图 1 调节 MOSFET 裸片面积来最小化满负载功率损耗图 2 是围绕图 1 最佳点的三种可能设计效率图。图中分别显示了三种设计的正常裸片面积。轻负载情况下，较大面积裸片的效率会受不断增加的驱动损耗影响，而在重负载条件下小尺寸器件因高传导损耗而变得不堪重负。这些曲线代表裸片面积和成本的三比一变化，注意这一点非常重要。正常芯片面积设计的效率只比满功率大面积设计的效率稍低一点，而在轻载条件下(设计常常运行在这种负载条件下)则更高。
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图 2 效率峰值出现在满额定电流之前
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