l 前言
绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件，集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点，在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、低损耗的领域中有着广泛的应用。本文对应用于有源电力滤波器的IGBT的特性及其专有EXB84l型驱动器的设计进行讨论，并提出一种具有完善保护功能的驱动电路。
有源电力滤波器设计中应用4个IGBT作为开关，并用4个EXB84l组成驱动电路，其原理如图l所示。在实验中，根据补偿电流与指令电流的关系，用数字信号处理器(DSP
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IGBT MOSFET 场效应晶体管 电源
将IGBT用于变换器时，应采取保护措施以防损坏器件，常用的保护措施有：
（1） 通过检出的过电流信号切断门极控制信号，实现过电流保护；
（2） 利用缓冲电路抑制过电压并限制du/dt；
（3） 利用温度传感器检测IGBT的壳温，当超过允许温度时主电路跳闸，实现过热保护。
下面着重讨论因短路而产生的过电流及其保护措施。
前已述及，IGBT由于寄生晶闸管的影响，当流过IGBT的电流过大时，会产生不可控的擎住效应。实际应用中应使IGBT的漏极电流不超过额定电流，以避免出现擎住现
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IGBT 半导体材料
一、IGBT的工作原理
电力MOSFET器件是单极型（N沟道MOSFET中仅电子导电、P沟道MOSFET中仅空穴导电）、电压控制型开关器件；因此其通、断驱动控制功率很小，开关速度快；但通态降压大，难于制成高压大电流开关器件。电力三极晶体管是双极型（其中，电子、空穴两种多数载流子都参与导电）、电流控制型开关器件；因此其通-断控制驱动功率大，开关速度不够快；但通态压降低，可制成较高电压和较大电流的开关器件。为了兼有这两种器件的优点，弃其缺点，20世纪80年代中期出现了将它们的通、断机制相结合的新一代半导
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IGBT 半导体材料
引言
IGBT常用的驱动模块有TLP250，以及EXB841/840系列的驱动模块。但在燃料电池城市客车DC/DC变换器的研制过程中发现，由于车载DC/DC变换器常常工作在大功率或超大功率的状态中，而处在这种状态下的IGBT瞬时驱动电流大，要求可靠性要高，使得传统的驱动电路已经不能满足其使用要求，经过研究分析，选用瑞士CONCEPT公司生产的用于驱动和保护IGBT或功率MOSFET的专用集成驱动模块2SD315A作为大功率IGBT(800A/1200V)的驱动器件，该驱动器集成了智能驱动、自检、
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模拟技术 电源技术 IGBT 2SD315A 模拟IC 电源
引言
随着电力电子技术朝着大功率、高频化、模块化发展，绝缘栅双极品体管(IGBT)已广泛应用于开关电源、变频器、电机控制以及要求快速、低损耗的领域中。IGBT是复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有MOSFET和GTR的优点：输入阻抗高，驱动功率小，通态压降小，工作频率高和动态响应快。目前，市场上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高压、功率大的特性，已成为大功率开关电源等电力电子装置的首选功率器件。
1 驱动保护电路的原则
由于是电压控制型器件，因此只要控制IC
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嵌入式系统 单片机 IGBT 集成驱动 嵌入式
全球对于节能和绿色能源的需求使得马达变频驱动在工业应用领域不断增长，甚至还扩展到民用产品和汽车领域。因此在过去几年，市场对变频器的需求量和相应的产量一直在持续增长。随着产量的不断扩大和技术趋向成熟，变频器市场竞争也日益激烈，对产品性价比的要求不断提高。 标准的三相交流驱动变频器使用绝缘栅双极晶体管(IGBT) 来实现主电路中的6个开关，现在除少量小功率、低成本变频器采用分立IGBT器件外，一般工业变频器均采用模块化IGBT(包括IPM)。模块化概念为用户提供了一个采用绝缘封装且经过检验
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选型 元器件 变频器 IGBT 元件 制造
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)日前推出一颗电流检测用点火IGBT器件FGB3040CS，可以在应用中省去用于检测大电流的检测电阻，从而将功耗降低30%并减少由此带来的热量。FGB3040CS具有电流检测功能，能以小型的低电流检测电阻替代高功率的检测电阻，成功简化系统元件的需求及降低总体成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技术设计，提供了高能量密度的点火IGBT。这项技术可让芯片尺寸缩减到能够装入D-Pak封装中而不会影响性能。 &n
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模拟技术 电源技术 飞兆 电流检测 IGBT FGB3040CS 基础仪器
Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3紧凑封装的标准IGBT三相桥式电源模块。该系列电源模块设计用于电机控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT桥用于20～50KHz高频应用，采用场沟漕截止IGBT用于5～20KHz的低频应用。所有新款整流器都集成有用于监控模块内部温度的传感器以实现过热保护。 快速NPT类IGBT的电流等级分别为：30A～50A/600V、15～25A/1200V；场沟漕截止型IGBT的电流等级分别为：20A～75A/600V，25A
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模拟技术 电源技术 Microsemi IGBT 电源模块 电源
摘 要：以PM200DSA060型智能功率模块(IPM)为例，介绍IPM的结构，给出。IPM的外围驱动电路、保护电路和缓冲电路的设计方案，介绍PM200DSA060在单相逆变器中的应用。关键词：IPM：电路设计；PM200DSA060；逆变器
1 引言 智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)以开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护功能、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等优点在电力电子领域得到越来越广泛的应用。以PM
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模拟技术 电源技术 IPM 电路设计 PM200DSA060 模拟IC 电源
引言自MOSFET及IGBT问世以来，电压控制型电力电子器件，特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高，电流越做越大。同时，与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越广，电源设备变换功率越来越大，电磁T扰也相应增强。为此必须提高控制板的抗干扰能力，提高驱动耐压等级。于是，光纤的使用也就成为了必然。
1 ICBT驱动的几种方式不同功率等级的IGBT，对驱动的要求不尽相同，表1给出了目前常用的几种驱动方式的比较。
由表l可知，在大功率
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IGBT 大功率 光纤 通讯 网络 无线
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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IGBT MOSFET 汽车
1 引言
智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)以开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护功能、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等优点在电力电子领域得到越来越广泛的应用。以PM200DSA060型IPM为例。介绍IPM应用电路设计和在单相逆变器中的应用。
2 IPM的结构
IPM由高速、低功率IGWT、优选的门级驱动器及保护电路构成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IPM具有GTR高电流密度、低饱和电压、高耐压、
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IPM MOSFET 电源技术 模拟技术 模块
通过对功率器件IGBT的工作特性分析、驱动要求和保护方法等讨论，介绍了的一种可驱动高压大功率IGBT的集成驱动模块HCPL-3I6J的应用
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电路 应用 研究 保护 驱动 高压 大功率 IGBT
IGBT是绝缘栅极双极型晶体管。它是一种新型的功率开关器件，电压控制器件,具有输入阻抗高、速度快、热稳定性强、耐压高方面的优点，因此在现实电力电子装置中得到了广泛的应用。
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IGBT 电磁振荡
在工件淬火和焊接等工艺中，由于各种原因会造成电源负载端突然短路。为了减小负载短路时产生的浪涌电流对功率管的冲击，采用降栅压慢关断技术，增强功率器件的瞬时过流能力，同时选择合适的Cd和／LT的值，可以在一定程度上减小浪涌电流的大小，从而更好地保护功率管和主电路。
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负载 短路 保护 电源 加热 高频 感应 IGBT
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