- 2015年11月27日，全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)2015年度技术论坛，继9月23日首场在深圳获得热烈反响后，于今日在北京丽亭华苑酒店再度拉开帷幕。来自北京、长三角、西部地区的150多位IC设计精英、知名合作伙伴、行业分析师和媒体朋友齐聚一堂，就产业趋势和市场热点进行了深入交流，并分享了华虹宏力新的技术成果。 公司执行副总裁范恒先生和执行副总裁孔蔚然博士等公司高层亲临论坛现场，与参会嘉宾互动交流。同时公司派出了阵容
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华虹 RF-CMOS
- 在不了解会受到何种损害的情况下，具备高深的数字电子知识的设计师发现，当需要给无线器件确定滤波器参数时，急需复习射频基础知识。如果没有考虑滤波器类型和最低技术规格要求方面的基本要素，可能导致产品不能通过“测试”，结果产品又得重新开始设计，导致代价昂贵的生产推迟。另一方面，懂得如何准确确定滤波器参数，将有助于使生产出的产品满足客户的生产标准和功能。事实上，这种知识有助于在提高产品在市场上的成功机会的同时，控制生产费用。 从基础开始 在当今无线领域，激烈的扩展带宽的竞争迫使人们要更加关注滤波器的性能。如
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RF，微波滤波器
- DIGITIMES Research观察，大陆半导体产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术，包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择FD-SOI路线，而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线，估与手
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半导体 FD-SOI
- 典型的精密运算放大(运放)器可以有1MHz的增益带宽积。从理论上讲，用户可能期望千兆赫水平的RF信号衰减到非常低的水平，因为它们远远超出了放大器的带宽范围。然而，实际情况并非如此。事实上，包含在放大器内的静电放电(ESD)二极管、输入结构和其它非线性元件会在放大器的输入端对RF信号进行“整流”。在实际意义上，RF信号被转换成一种直流(DC)偏移电压，这种DC偏移电压添加了放大器输入偏移电压。
用户也许会问：“对于由给定RF信号产生的DC偏移电压，我如何确定其幅
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量化射频 RF
- 今年由欧洲两大主要研发中心——法国CEA-Leti和比利时IMEC举办的年度开放日活动刚好都在六月的同一时期举行。但这种时程的冲突并不是有意的，至少Leti是这么认为。Leti的一位官方代表指出，“在过去七年来我们一直是在六月的同一周举行年度活动。对他们来说，我们的排程应该不是什么秘密。”
Leti位于法国格勒诺布尔市创新园区的核心地带
不过，位于格勒诺布尔的Leti Days和位于布鲁塞尔的IMEC技术论坛这两大
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FD-SOI 物联网
- 可控石墨烯薄膜制备方面取得新进展：设计了Ni/Cu体系，利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控，有助于实现石墨烯作为电子材料在半导体器件领域真正的应用。
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石墨烯 SOI
- 美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台，成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。
FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管，目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一
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FD- SOI FinFET
- 多输入多输出，更高的效率Wi-Fi系统的效能与容量将迈入新境界。
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Wi-Fi RF
- 格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。
虽然某些设备对三维FinFet晶体管的终极性能有要求，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间实现更好的平衡。22FDX 采用业内首个22nm二维全耗尽平面晶体管技术(FD-SOI)工
- 关键字：
格罗方德 FD-SOI
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工艺平台，全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅)，专为超低功耗芯片打造。 FD-SOI技术仍然采用平面型晶体管， 目前并不为业内看好，因为无论Intel还是三星、台积电，22n时代起就纷纷转入了立体晶体管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 术实力欠佳，自己搞不出足够好的立体晶体管技术，22nm上只能继续改进平面型，20nm上努力了一阵放弃了，14nm索性直接借用三星的。
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GlobalFoundries FD-SOI
- 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体业者应该不是选择FinFET就是FD-SOI制程技术;不过既然像是台积电(TSMC)、GlobalFoundrie或三星(Samsung)等晶圆代工厂，必须要同时提供以上两种制程产能服务客户，有越来越多半导体制造商也正在考虑也致力提供“两全其美”的制程技术。
例如飞思卡尔半导体(Freescale Semiconductor)最近就透露，该公司正在14至16奈米节点采用
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FinFET FD-SOI
- 手机终端增加移动支付芯片不只是简单的芯片硬件成本，还有更多其他配套成本，但是增加一个功能可以带来差异化，差异化可以给手机带来的溢价。
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NFC RF
- 身为记者，我有时候会需要经过一系列的资料收集──通常包含非正式评论、随机事实(random facts)、推特文章、研讨会/座谈会资料或是公关宣传稿，然后才能把许多线索串联在一起;全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)就是一个例子。
我从美国旅行到中国接着又到欧洲，在与电子产业人士讨论技术的过程中，发现FD-SOI从一个不容易了解的名词，逐渐变得越来越“有形”。关于这个技术，我在最近这几个星期所收集到的随机
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晶圆 FD-SOI
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