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德州仪器推出具有电源限制功能与全面MOSFET SOA保护功能的新型正高压热插拔控制器

作者:电子设计应用时间:2004-02-12来源:电子设计应用收藏
日前, (TI) 宣布推出业界首款采用可编程与电流限制功能的热插拔管理器,以支持 9 ~ 80V 的正压系统。该款10 引脚的 3 毫米 x 5 毫米新型控制器充分利用了 TI 新的 0.7 微米硅绝缘体模拟工艺 (silicon-on-insulator analog process) ,以确保提供全面的 MOSFET 安全工作区 (SOA) 保护,从而简化了高压系统设计。(如欲了解更多详情,敬请访问:power.ti.com/sc04001。)

 

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/2335.htm

TPS2490 及 TPS2491 热插拔管理器理想适用于支持与保护新兴正高压分布式系统,诸如 12V、24V 与 48V 服务器背板、存储域网络、医疗系统、插入模块以及无线基站等。

TI 负责系统电源管理的副总裁 Rich Valley 说:“从事正高压电源系统的电源设计人员关注的主要问题之一就是:如何在降低通道电阻的同时还能最大限度地提高电压操作能力。通过遵循电源曲线的要求,并能在任何恶劣工作环境下保证 FET 的安全可靠性,这些灵活的新型热插拔器件可让设计人员从此高枕无忧。”

独特的电源限制功能可极大降低风险
TPS2490 与 TPS2491 器件的可编程电源限制功能有助于确保外部 FET 在适当的电压、电流与时间条件下始终保持在其 SOA 范围内进行工作。在正常工作期间,外部FET 可在最大的栅极-源极 (gate-to-source) 电压下工作,以尽可能降低通道电阻。在进行启动及出现短路的情况下,可对栅极-源极电压进行调制,以便提供已定义的启动时间,并避免损坏外部 FET。

定时器功能可以限制器件处于电源限制模式的时间长度。电源限制电路可以监控外部FET 的漏电流与漏极到源极 (drain-to-source) 电压、计算功耗并控制栅极-源极电压,以避免 FET 的功耗超出用户设定的级别。当外部 FET 的漏极-源极电压极低时,该电路在电流限制模式下工作,从而防止漏电流超出用户设定的级别。

支持高压功能的 LBC-SOI 模拟工艺
TI 的新型 0.7



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