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igbt-ipm 文章 进入igbt-ipm技术社区

IR 推出采用焊前金属的汽车级绝缘栅双极晶体管

  •   国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 绝缘栅双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。   AUIRG7CH80K6B-M 采用了 IR 的最新一代场截止沟槽技术,大幅度降低了传导和开关损耗。此外,这款新器件的焊前金属可实现双面冷却,提高了散热性能,
  • 关键字: IR  IGBT  逆变器  

中国南车建成大功率半导体产业基地

  •   9月8日,随着第一批高压大功率晶闸管正式投片,国内最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产。   为满足国民经济发展的急切需求,打破国外公司的市场垄断,推动大功率半导体产业上水平、上规模,中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司(南车时代电气)依托公司良好的技术基础,总投资近3.5亿元,于2006年年底启动大功率半导体器件研发及产业化基地的建设,历经22个月后实现正式投产。   位于湖南株洲的生产基地总面积超2万平方米,部分净化级别达到了100级,由于产品对生产环境的要求极其苛刻
  • 关键字: 半导体器件  IGBT  二极管  

中国最大大功率半导体产业基地在湖南株洲投产

  •   中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地近日在湖南株洲正式投产。长期以来,高端半导体器件技术和市场一直被国外垄断,该基地的投产运行将加速推动国产化大功率半导体器件产业化进程。   大尺寸功率半导体器件(晶闸管、IGBT、IGCT均属于大尺寸功率半导体器件)是变流器的关键元件,被誉为电力电子产品的“CPU”,广泛用于轨道交通、电力(高压直流输电、风力发电)、化工、冶炼等领域。长期以来,国内高端半导体器件技术和产品主要依靠进口,价格昂贵,严重制约民族工业的快速发展。   
  • 关键字: 半导体  晶闸管  IGBT  

TMS32OF2812与DIP-IPM的通用电路设计

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: TMS32OF2812  DSP  DIP-IPM  通用电路  

基于双IGBT的斩波式串级调速系统的研究

  • 从普通串级调速原理入手,简要分析影响串级调速系统功率因数的主要因素。对三相四线双晶闸管串级调速、新型GTO串级调速等高功率方案分析与比较的基础上,提出了一种新型三相四线制双IGBT串级调速控制方案。
  • 关键字: IGBT  斩波  串级调速  系统    

英飞凌再度称雄功率电子市场

  •   英飞凌科技股份公司在功率电子半导体分立器件和模块领域连续第六年稳居全球第一的宝座。据IMS Research公司2009年发布的《功率半导体分立器件和模块全球市场》报告称,2008年,此类器件的全球市场增长了1.5%,增至139.6亿美元(2007年为137.6亿美元),而英飞凌的增长率高达7.8%。现在,英飞凌在该市场上占据了10.2%的份额,其最接近的竞争对手份额为6.8%。在欧洲、中东和非洲地区以及美洲,英飞凌也继续独占鳌头,分别占据了22.8%和11.2%的市场份额。   随着汽车、消费和工
  • 关键字: 英飞凌  IGBT  MOSFET  

TMS 32OF2812与DIP-IPM的通用电路设计

  • 结合三相电机的调速控制原理,对高速数字信号处理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模块DIP-IPM进行了详细的介绍,提出了完整的的通用变频电路设计方案。实验结果表明,该方法控制精度高,工作稳定,能够实现多种类型变频调速。
  • 关键字: DIP-IPM  2812  TMS  32    

本土资本与高新产业完美结合 “凤凰模式”借读

  •   经济领域有两大活跃因子:技术与资本。走进凤凰半导体科技有限公司,你可以感受到这两大活跃因子结合后迸发出的强劲效应。这家注册于2008年7月的“530”企业,一期工厂已开始安装设备。今年9月正式投产后,其生产的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片将填补国内空白,告别同类产品依赖进口的局面。   刚满“周岁”的凤凰半导体就将进入产业化阶段,其速度令人惊奇,但在总经理屈志军看来,这一局面的形成并不意外。原因有二:一是所率留美博士团队拥有国际一流技术;二是拥有
  • 关键字: 变频开关  IGBT  

IGBT在客车DC 600 V系统逆变器中的应用与保护

  • IGBT综述
    1.1 IGBT的结构特点
    IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器
  • 关键字: IGBT  600  系统  逆变器    

基于EXB841的IGBT驱动和保护电路研究

  • 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件,它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性,又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特
  • 关键字: 电路  研究  保护  驱动  EXB841  IGBT  基于  电源  

新IGBT技术提高应用性能

  • 在日益增长的变频器市场,许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型。这正是以低损耗和高开关频率而著称的新IGBT技术施展的舞台。在62毫米(当前模块的标准尺寸)模块中使用新IGBT技术使用户可以因不必改变其机械
  • 关键字: IGBT  性能    

大功率弧焊逆变电源的IGBT保护技术

  • 摘要:本文通过分析IGBT的结构及其安全工作区,解释了在实际应用中可能造成其损坏的原因,并利用硬件电路结合单片机的控制程序对弧焊逆变电源的IGBT采取相应措施进行保护,从而确保了IGBT安全可靠的工作。 叙词:IGB
  • 关键字: 技术  保护  IGBT  逆变电源  大功率  电源  
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