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具有高温工作能力的1700V SPT+ IGBT和二极管芯片组

作者： 时间：2012-05-25 来源：网络
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正如图14（b）所示，采用新的FSA概念，传统二极管的高反向恢复SOA可以被超越，并且同SPT+质子辐射工艺平台相比漏电流减小3倍。通过在有源区和终端保护环之间引入一个特殊的结延伸区域，可以获得较好的反向恢复坚固性。图17显示了二极管卓越的坚固性——Tj=175℃条件下，通过了峰功率为550kW/cm2的SOA测试。

（b）

图16反向阻断过程中普通二极管（a）和FSA二极管（b）的掺杂浓度及阻断态相关电场分布草图

图17Tj=175℃时1700V FSA二极管反向恢复SOA

5 结论和展望

本文介绍了ABB公司高温工作的新型1700V SPT+ IGBT和二极管芯片组。为工作在较大寄生电感和多重并联条件下工作，对芯片组进行了优化，并且有卓越的静态和开关表现。当新芯片组用在Tj=150℃条件下工作的1700V 3600A HiPak2封装中时，也显示出低的总功耗和软的电流瞬态。

为使结工作温度能够进一步拓展到Tj=175℃，还讨论到了IGBT钝化过程中的进一步优化和新型二极管阳极概念。
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芯片组 高温 低损耗 高安全工作区

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