首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> risc-v

risc-v 文章

基于ARM和FPGA的全自动拉丝机控制系统设计

  • 根据拉丝机的工作原理以及拉丝过程中对拉丝机各部件的动作要求,提出采用32位RISC处理器ARM7和FPGA作为主控制器和从控制器,实现嵌入式全自动拉丝机控制系统的设计。该控制系统稳定可靠、精度高、成本低、可移植性强,具有一定的推广价值。
  • 关键字: 拉丝机  RISC  FPGA  

低价位嵌入式处理开发套件--Spartan-3E 1600E

  • Spartan-3E 1600E 开发套件支持灵活的 MicroBlaze 软处理设计
  • 关键字: LED  DAC  ADC  FPGA  RISC  

中国全面布局基于5G的自主车车通信技术

  •   从车载信息服务产业应用联盟获悉,我国已启动车用77-81GHz毫米波雷达无线技术和频率划分研究试验工作。同时,工业和信息化部日前发文委托车载信息服务产业应用联盟(TIAA)和中国信息通信研究院开展基于自主知识产权、用于智能交通车车通信的LTE-V无线技术和频率划分研究试验工作。   此次,启动LTE-V无线技术和频率划分研究试验工作表明,中国已经开始全面布局基于5G的自主车车通信技术,并以此支持具有我国先进通信技术的产业化和商用化,提升中国智能汽车、车联网领域的核心竞争能力,支撑中国自主技术成为20
  • 关键字: 5G  LTE-V  

基于OP97A的V/I转换电路

  • OP97运放输出量程为±3.3V的电压,需加一级V/I转换电路。V/I转换电路如图所示。通过设置固定的5个码值:FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷伦高精度6位半万用表的Agilent34401,上电后经过8个小时测试,其分辨率和精度均能达到15...
  • 关键字: OP97A  V  I转换电路  

由V-F F-V变换器组成的高精度数字型停延表电路图

基于Altera cyclone V SOC的JPEG编码分析

  • H.264等视频压缩算法在视频会议中是核心的视频处理算法,它要求在规定的短时间内,编解码大量的视频数据,目前主要都是在DSP上运行。未来在添加4k*2k、H.265编解码等功能,并要求控制一定成本的情况下,面临DSP性能瓶
  • 关键字: altera  Cyclone V SoC  FPGA  DSP  

基于Hyper-V虚拟化技术实现故障转移

  • 航空气象要素对飞行安全的影响越来越大,气象探测设备的重要性也越来越高。成阳国际机场配备了风廓线雷达,能够为航空飞行提供机场上空的风速风向和温度。基于保障风廓线雷达正常运行的目的,通过Hyper-V虚拟化技术和故障转移集群的方法,结合人为干预设备的试验,实现了风廓线雷达系统的故障转移功能,平均故障修复时间提高了95%。
  • 关键字: 故障转移集群  Hyper-V  风廓线雷达  平均故障修复时间  

让汽车看懂红绿灯 奥迪新技术展示

  • 如果说无人驾驶离消费者还很遥远,那么传统车厂在汽车上植入的新功能对驾驶员来说已经在逐步解放驾驶员了。据外媒报道,奥迪将在其2017款的Q7和A4
  • 关键字: 奥迪  V-to-V  V-to-I   

Lark Board评估板 Cyclone V SoC的专用舞台

  • 随着FPGA技术的高速发展,芯片规模不断提升,带来了更强的性能的同时,也实现了更低的功耗。FPGA凭借其强大的并行信号处理能力,在应对控制复杂度低、数据量大的运算时具有较强的优势。但是在复杂算法的实现上,FPGA
  • 关键字: FPGA  RISC  英蓓特  

三星3D垂直NAND闪存量产 SSD容量可轻松提升

  • 韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包
  • 关键字: 3D垂直闪存  V-NAND  固态硬盘   

三星3D V-NAND固态盘加速企业闪存进化

  • 三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需
  • 关键字: 三星  V-NAND  3D  固态盘   

三星48层3D V-NAND快闪存储器揭密

  •   备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪记忆体已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。   三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M,并强调将用于各种固态硬碟(SSD),也预计会在2016年初正式上市。这些承诺如今真的实现了,我们得以在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中发现其踪影(如图1)。        图1:三星T3 2TB S
  • 关键字: 三星  V-NAND  

三星3D V-NAND 32层对48层 仅仅是垂直层面的扩展?

  •   三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。在各设备当中,将包含大量48层3D V-NAND存储芯片且通过引线键合技术实现彼此堆叠。三星公司在48层3D V-NAND芯片中集成了512 GB存储单元,意味着每个NAND晶片为32 GB容量(256 Gb)。三星的32层(第二代方案)3D V-N
  • 关键字: 三星  V-NAND  

Imec结合III-V材料打造高性能Flash

  •   比利时奈米电子研究中心Imec的研究人员透过将快闪记忆体(Flash)与使用砷化铟镓(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,发现了一种能够提高快闪记忆体速度与寿命的新方法。   目前大多数的快闪记忆体使用由浮闸所控制的平面多晶矽通道,并用控制闸读取或编程高电压的浮闸——其方式是迫使电子穿隧至浮闸(0)或由其流出(1)。藉由将通道移动至垂直的方向,3D快闪记忆体能够更紧密地封装,而不必遵循微缩规则。   此外,Imec最近发现,透过使用通道中的III-V材
  • 关键字: Imec  III-V  

电压/电流与电压/频率转换电路(V/I、V/F电路)

  •   1电压/电流转换电路   电压/电流转换即V/I转换,是将输入的电压信号转换成满足一定关系的电流信号,转换后的电流相当一个输出可调的恒流源,其输出电流应能够保持稳定而不会随负载的变化而变化。V/I转换原理如图1。        由图1可见,电路中的主要元件为一运算放大器LM324和三极管BG9013及其他辅助元件构成,V0为偏置电压,Vin为输入电压即待转换电压,R为负载电阻。其中运算放大器起比较器作用,将正相端电压输入信号与反相端电压V-进行比较,经运算放大器放大后再经三极管放
  • 关键字: V/I  V/F  
共209条 6/14 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 » ›|

risc-v介绍

您好,目前还没有人创建词条risc-v!
欢迎您创建该词条,阐述对risc-v的理解,并与今后在此搜索risc-v的朋友们分享。    创建词条

热门主题

FPGA    DSP    MCU    示波器    步进电机    Zigbee    LabVIEW    Arduino    RFID    NFC    STM32    Protel    GPS    MSP430    Multisim    滤波器    CAN总线    开关电源    单片机    PCB    USB    ARM    CPLD    连接器    MEMS    CMOS    MIPS    EMC    EDA    ROM    陀螺仪    VHDL    比较器    Verilog    稳压电源    RAM    AVR    传感器    可控硅    IGBT    嵌入式开发    逆变器    Quartus    RS-232    Cyclone    电位器    电机控制    蓝牙    PLC    PWM    汽车电子    转换器    电源管理    信号放大器    树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473