东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
—— 进一步扩展U-MOS X-H功率MOSFET系列产品线
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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/202003/411503.htm
U-MOS X-H系列产品示意图
新增产品包括采用表面贴装SOP Advance封装的“TPH2R408QM”以及采用TSON Advance封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。
由于采用了其最新一代的工艺制造技术，与当前U-MOS Ⅷ-H系列中的80V产品相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝正在扩展其降耗型产品线，从而为降低设备功耗提供帮助。
应用：
● 开关电源（高效AC-DC转换器、DC-DC转换器等）
● 电机控制设备（电机驱动等）
特性：
● 业界最低[3]功耗（通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡）
● 业界最低[3]导通电阻：
RDS(ON)=2.43mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPH2R40QM）
RDS(ON)=19mΩ（最大值）＠VGS=10V（TPN19008QM）
● 高额定通道温度：Tch=175℃
主要规格：
（除非另有说明，@Ta＝25℃）
| 器件型号 | TPH2R408QM | TPN19008QM | ||||
绝对最大 额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 80 | ||||
漏极电流 （DC）ID（A） | @Tc=25℃ | 120 | 34 | |||
通道温度 Tch（℃） | 175 | |||||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON) 最大值（mΩ） | @VGS=10V | 2.43 | 19 | ||
| @VGS=6V | 3.5 | 28 | ||||
| 典型值 | 总栅极电荷（栅源+栅漏） Qg 典型值（nC） | 87 | 16 | |||
栅极开关电荷 Qsw（nC） | 28 | 5.5 | ||||
输出电荷 Qoss（nC） | 90 | 16.5 | ||||
输入电容 Ciss（pF） | 5870 | 1020 | ||||
| 封装 | 名称 | Advance | SOP | TSON | ||
| 尺寸典型值（mm） | 5.0×6.0 | 3.3×3.3 | ||||
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