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risc-v 文章

基于Microblaze的经典设计汇总,提供软硬件架构、流程、算法

  •   Microblaze嵌入式软核是一个被Xilinx公司优化过的可以嵌入在FPGA中的RISC处理器软核,具有运行速度快、占用资源少、可配置性强等优点,广泛应用于通信、军事、高端消费市场等领域。支持CoreConnect总线的标准外设集合。Microblaze处理器运行在150MHz时钟下,可提供125 D-MIPS的性能,非常适合设计针对网络、电信、数据通信和消费市场的复杂嵌入式系统。本文介绍基于Microblaze的设计实例,供大家参考。   双Microblaze软核处理器的SOPC系统设计
  • 关键字: RISC  Xilinx  GPIO  

可充电触屏遥控模块设计

  •   摘要   本文介绍了使用MSP430作为主处理器实现可充电的触屏遥控模块,该设计方案支持红外(IR)信号传输,且可扩展RF和NFC无线传输方式;用户输入采用触摸按键实现,设计简洁美观;系统可由电池供电,且自带可充电模块,可由USB或者直流电源适配器充电。TI的430系列MCU产品功耗低,可为便携式电子设备提供更长的使用寿命;其内嵌LCD驱动器,可以方便实时显示监测数据;其支持多种触摸按键实现方式,设计简便灵活。   简介   遥控设备在日常生活中非常易见,家电遥控器、玩具遥控器等方便了用户对设备
  • 关键字: MSP430  RISC  SoC  

基于VIM的嵌入式存储控制器的研究与实现

  •   1 引言   随着VLSI技术的迅猛发展,微处理器主频日益提高、性能飞速增长,尽管与此同时存储器集成度也越来越高、存取延时也在不断下降,但是处理器性能的年增长速度为50%~60%,而存储器性能每年提高的幅度只有5%~7%,DRAM存储器的低带宽和高延迟使高性能处理器无法充分发挥其性能,处理器和存储器之间速度的差距越来越成为制约整个系统性能的瓶颈。众多的研究者从微体系结构出发,采取乱序执行、多线程、预取、分支预测、推断执行等技术,或多级Cache的层次式存储结构来弥补微处理器与存储器性能差距,但是这些
  • 关键字: VIM  SRAM  RISC  

三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存

  •   全球先进半导体技术领军品牌三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。   三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示:“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线,我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化,将加强三星产品的市场竞争力,进一步推动三星固态硬盘业务的发展。”   3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每
  • 关键字: 三星  V-NAND闪存  

AMETEK Sorensen可编程电源的保护特性

  •   可编程电源是电气实验室工程师及技术人员必备的基本仪器,用以获得测试所需的基本功率或可变功率。这些电源的成本通常较低,并只带有基本的控制装置:一个开启/关闭开关及两个用于调节电压电流的旋钮。在未来,旋钮调节将继续会是首选方法,因为其可单独且灵活的改变电压或电流,从而直观的观察其他测量仪器或被测部件性能。   对低成本应用中的大多数电源而言保护功能不是必须考虑的因素,但是在一些测试应用中,会要求使用很小电压范围,如2.0%- 20%范围,否则会很容易损坏设备,这就为使用者提出了新的要求。   AMET
  • 关键字: 可编程电源  AMETEK  V-span  

嵌入式系统架构(四):RISC家族之MIPS处理器

  •   MIPS是美国历史悠久的RISC处理器体系,其架构的设计,也如美国人的性格一般,相当的大气且理想化。MIPS架构起源,可追溯到1980年代,斯坦福大学和伯克利大学同时开始RISC架构处理器的研究。   MIPS公司成立于1984年,随后在 1986年推出第一款R2000处理器,在1992年时被SGI所并购,但随着MIPS架构在桌面市场的失守,后来在1998年脱离了SGI,成为MIPS技术公司,并且在1999年重新制定 公司策略,将市场目标导向嵌入式系统,并且统一旗下处理器架构,区分为32-bit以及
  • 关键字: 嵌入式系统  RISC  MIPS  

嵌入式系统架构(三):RISC家族之Tensilica架构

  •   Tensilica公司的 Xtensa 处理器是一个可以自由配置、可以弹性扩张,并可以自动合成的处理器核心。Xtensa 是第一个专为嵌入式单芯片系统而设计的微处理器。为了让系统设计工程师能够弹性规划、执行单芯片系统的各种应用功能,Xtensa 在研发初期就已锁定成一个可以自由装组的架构,因此我们也将其架构定义为可调式设计。   Tensilica公司的主力产品线为Xtensa,该产品可让系统设计工程师可以挑选所需的单元架构,再加上自创的新指令与硬件执行单元,就可以设计出比其它传统方式强大数倍的处理
  • 关键字: 嵌入式系统  RISC  Tensilica  

嵌入式系统架构(二):RISC家族之ARC架构

  •   与其它RISC处理器技术相较起来,ARC的可调整式(Configurable)架构,为其在变化多端的芯片应用领域中争得一席之地。其可调整式架构主要着眼于不同的应用,需要有不同的功能表现,固定式的芯片架构或许可以面面俱到,但是在将其设计进入产品之后,某些部分的功能可能完全没有使用到的机会,即使没有使用,开发商仍需支付这些〝多余〞部分的成本,形成了浪费。   由于制程技术的进步,芯片体积的微缩化,让半导体厂商可以利用相同尺寸的晶圆切割出更多芯片,通过标准化,则是有助于降低芯片设计流程,单一通用IP所设计
  • 关键字: RISC  ARM  ARC  

嵌入式系统架构(一):RISC家族之ARM处理器 

  •   ARM公司于1991年成立于英国剑桥,主要出售芯片设计技术的授权。目前,采用ARM技术智能财产(IP)核心的处理器,即我们通常所说的ARM 处理器,已遍及工业控制、消费类电子产品、通信系统、网络系统、无线系统等各类产品市场,基于ARM技术的处理器应用约占据了32位RISC微处理器 75%以上的市场,ARM技术不止逐步渗入到我们生活的各个方面,我们甚至可以说,ARM于人类的生活环境中,已经是不可或缺的一环。   目前市面上常见的ARM处理器架构,可分为ARM7、ARM9以及ARM11,新推出的Cort
  • 关键字: RISC  ARM  MIPS  

基于FPGA的高带宽存储接口设计

  •   摘要:文中详细地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存储控制器底层架构和外部接口,并在此基础上对Controller和PHY进行了功能仿真。仿真结果表明硬核存储控制器和PHY配合工作时的功能与设计预期相符,性能优良,适合于在当前FPGA的外部存储带宽需求日益增长的场合下应用。   如今,越来越多的应用场景都需要FPGA能够和外部存储器之间建立数据传输通道,如视频、图像处理等领域,并且对数据传输通道的带宽也提出了较大的需求,这就导致了FPGA和外部Memory接口的实际有效带宽
  • 关键字: FPGA  Altera  Cyclone V  

Mouser 备货 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向数字电机控制市场

  •   贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供应Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列产品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 产品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入门级产品,此可扩展的微控制器 (MCU) 系列产品的目标应用市场为数字电机控制。采用 75 MHz ARM® Cortex‑M0+ 内核的 Kinetis KV1x 系列产品具有整数除法和平方根协处理器,从而降低了因需要
  • 关键字: 贸泽电子  Freescale  Kinetis V  

一种基于MC32P21单片机的移动电源设计方案

  •   移动电源是一种集供电和充电功能于一体的便携式充电器,可以给手机等数码设备随时随地充电或待机供电。一般由锂电芯或者干电池作为储电单元。区别于产品内部配置的电池,也叫外挂电池。一般配备多种电源转接头, 通常具有大容量、多用途、体积小、寿命长和安全可靠等特点,是可随时随地为智能手机、平板电脑、数码相机、MP3、MP4等多种数码产品供电或待机充电的功能产品。   移动电源可以通过USB电缆线使用在任何符合USB国际标准的设备,其具有短路、过充过放、恒流恒压等保护措施,还有高性能电源管理技术。   移动电源
  • 关键字: RISC  MC32P21  移动电源  

研华全系RISC/ARM计算平台,搭载Freescale®i.MX6处理器

  •   全球嵌入式计算平台领导厂商研华科技将推出全系嵌入式RISC/ARM平台解决方案。该系列产品搭载Freescale® i.MX6系列处理器并支持ARM®Cortex™-A9微架构。 研华RISC计算解决方案包括ROM-3420 RTX 2.0、ROM-5420 SMARC、ROM-7420 Qseven、RSB-4410 3.5” SBC、UBC-DS31紧凑型标牌播放器和UBC-200网络网关工控机。 Freescale® i.MX6系列处理器可提供卓越
  • 关键字: 研华  RISC/ARM  Freescale  

V-Band 微波小站回传,TDD还是FDD?

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: LTE  V-Band  FDD  TDD  

三星量产全球首款第二代32层三维V-NAND闪存

  •   全球存储领军品牌三星电子今日宣布,已开始正式量产全球首款第二代立体垂直结构的“32层三维V-NAND闪存”。   三星电子此次推出的32层三维V-NAND,与之前推出的24层V-NAND相比,虽然堆叠存储单元的设计难度更高,但是因为可以直接使用生产第一代V-NAND闪存的设备,所以具有更高的生产效率。   除此之外,三星电子推出了基于第二代V-NAND闪存的高端固态硬盘系列产品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多种容量选择。三星电子在去年面向数据中心推
  • 关键字: 三星  V-NAND闪存  
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