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智能投饵机开关电源分析与仿真

作者: 时间:2011-02-24 来源:网络 收藏

2.2 EMI抑制
以上系统研究的EMI现象属于近场的范围,研究其EMI时,主要考虑的是传导干扰,传导干扰包括差模干扰和共模干扰,差模干扰是产生于正负之间的对称性干扰:共模干扰是产生于正负之间的非对称性干扰。的EMI抑制技术除屏蔽、接地等常用方法外,本设
计主要从减小干扰源的EMI能量;切断干扰传播途径;提高受扰设备的抗干扰能力等方面入手提高设备抗干扰能力,采用措施如图2所示。

本文引用地址:https://www.eepw.com.cn/article/179664.htm

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3 电路的PSPICE
3.1 EMI的建模
EMI由共模扼流圈、差模扼流圈和电容等组成。共模扼流圈由绕向相反、匝数相同的两组线圈组成,当有共模干扰流过时,两组线圈在磁环里感应产生的磁通方向相同,产生叠加,从而使得磁通量迅速上升,铁氧体的导磁率很高,可以获得很大的电感量,对共模干扰起到抑制的作用。差模扼流圈由匝数和绕向均相同的两个线圈组成。当差模扼流圈上流过差模干扰时,两组线圈在环形磁芯里产生方向相同的磁通,因为差模干扰在两组线圈上幅值相等相位相反,所以产生的磁通相叠加,产生了很大的电感,对差模干扰起到抑制作用。
如图3(a)所示,L3、L4、Cx1、Cx2用于滤除差模干扰信号,Cx1、Cx2为电源跨接电容,又称X电容。L1、L2、Cvl、Cv2用于滤除共模干扰信号。L1、L2和L3、L4要求圈数相同,绕向符合共模扼流圈、差模扼流圈要求。

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共模等效电路如图3(b)所示,模型为一个二阶LC型低通滤波器,将等效共模电感记为LCM,等效共模电容记为CCM,则有LCM=L1+L 2,CCM=2Cy。
差模等效电路如图3(c)所示,滤波器模型为一个三阶CLC型低通滤波器,将等效差模电感记为LDM,等效差模电容记为CDM(令Cx1=Cx2且认为Cy/2Cx2),则有LDM=2L3+L1,CDM=Cx1=Cx2。
图3(b)和图3(c)滤波器截止频率为
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3.2 高频变压器的建模
实际变压器的绕组中存在着分布电容,尤其存在于线圈导线和变压器磁芯之间以及各绕组之间。电容量的大小取决于绕组的几何形状、磁芯材料的介电常数和它的封装材料等。综合考虑变压器实际,设计高频变压器的原始模型如图4(a)所示,若将副边漏感、次级绕组电阻、次级分布电容分别折算到原边,并将原、副边漏电感、绕组电阻、分布电容等效组合,得到图4(b)简化的等效电路。

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