数模混合 IC 中通常模拟电路是核心，数字电路用来控制模拟电路实现特定的算法。在 IC 设计部分，EDA 软件主要有模拟 IC 和数字 IC 的两大类设计软件。1.EDA是“半导体皇冠上的明珠”1.1. EDA 是用于 IC 设计生产的工业软件EDA 是用来辅助超大规模集成电路设计生产的工业软件。EDA 全称是电子设计自动化（Electronic Design Automation），是指用于辅助完成超大规模集成电路芯片设计、制造、封装、测试整个流程的计算机软件。随着芯片设计的复杂程度不断提升，基于先进工
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回顾2021年中国ICT市场，“元宇宙、低代码、国资云、产业互联网、双碳”无疑是令人首先想到的关键词。那么，资深ICT产业观察者如何用一词表明自己的身份？答案是：国产EDA。相比上述关键词，EDA（集成电路设计工具）即便放大到全球范围，其市场都无法与前者比较。但市场规模并无法表明EDA的重要性。如何形容EDA？或许可将其比喻为生物圈的水，没有水，碳基生命便无法存活；没有EDA，全球几十万亿的数字经济也无法发展。也正是因为EDA如水一般润物无声，所以在中国ICT市场里，其几乎从未站在舞台的中央。但在2021
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2002年，已在芯片业浸润多时的谢仲辉回到上海。他早年求学于台大，参与了新加坡政府一力扶持的特许半导体工厂的建立与运营。随着身边的同事逐渐回流大陆，他意识到国内的芯片工业正在飞速发展，急需富有经验的人才为国效力。于是，他选择了参加国家“909工程”的华虹。挑战是显而易见的：相比于国外的大客户，国内的芯片设计公司普遍弱小，一个月的订单量不过几十片、甚至更少，而芯片制造的前期流片投入却一点都不能少。光是一套掩模版就是几十万美金，让诸多设计从业者望而却步。为了降低客户的前期投入，谢仲辉和他的团队想到了一个办法—
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研究方向一：三维纳米级电路可制造性设计方法及EDA技术进入纳米工艺节点，电路的物理结构对工艺容差和设计提出了新的挑战，可制造性和成品率成为集成电路高端芯片能否实现批量生产并盈利的最关键因素之一，可制造性设计EDA技术搭建了沟通电路设计与工艺制造的桥梁，可系统提升纳米芯片的良率和性能。实验室针对集成电路先进工艺制造和设计中存在的基础性、前瞻性核心问题，开展三维纳米级电路可制造性设计方法及EDA基础理论和关键技术研究，构建纳米加工与设计协同优化的具有自主知识产权的DFM软件平台，形成实现工艺热点检测和寄生参数
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自主开发完成通用电磁模拟仿真分析软件EMbridge，满足电磁、机电器件需求。结合最新研发的算法成果显著提高了场分析的效率。创新提出的快速多阶敏感度算法、随机谱方法能够应对IC工业中工业偏差引入的随机影响。
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EDA中心在极低功耗SoC设计方法学及关键EDA技术领域开展了年的研发工作，研究设计了亚阈值温度传感器、32位亚阈值SAPTL超前进位加法器、16位亚阈值B-SAPTL加法器、16x16亚阈值ASYN-B-SAPTL异步乘法器、动态可重构亚阈值逻辑等多款极低功耗电路IP，技术指标均优于文献报道的同类功能电路，研发了单元电路版图微调软件、电路结构自动评测工具、电路器件参数优化工具、快速High-σ蒙特卡洛分析工具、器件建模工具、PVT敏感的单元电路特征化工具等。极低功耗SoC设计方法学及关键EDA技术研究起
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依托国家重大科技专项，EDA中心牵头编制了国内首个强制JYIP核标准《GJB7715-2012JY集成电路IP核通用要求》，建立IP核应用推广平台，开发IP核主观评测电子表格（IPQE），在此基础上，完成多款移动通信与数字媒体芯片IP核的数据封装和质量评测服务。《GJB7715-2012JY集成电路IP核通用要求》IP核应用推广平台典型IP核数据封装实例第三方IP核评测报告
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EDA中心在PDK设计领域开展了十多年的研发工作，常年服务于国内外主流Foundry、各大EDA公司和IC设计公司。能够基于多种语言(Skill/Tcl/Python)开发适用于各种软件平台的PDK/oaPDK/iPDK。到目前为止，已经基于国内主流Foundry的28nm/40nm/65nm/0.11um eFlash/130nm/180nm/0.35um/1um/3um和700V BCD/TFT/CNT-FET等先进工艺成功开发了近20套兼容不同数据标准的商用PDK(包括大陆首套iPDK)。PDK交付
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基于65/45/40/28纳米铜互连和28纳米高k金属栅CMP工艺及DFM设计规则，课题组开发了一套兼顾平坦化和寄生效应、完整兼容业界主流EDA工具的DFM仿真平台，该平台具有超大规模版图快速处理，ECP/CVD/PVD/CMP工艺模拟、热点输出与反标等功能。通过对版图进行CMP分析和检查，找出存在热点的区域进行冗余金属填充，并根据设计需求进行修正，形成CMP模拟与参数提取相结合的DFM优化流程。DFM平台解决了复杂超大版图快速并行处理的技术难题，可以满足65/45/40/28纳米全芯片规模版图处理的要求
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研究65/45/40/28纳米铜互连ECP/CMP及32/28纳米HKMG CMP工艺，提出了耦合设计版图与CMP机理的新型高效CMP建模技术，开发了多节点铜互连平坦性叠层仿真工具和28纳米高k金属栅DFM解决方案，可动态模拟ECP/CMP、ILD0 CVD/CMP和Al PVD/CMP工艺演进过程，快速实现平坦性工艺偏差的提取和校正。该仿真工具通过了CMOS实测硅片数据验证，仿真精度和速度达到国际同类工具先进水平，可应用于全芯片平坦性工艺的检测分析和设计优化。CMP工艺仿真
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针对国产EDA工具应用推广的平台化共性技术问题，研究基于国产EDA工具先进工艺设计参考流程，以及关键EDA工具的评测技术，包括EDA工具的功能对比、性能测试、可兼容性、稳定性、易用性等的测试验证，形成规范的EDA工具评测报告，以此促进国产EDA 工具的改进、更新和完善，并指导设计企业选用合适的EDA工具完成芯片设计。该研究内容获得北京市科技计划项目“国产EDA工具产业链应用推广示范平台”项目的支持。基于全定制设计流程的EDA评测技术：针对纳米工艺全定制设计流程的系列EDA工具开展EDA评测技术研
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基于新型非易失存储的高能效终端架构技术：为解决资源受限物联网终端的“存储墙”问题，利用MRAM、PCM等新型存储器，构建异构非挥发存储架构。通过研究软、硬件协同的异构存储架构管理技术，达到降低内存功耗、减小I/O延时的目的。此项工作得到国家重点研发计划、北京市科技计划、中科院先导专项的支持。AI计算加速技术：GPU、ASIC、FPGA等AI加速器是实现高能效AI计算的重要手段，然而受限于移动计算环境对芯片面积、功耗等的要求，AI加速芯片片上缓存容量有限，当计算深度模型时需要频繁访问片外存储，因此“内存墙”
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EDA中心硅集成验证技术，聚焦于利用EDA技术及设计、工艺、封测技术，实现多环节集成、交叉技术集成，解决高品质、高精度、新工程技术的难题。尤其在硅基芯片+光、+生物、+MEMS等跨学科创新领域，形成了独特的解决方案，并成功实现芯片功能验证。★ 设计与工艺集成 ★&nb
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研发基于Web的EDA工具授权管理技术、安全可靠的网络架构及VPN解决方案，构建EDA软件管理系统，实现license的分时复用策略，解决昂贵EDA工具灵活授权问题。该系统支持EDA工具授权的全信息化管理模式，可实现License授权管理及分析服务，帮助用户优化EDA软件采购方案，降低用户软件成本。研究EDA资源的平台化技术与智能EDA计算技术，构建集成电路高性能EDA平台，实现SaaS化的EDA应用创新服务模式，平台提供从EDA工具授权、IP库选择、项目管理到高性能计算支撑等完整的云端芯片设计解决方案，
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纳米芯片可制造性设计(DFM)技术：已形成Art-DFMx工具套件，支持65nm-28nm-14nm-7nm的版图可制造性设计分析，用于面向良率提升和性能提升的版图优化，先进工艺CMP工艺后芯片形貌预测；提出了多物理机理耦合建模、基于LDE的有效平坦化长度特征提取、多粒度算法并行技术。部分成果被行业龙头企业应用。获国家科技重大专项支持。极低功耗设计：研发了多款性能指标优于公开文献报道的亚阈值极低功耗IP以及用于底层低功耗电路优化的电路结构-器件尺寸-版图优化工具；研发亚阈值电路特征化、统计延时建模、统计时
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