DS2433设计转变为DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM
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| 注20： | 当TA升高时，有效的写次数会降低。 |
| 注21： | 未进行100%生产测试；由可靠性抽样监测保证。 |
影响：+25°C时，DS24B33至少是DS2433的4倍。未给出DS2433在+85°C时的使用寿命。
说明：该参数规定存储器没有重新写入数据(刷新)时，能够保持数据完整性的时间。通常情况下，数据保持时间远远大于所给定的最小值。
摘自DS2433数据资料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
没有规定。
摘自DS24B33数据资料
| SYMBOL | CONDITIONS | MIN | TYP | MAX | UNITS | NOTES |
| At +85°C |
| 注22： | TA升高时，数据保持时间下降。 |
| 注23： | 短时间内，100%高温生产测试保证；该生产测试等效于数据资料中的工作温度范围，这些数据是在可靠性测试中确定的。 |
| 注24： | 超出数据保持时间后，或许不能正常写入EEPROM。不建议长时间储存在高温下，+125°C下储存10年或+85°C下储存40年后，器件可能丧失写能力。 |
影响：DS24B33满足当前工业标准。
- ROM功能“Resume”
说明：与许多新推出的1-Wire从器件一样，DS24B33支持网络功能命令Resume。一旦通过Match ROM、Search ROM或Overdrive Match ROM成功选中DS24B33，Resume命令即允许再次读/写相同器件，无需指定64位注册码。
影响：对于存在多个从器件的网络，Resume能够减轻多次读/写同一器件的通信开销，例如，随机读取存储器或更新存储器数据。DS24B33支持该命令，DS2433则不支持该命令，所以应用中可据此在电气特性上区分这两个部件。 - 1-Wire前端
说明：前端是芯片内部支持访问器件资源(例如存储器)通信协议的电路。前端决定了在嘈杂环境下通信波形的定时容差和1-Wire从器件的性能。
影响：类似于多种新型1-Wire从器件，DS24B33前
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