概述新一代场截止阳极短路IGBT

　　图3显示新阳极短路器件(FGA20S140P)、前代器件(FGA20S120M)和最佳的竞争产品之间的典型输出特性对比。在额定电流20 A的条件下，FGA20S140P的饱和电压VCE(sat)是1.9 V，而FGA20S120M的饱和电压是1.55 V,最佳竞争产品的饱和电压是1.6 V。图4显示反向恢复性能对比结果。SA IGBT的反向恢复性能稍逊于与IGBT共封装的超快速恢复二极管(UFRD)。幸运的是，较高的VCE(sat)并不会对感应加热(IH)应用造成危害。

　　图4: 反向恢复性能对比

　　采用已针对感应加热应用优化了的先进场截止阳极短路技术，Fairchild最新的二代FS T SA IGBT技术，与以前版本相比，不仅显着提高了击穿电压，而且提高了开关性能;即使如此，VCE(sat)还是稍显偏高。采用软开关测试设备得到的关断特性对比如图5所示。FS T SA IGBT的关断能为573μJ ，而前一代FGA20S120M的关断能为945μJ，而最佳竞争产品的关断能则为651 μJ。因此，在此模拟感应加热应用的特定软开关测试中，新一代FS T SA IGBT器件的关断能至少减少了12%!

　　图5: Eoff对比

　　每个器件的关键参数对比如表1所示。

　　表1:关键参数对比

　　* 在Ioff= 40 A 和dv/dt = 140.1V/μs条件下测量

　　总结

　　本文介绍以类似MOSFET的方式内嵌固有体二极管的最新一代阳极短路IGBT.与最佳竞争产品和前代产品相比，该器件具有Eoff较小的特性。总之，新器件使得FS IGBT更适用于不需要高性能反向并联二极管的软开关应用。