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安森美拓展功率MOSFET推出18款新计算器件

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作者:时间:2006-08-16来源:www.ednchina.com收藏
  安森美半导体推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流-直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。 

  这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。 


  器件     

  其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。     

      器件                                  VDS      ID           Rdson @ 10 V     Qg (典型) 

NTD4804N             30 V       117 A          4 mΩ            30 nC 
NTD4805N             30 V       88 A            5 mΩ            20.5 nC 
NTD4806N             30 V       76 A            6 mΩ            15 nC 
NTD4808N             30 V       63 A            8 mΩ            11.3 nC 
NTD4809N             30 V       58 A            9 mΩ            10.7 nC 
NTD4810N             30 V       54 A            10 mΩ          9 nC 
NTD4813N             30 V       40 A            13 mΩ          6.9 nC 
NTD4815N             30 V       35 A            15 mΩ          6 nC 


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