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详解TINY6410硬件电路设计之二

作者:Machinnneee 时间:2015-01-16 来源:电子产品世界 收藏


K4X1G163PE芯片接口

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/268241.htm

  从K4X1G163PE的数据手册中可以知道,该为16位宽的,为完成32位数据的传输(6410为32位处理器哦)将两片并联使用。

  在原理图中最明显的一个是退耦电容的使用,每个vdd管脚旁边都有一个104的电容,这在设计中显得很重要。

  首先分析数据位,6410的32位数据分为高地位传送至,因此U12和U3的DQ分别对应32位数据的高16位和低16位。

  其次来看地址位:该SDRAM为64M的大小(由于6410已经有sdram控制器)因此不需要进行管脚的移动。此时只需要连接好合适的管脚即可。将6410的低12位连接值SDRAM的A0-A12即可。

  BA0~BA1代表了SDRAM的最高地址位,需要将地址线的14和15与之相连,这时需要注意没有使用到13管脚,因此将其与SDRAM的NC管脚连接。这与没有SDRAM控制器的2440设计有着天壤之别,在2440中需要考虑位宽,片子位宽和片子个数等因素。这就是科技对我们电子工程师最明显的一个优待。

  剩余的就是数据和地址的屏蔽位和控制管脚,这与6410的相关管脚连接即可。至于片选和使能管脚,也是简单的连接。

  Tiny6410的板子的SDRAM使用参考电压为1.8V,供电电路采用XC9216A18CMR典型1.8V电源管理芯片。这里面的测试点TP4也是我们电子工程师需要注意的小技巧。

  硬件电路已经完成,那么剩下的就是软件的编程与实现。

  难点就在编程上,不过还好三星已经给出了bootloader的源程序,通过对比可以完成裸机的程序编写。

  如果你没有明白,请在论坛或者回复中留下邮箱,我将发送裸机测试程序。

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关键词: TINY6410 SDRAM NANDFLASH

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