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DS2433设计转变为DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

作者： 时间：2011-11-02 来源：网络
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/TD>注3：工作在接近最低电压(2.8V)时，建议下降沿摆率为15V/µs或更快。
影响：由于采用新一代半导体工艺，DS24B33可承受的最大值低于DS2433。由于大多数应用工作在5V ±5%或更低，这一变化应该不是问题。

措施：如果实际应用工作在6V ±5%，则降低上拉电压。例如，将一个或两个通用的硅二极管与上拉电阻串联。二极管大约0.7V的导通压降可降低1-Wire电压，实现安全工作。
  • 上拉电阻
    说明：该参数规定1-Wire上拉电阻的允许范围。如果电阻过大，没有足够时间为1-Wire从器件的寄生电源重新充电；如果电阻值过小，可能不满足最大VIL指标。

    摘自DS2433数据资料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    RPUP
    kΩ

    DS2433数据资料在电气特性表中未明确给出RPUP，但给出了一些文字指导。DS2433数据资料图8中的文字规定单点网络的指标：“读操作为5kΩ，VPUP≥ 4V时写操作为2.2kΩ。根据1-Wire通信速率和总线负载特性，上拉电阻优化在1.5kΩ至5kΩ范围”。

    摘自DS24B33数据资料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    RPUP
    0.3
    2.2
    kΩ
    2, 4
    注2：系统要求。
    注4：最大允许上拉电阻是系统中1-Wire器件数量、1-Wire恢复时间以及EEPROM编程所需电流的函数。此处给出的数值适用于只有一个器件、具有最小1-Wire恢复时间的系统。对于负载较重的系统，可能需要有源上拉，例如DS2482-x00或DS2480B。

    影响：相对于DS2433数据资料，DS24B33数据资料给出了关于上拉电阻范围的详细信息。DS24B33的上限符合tREC测试条件。下限不会对5V ±5%环境下的DS24B33造成应力。然而，在最差工作条件下(即DS24B33的输出晶体管阻抗= VOLMAX/4mA = 100Ω)，DS24B33拉低1-Wire总线时，所产生的VOL值为：100Ω/(100Ω + 300Ω) × VPUP。为满足其它1-Wire从器件和主控器件的最大VIL要求，2.8V下最小、最安全的RPUP值为600Ω。

    措施：检查应用中的上拉电阻。如果上拉电阻高于2.2kΩ，则用较小的电阻代替它，或使用不同的1-Wire主控器件。更多建议请参见输入电容部分。

    • 技术改进

    1. EEPROM使用寿命
      说明：该参数规定EEPROM单元在给定温度下可承受的无差错写次数。通常情况下，使用寿命远远高于给出的最小值。

      摘自DS2433数据资料
      SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
      NCYCLE
      		TA= +25°C
      VPUP= 5.0V
      50k
      7
      注7：执行Copy Scratchpad命令期间，DS2433自动擦除要写入的存储器。总线主控器件无需采取其它步骤。

      摘自DS24B33数据资料<
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      关键词： DS2433 DS24B33 EEPROM

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