大功率VDMOS(200V)的设计研究 作者： 时间：2011-12-28 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 3 结语200V VDMOS器件的设计主要受到击穿电压和导通电阻两个参数的相互影响和相互制约，在设计中应优化两个参数的范圈。在满足其中一个的条件下使另一个达到最优的选择，采用仿真设计可大大减少设计成本。 上一页 1 2 3 下一页
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