安森美拓展功率MOSFET推出18款新计算器件
——
这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTD4804N 30 V 117 A 4 mΩ 30 nC
NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ 15 nC
NTD4808N 30 V 63 A 8 mΩ 11.3 nC
NTD4809N 30 V 58 A 9 mΩ 10.7 nC
NTD4810N 30 V 54 A 10 mΩ 9 nC
NTD4813N 30 V 40 A 13 mΩ 6.9 nC
NTD4815N 30 V 35 A 15 mΩ 6 nC
评论