直流与反向供电通道的保护及其集成方案
加入技术交流群
图3所示为集成解决方案的细节框图，由于采用的是背对背的N-MOS结构，通过第一个N-MOS（标识1）的门极，可以防止浪涌电流进入系统内部，同时这个N-MOS也提供正向的过压保护。
图4 安森美OVP产品系列
背对背N-MOS结构的另一个N-MOS（标识2）提供-28V的过压保护。之前采用的一般是P-MOS，但相对于P-MOS，N-MOS的导通电阻更低，使电池能够工作在更低电压下。同时N-MOS支持更大的电流，而且这个N-MOS还通过检测电流来控制反向通道的浪涌电流，提供反向过流保护。
此外，方案还应提供过流保护（标识3），并且过流保护的电流值可以通过外部电阻设定。同时集成方案还要提供状态标记引脚（标识4）以及逻辑控制引脚（标识5），并控制芯片的工作模式。
评论