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DS2433设计转变为DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

作者： 时间：2011-11-02 来源：网络
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DING-TOP: 0px">SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
CIN/OUT
TA= +25°C
100
800
pF
6
注6：首次加电时，数据引脚的电容可为800pF。如果使用5kΩ电阻将数据线上拉至VPUP，在向寄生电容加电后5µs将不影响正常通信。

摘自DS24B33数据资料
SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
CIO
TA= -40°C to +85°C
2000
pF
5, 6
注5：首次施加VPUP时，数据引脚的电容为2500pF。如果使用2.2kΩ电阻上拉数据线，向寄生电容施加VPUP后15µs将不影响正常通信。
注6：仅由设计、特征参数和/或仿真保证，无生产测试。

影响：由于DS24B33需要的编程电流高于DS2433，它所要求的寄生供电电容明显大于DS2433。由此降低了给定1-Wire主控制器能够驱动的从器件数量。对于DS2433工作裕量很小的应用(低VPUP、高RPUP、短tREC)，可能不能使用DS24B33。

措施：为了解决DS24B33高输入电容的问题，有必要选择较低的1-Wire上拉电阻，或使用专用的1-Wire主控器件，例如DS2480B。对于低上拉电压的应用，电阻上拉接口可能必须采用有源上拉驱动代替，例如DS2482。

工作条件变化

  1. 上拉电压
    说明：该参数规定1-Wire工作电压。上限为1-Wire器件在没有应力、无时间限制情况下IO引脚可承受的电压。

    摘自DS2433数据资料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    VPUP
    		TA= -40°C to +85°C
    2.8
    6
    V
    1
    注1：VPUP= 外部上拉电压。

    摘自DS24B33数据资料
    SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
    VPUP
    		TA= -40°C to +85°C
    2.8
    5.25
    V
    2, 3
    注2：系统要求。<
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    关键词： DS2433 DS24B33 EEPROM

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