Infineon为全缓冲DIMM提供首款测试芯片 —— 作者：eaw 时间：2005-06-01 来源：eaw 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 英飞凌科技公司(Infineon)宣布，首款高级内存缓冲(AMB)测试芯片已顺利通过测试。该芯片面向下一代采用DDR2动态随机存储器的服务器模块，运行速率高达6.0 Gb/s，提供了相当大的系统裕度，并确保了最低误码率。AMB是完全缓冲双列直插式内存模块(FB-DIMM)的核心部件，设计样品将于2004年第四季度推出，并定于2005年下半年进入市场。www.infineon.com
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