功率LDM0 S中的场极板设计
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由于2、4、5区中纵向电场和横向电场相比可忽略，可近似认为本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/157312.htm
其他各区的对应的耗尽层厚度可由
得到，而由[2]可定义
根据漂移区表面电场和电势的连续性可得出边界条件
将上式在x方向微分，解得
式中Ui(i=1，2，3，4）的值可由Ei(Li，0)=Ei+1(Li，0)解得。
2 结果和分析
上图是在器件关态条件下漂移区表面电势和电场分布的理论值。采用的数据如下：
从图中可以看出，LDMOS处于关态时根据理论模型计算得到的结果和Medici仿真结果的比较。由于本文的模型忽略了氧化层固定电荷，所以和Medici仿真结果有差异较小。由图可见，漂移区的电场峰值出现在p阱／n-漂移区结处、场板的两端与漏端附近。这些电场峰值处也就是最可能的击穿点。
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