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手机链考量?技术分水岭抉择?大陆半导体产业发展FD-SOI

作者:时间:2015-10-30来源:DIGITIMES 收藏

  DIGITIMES Research观察,大陆产业近期积极拥抱全空乏绝缘上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;,有时也称Ultra-Thin Body;UTB)制程技术,包含拜会关键晶圆片底材供应商、签署相关合作协议、于相关高峰论坛上表态等。大陆选择路线,而非台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特尔(Intel)的FinFET(鳍式场效电晶体)路线,估与手机产业链、贸易政策考量相关。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/282065.htm

  的特点在于较低的导通电压、运作电压,电路运作时的省电性较佳,同时支持者强调FD-SOI每闸电路成本较低。不过,现阶段FD-SOI的微缩制程不如FinFET,相同面积内的电晶体密度较低,电路运作效能也较低。

  目前支持FD-SOI的晶圆代工厂主要为美国格罗方德(GlobalFoundries)、南韩三星(Samsung Semiconductor)的晶圆代工业务,以及欧洲意法(STMicroelectronics;STMicro),大陆晶圆代工厂华虹(HH Grace)也可能加入,不过即将已表态支持的业者营收加总,其合计营收总额仍远不及台积电营收,此连带反映代工产能,并影响晶片商的制程路线选择。

  DIGITIMES Research推测,现阶段仅有代工产量少、价位中低,无法在现有晶圆代工排程中获得优先顺位的晶片商转投FD-SOI。高量、高价晶片以及高效能、高密度晶片,仍会倾向FinFET生态圈。

  半导体节点制程持续精进的两个路线

  



关键词: 半导体 FD-SOI

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