高频串联逆变器谐振极电容缓冲电路的研究
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（a） C=0时，MOSFET的工作波形图
（b） C=0时，MOSFET关断时刻的工作波形图
（c） C=500PF时，MOSFET的工作波形图
（d） C=500PF时，MOSFET关断时刻的工作波形图
图6 测试电路中MOSFET的工作波形
（CH1为开关电流波形，CH2为示波器表笔衰减10后的开关电压波形)
6 结语
1）在频率高达MHz级的串联谐振逆变器中，开关器件漏源极两端并联一个适当大小的无损电容，可以减少关断损耗；
2）谐振电容值越大，关断损耗越小，但总体损耗增加，在选择C值时，应折衷考虑；
3）实际工作过程中，随着负载温度的提高，从而使逆变器偏离最佳工作点，参数的选取应留有一定的裕度，以保证缓冲电容放电完毕才开通同桥臂的MOSFET器件，实现零电压开通。
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