度。
MAX15054可提供2A驱动电流，具有极低(12ns，典型值)的传输延时和较短的上升、下降时间。器件的双UVLO (欠压锁定)功能保
关键字：
Maxim 驱动器 MOSFET MAX15054
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 DC/DC 转换器。
LTC4449 在 4V 至 6.5V 范围内驱动高端和低端 MOSFET 栅极，以高达 38V 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收
关键字：
Linear MOSFET 驱动器 LTC4449
RS Components于今日宣布，增加飞兆半导体900种新装置，飞兆是全球领先节能半导体技术供应商。RS目前拥有最先进、最全面的飞兆电源产品系列，均可从库存直接发货至广大设计工程师。
新添加的电源IC家族包括飞兆获得大奖的直流直流控制器，融合了领先行业的便携式装置高功率、高性能、功率密度和规格等特点。RS推出的飞兆系列也包括Intellimax™负荷开关和MOSFET、高性能光耦合器、二极管、IGBT、逻辑及接口产品。
飞兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
关键字：
RS 电源 IGBT MOSFET Intellimax
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 今天推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
IR 的这些首款汽车用 DirecFET2 件完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟
关键字：
IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，将其Super Junction FET®技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封装。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
关键字：
Vishay MOSFET FET
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)和直流电机驱动。凭借同类器件中最低的优质化系数(FOM)，OptiMOS 200V和250V技术可使系统设计的导通损耗降低一半。
对于应用二极管整流的48V开关电源而言，工程师们现在有了全新的选择，从而使得整体效率大于95%。这比当前典型的效率水平高出两个百分点，从功率损耗的角度看，也就是发热量降
关键字：
英飞凌 MOSFET OptiMOS
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于各种
关键字：
TI MOSFET
台晶圆代工厂产能供应失序情形，近期已逐渐从8寸晶圆向下蔓延到5寸及6寸晶圆，包括LCD驱动IC及电源管理IC纷向下抢夺5寸、6寸晶圆产能动作，让许久未传出缺货的金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)亦出现客户一直紧急追单，MOSFET市场明显供不应求现象，对台系相关供应商如富鼎、尼克森及茂达2010年第1季营收表现，将有显著贡献。
台系MOSFET供应商指出，近期合作的5寸、6寸晶圆厂内部产能利用率直线拉升，影响所及，尽管公司紧急向晶圆厂加单，不过，由于加单动作明显落后其它业者，未来3个月可
关键字：
晶圆代工 电源管理 MOSFET
日前，德州仪器 (TI) 宣布面向高电流 DC/DC 应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高 50%，并改进散热管理。
该系列包含的 5 款 NexFET 器件支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器，同时显著节省板级空间。这些采用高级封装的 MOSFET 可广泛用于
关键字：
TI MOSFET DualCool NexFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P沟道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。该器件采用热增强的PowerPAK® SC-75封装，占位面积为1.6mm x 1.6mm，具有业内P沟道器件最低的导通电阻。
SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P沟道技术的最新产品，使用了自对准工艺技术，在每平方英寸的硅片上装入了10亿个晶体管单元。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的节距工艺，将业内
关键字：
Vishay MOSFET TrenchFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间。
SiM400是迄今为止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封装的尺寸为1mm x 0.6mm，最大厚度仅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度则薄了26%。
在VGS为10V、4.5V和3.5V的情况下，新器件的导通电阻分别
关键字：
Vishay MOSFET SiM400
英飞凌科技股份公司今天宣布，公司与飞兆半导体公司之间的专利侵权诉讼已达成和解。2008年11月，英飞凌向美国特拉华州地方法院提起诉讼。本诉和反诉标的包括与超结功率晶体管以及沟槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶体管有关的14项专利。
通过广泛的半导体技术专利交叉许可，双方就上述诉讼达成和解。根据和解协议，飞兆半导体将向英飞凌支付许可费，但协议的具体条款和条件保密。
英飞凌和飞兆半导体将通知美国特拉华州地方法院，双方已经达成和解，并将申请撤诉。
作为半导体行业的全球领袖，英飞凌目前正
关键字：
英飞凌 MOSFET IGBT
mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条 mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对 mosfet的理解，并与今后在此搜索 mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473