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三星3D垂直NAND闪存量产 SSD容量可轻松提升

  • 韩国三星公司刚刚宣布旗下的最新一代采用3D垂直闪存(V-NAND)的固态硬盘驱动器已经开始进行量产。最新的3D垂直闪存与传统的NAND存储芯片相比,具有包
  • 关键字: 3D垂直闪存  V-NAND  固态硬盘   

三星3D V-NAND固态盘加速企业闪存进化

  • 三星最新的产品是一种面向企业级应用、高可靠的固态盘存储--V-NAND固态盘。最新用于固态盘V-NAND技术带来性能上的提升,节省电力消耗,并提高了急需
  • 关键字: 三星  V-NAND  3D  固态盘   

三星48层3D V-NAND快闪存储器揭密

  •   备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪记忆体已经出现在市场上了,TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。   三星(Samsung)早在2015年8月就发布其256Gb的3位元多级单元(MLC) 3D V-NAND快闪记忆体K9AFGY8S0M,并强调将用于各种固态硬碟(SSD),也预计会在2016年初正式上市。这些承诺如今真的实现了,我们得以在其2TB容量的T3系列mSATA可携式SSD中发现其踪影(如图1)。        图1:三星T3 2TB S
  • 关键字: 三星  V-NAND  

三星3D V-NAND 32层对48层 仅仅是垂直层面的扩展?

  •   三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。在各设备当中,将包含大量48层3D V-NAND存储芯片且通过引线键合技术实现彼此堆叠。三星公司在48层3D V-NAND芯片中集成了512 GB存储单元,意味着每个NAND晶片为32 GB容量(256 Gb)。三星的32层(第二代方案)3D V-N
  • 关键字: 三星  V-NAND  

Imec结合III-V材料打造高性能Flash

  •   比利时奈米电子研究中心Imec的研究人员透过将快闪记忆体(Flash)与使用砷化铟镓(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,发现了一种能够提高快闪记忆体速度与寿命的新方法。   目前大多数的快闪记忆体使用由浮闸所控制的平面多晶矽通道,并用控制闸读取或编程高电压的浮闸——其方式是迫使电子穿隧至浮闸(0)或由其流出(1)。藉由将通道移动至垂直的方向,3D快闪记忆体能够更紧密地封装,而不必遵循微缩规则。   此外,Imec最近发现,透过使用通道中的III-V材
  • 关键字: Imec  III-V  

电压/电流与电压/频率转换电路(V/I、V/F电路)

  •   1电压/电流转换电路   电压/电流转换即V/I转换,是将输入的电压信号转换成满足一定关系的电流信号,转换后的电流相当一个输出可调的恒流源,其输出电流应能够保持稳定而不会随负载的变化而变化。V/I转换原理如图1。        由图1可见,电路中的主要元件为一运算放大器LM324和三极管BG9013及其他辅助元件构成,V0为偏置电压,Vin为输入电压即待转换电压,R为负载电阻。其中运算放大器起比较器作用,将正相端电压输入信号与反相端电压V-进行比较,经运算放大器放大后再经三极管放
  • 关键字: V/I  V/F  

RISC或CISC真的有差吗?

  • 精简指令RISC和复杂指令CISC之争从来没有落下帷幕,每隔一段时间就拿出来吵,实际只有合不合适,对不对口,没有好坏之分。
  • 关键字: RISC  CISC  

三星电子以3D V-NAND主宰SSD版图生态

  •   2015年固态硬碟(SSD)市场中的3D V-NAND占比达10%,为当初预期的3倍以上,预料到了2016年,占比将进一步提升至40%,三星电子(Samsung Electronics)将成市场最大赢家。   据韩媒Money Today报导,逐渐取代传统硬碟(HDD)的SSD,发展重心开始愈来愈偏向3D V-NAND。三星2013年领先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量产3D V-NAND业者。   据市调业者IHS iSuppli统计资料,如果以数量而言,2015年企业用SSD
  • 关键字: 三星   V-NAND  

2016年3D V-NAND市场扩大10倍 三星拉大与后起业者差距

  •   在存储器芯片市场上,垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大,全球企业间的竞争也将渐趋激烈。   据韩国MT News报导,2016年前3D V-NAND市场规模预估将扩大10倍,而除目前独占市场的三星电子(Samsung Electronics)外,也将有更多半导体厂加速生产V-NAND。三星独大V-NAND市场,为拉大与后起业者的差距,生产产品将从目前的32层堆叠结构,增加到48层。   外电引用市调机构IHS iSuppli资料指出,以NAND Flash的技术分类,V-N
  • 关键字: 三星  V-NAND  

基于Atmega16的室内照明系统设计

  •   照明是室内环境设计的重要组成部分,光照的作用,对人的视觉功能尤为重要。而长期以来,将自然光与室内智能照明系统相结合的方式一直被设计者忽略,大部分的室内场所仍沿用单一的传统照明方式,在一些公用场所的照明设备长时间打开,不仅导致能源浪费,而且加速了设备老化。   1 系统结构和工作原理   1. 1 系统结构   室内照明控制系统的设计主要采用Atmega16 单片机作为MCU 控制器,与LED 显示技术、光感技术、按键采集与处理技术、红外线传感技术、延时技术等技术相结合,然后实现室内照明设备的智能
  • 关键字: Atmega16  RISC   

零基础学FPGA(十四)第一片IC——精简指令集RISC_CPU设计精讲

  •   不得不说,SDRAM的设计是我接触FPGA以来调试最困难的一次设计,早在一个多月以前,我就开始着手想做一个SDRAM方面的教程,受特权同学影响,开始学习《高手进阶,终极内存技术指南》这篇论文,大家都知道这篇文章是学习内存入门的必读文章,小墨同学花了一些时间在这上面,说实话看懂这篇文章是没什么问题的,文件讲的比较直白,通俗易懂,很容易入手。当了解了SDRAM工作方式之后,我便开始写代码,从特权同学的那篇经典教程里面,我认真研读代码的来龙去脉,终于搞懂了特权同学的设计思想,并花了一些时间将代码自己敲一遍,
  • 关键字: FPGA  RISC  

基于Microblaze的经典设计汇总,提供软硬件架构、流程、算法

  •   Microblaze嵌入式软核是一个被Xilinx公司优化过的可以嵌入在FPGA中的RISC处理器软核,具有运行速度快、占用资源少、可配置性强等优点,广泛应用于通信、军事、高端消费市场等领域。支持CoreConnect总线的标准外设集合。Microblaze处理器运行在150MHz时钟下,可提供125 D-MIPS的性能,非常适合设计针对网络、电信、数据通信和消费市场的复杂嵌入式系统。本文介绍基于Microblaze的设计实例,供大家参考。   双Microblaze软核处理器的SOPC系统设计
  • 关键字: RISC  Xilinx  GPIO  

可充电触屏遥控模块设计

  •   摘要   本文介绍了使用MSP430作为主处理器实现可充电的触屏遥控模块,该设计方案支持红外(IR)信号传输,且可扩展RF和NFC无线传输方式;用户输入采用触摸按键实现,设计简洁美观;系统可由电池供电,且自带可充电模块,可由USB或者直流电源适配器充电。TI的430系列MCU产品功耗低,可为便携式电子设备提供更长的使用寿命;其内嵌LCD驱动器,可以方便实时显示监测数据;其支持多种触摸按键实现方式,设计简便灵活。   简介   遥控设备在日常生活中非常易见,家电遥控器、玩具遥控器等方便了用户对设备
  • 关键字: MSP430  RISC  SoC  

基于VIM的嵌入式存储控制器的研究与实现

  •   1 引言   随着VLSI技术的迅猛发展,微处理器主频日益提高、性能飞速增长,尽管与此同时存储器集成度也越来越高、存取延时也在不断下降,但是处理器性能的年增长速度为50%~60%,而存储器性能每年提高的幅度只有5%~7%,DRAM存储器的低带宽和高延迟使高性能处理器无法充分发挥其性能,处理器和存储器之间速度的差距越来越成为制约整个系统性能的瓶颈。众多的研究者从微体系结构出发,采取乱序执行、多线程、预取、分支预测、推断执行等技术,或多级Cache的层次式存储结构来弥补微处理器与存储器性能差距,但是这些
  • 关键字: VIM  SRAM  RISC  

三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存

  •   全球先进半导体技术领军品牌三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。   三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示:“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线,我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化,将加强三星产品的市场竞争力,进一步推动三星固态硬盘业务的发展。”   3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品,每
  • 关键字: 三星  V-NAND闪存  
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