AVR内部EEPROM读写范例

作者：时间：2013-12-12 来源：网络

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在程序中对EEPROM 操作有两种方式：

方式一：直接指定EERPOM 地址

即读写函数的地址有自己指定，用于需要特定数据排列格式的应用中

方式二：先定义EEPROM 区变量法

在这种方式下变量在EEPROM 存储器内的具体地址由编译器自动分配。

相对方式一，数据在EEPROM 中的具体位置是不透明的。

为EEPROM 变量赋的初始值，编译时被分配到.eeprom 段中，可用avr-objcopy 工具从.elf文件中提取并产生ihex 或binary 等格式的文件，从而可以使用编程器或下载线将其写入到器件的EEPROM 中。实际上WINAVR 中MFILE 生成的MAKEFILE 已经为我们做了这一切。它会自动生成以 “.eep” 为后缀的文件，通常它是iHex 格式(这次测试发现分配地址是从0x0000开始的，故增加了一个EEPROM变量Evalvoid[16])，如果同时使用方式1和2，请注意防止地址重叠,自己指定的地址应该选在后面。

//全局变量

unsigned char EDATA;

unsigned char ORGDATA[16]={0x00,0x02,0x04,0x06,0x08,0x0A,0x0C,0x0E,

0x01,0x03,0x05,0x07,0x09,0x0B,0x0D,0x0F}; //原始数据

unsigned char CMPDATA[16]; //比较数据

//仿真时在watch窗口，监控这些全局变量。

//EEPROM 变量定义

unsigned char Evalvoid[16] __attribute__((section(".eeprom"))); //这个没用到

unsigned char Eval[16] __attribute__((section(".eeprom")));

int main(void)

{

eeprom_write_byte (0x40,0xA5); //向EEPROM的0x40地址写入数据 0xA5

EDATA=eeprom_read_byte (0x40); //读出，然后看看数据对不对？

//上面两句编译是有如下警告，但不必理会

//EEPROM_main.c:103: warning: passing arg 1 of `eeprom_write_byte' makes pointer from integer without a cast

//EEPROM_main.c:104: warning: passing arg 1 of `eeprom_read_byte' makes pointer from integer without a cast

eeprom_write_block (ORGDATA[0], Eval[0], 16); //块写入

//看看EEPROM数据是否是能失电永久保存，可以注释上面这句程序(不写入，只是读出)，然后编译，烧写,断电(一段时间),上电,调试。

eeprom_read_block (CMPDATA[0],Eval[0], 16); //块读出,然后看看数据对不对？

while (1);

}

ATmega16 包含512 字节的EEPROM 数据存储器。它是作为一个独立的数据空间而存在的，可以按字节读写。EEPROM的寿命至少为100,000 次擦除周期。EEPROM的访问由地址寄存器EEAR、数据寄存器EEDR和控制寄存器EECR决定。也可以通过ISP和JTAG及并行电缆来固化EEPROM数据。

EEPROM数据的读取：

当EEPROM地址设置好之后，需置位EERE以便将数据读入EEDR。

EEPROM数据的读取需要一条指令，且无需等待。

读取EEPROM后CPU 要停止4 个时钟周期才可以执行下一条指令。

注意:用户在读取EEPROM 时应该检测EEWE。如果一个写操作正在进行，就无法读取EEPROM，也无法改变寄存器EEAR。

EEPROM数据的写入：

1、 EEPROM的写访问时间(自定时时间，编程时间)

自定时功能可以让用户软件监测何时可以开始写下一字节。(可以采用中断方式)

经过校准的1MHz片内振荡器用于EEPROM定时,不倚赖CKSEL熔丝位的设置。

改变OSCCAL寄存器的值会影响内部RC振荡器的频率因而影响写EEPROM的时间。

EEPROM自定时时间约为8.5 ms 即1MHz片内振荡器的8448个周期

注意：这个时间是硬件定时的，数值比较保险，其实真正的写入时间根本就用不了8.5mS那么长,而且跟电压有关，但芯片没有提供其他的检测编程完成的方法