- ·随着IGBT升级换代，变频器性能不断提高，体积不断减小。
·三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户。
日本从上世纪80年代开始使用工业用的变频器，还有家庭用的变频空调，在市场上变频技术得到了很快的发展。最初变频器都用晶闸管，但是后来出现了用在变频器上的IGBT。通过使用IGBT，功率损耗大幅降低。同时，经过25年的发展，出现了各种各样的研究开发成果，目前三菱电机的IGBT芯片已经发展到第6代。可以举一个直观的例子来说明IGBT的发展水平：如果
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IGBT 变频器
- 摘要：分别针对矩阵变换器的整流级和逆变级IGBT的过流现象进行了讨论，提出了一种新的集中式过流保护电路的设计方式。该方式可确保IGBT在短路情况下及时被关断，从而安全稳定地运行。试验结果表明：新的集中式过流保
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保护 电路设计 集中式 IGBT 矩阵 变换器 基于
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%.
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%,MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率半
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MOSFET IGBT 功率半导体
- 本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终
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IGBT 软开关 损耗
- 功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为 2833亿美元，增长率达到23.2%。
MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，MOSFET的销售额占全部功率半导体的比重大约为20%，MOSFET主要应用于消费电子、计算机、工业控制、网络通信、汽车电子和电力设备六大领域。
IGBT:节能减排的先锋。2007年全球IGBT的销售额大约为31.36亿美元，IGBT的销售额占全部功率
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MOSFET IGBT
- 近日，中国南车在英国林肯丹尼克斯公司成立了半导体研发中心，并举行了丹尼克斯第一期六英寸IGBT芯片线开通仪式，为实现功率半导体器件世界第一的战略目标奠定了更加坚实的基础。
中国南车2008年10月成功收购了丹尼克斯半导体公司，获得了战略性资源，与中国南车现有功率半导体产业形成优势互补。为寻求更大发展，南车确立了功率半导体器件世界第一的战略目标，于2009年底成功完成丹尼克斯公司的再融资，进一步加大对功率半导体产业的投资，着力提升六英寸IGBT芯片的生产能力;同时建立世界水平的功率半导体研发中心，
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轨道交通 IGBT
- 针对汽车功率模块需求，英飞凌通过增强IGBT的功率循环和温度循环特性，并增加IGBT结构强度，大大提高了IGBT的寿命预期。
混合动力车辆中功率半导体模块的要求
工作环境恶劣(高温、振动)
IGBT位于逆
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IGBT 汽车级 混合动力车 中的设计
- 英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化，适用于高频和硬开关应用，在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面，树立了行业新标杆，并可满足开关频率高达100 kHz的应用需求。
近年来，各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT，比如开关和通态损耗优化，以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断电源(SMPS 和UPS)等高频应用，帮助最大
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英飞凌 IGBT UPS
- 英飞凌科技股份公司近日在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上，推出了专为实现最高功率密度和可靠性而设计的新款IGBT模块：采用PrimePACK 3封装、电压为1700 V、电流为1400 A的PrimePACK模块，和EconoDUAL系列的最新旗舰产品、电压为1200V、电流为600 A的EconoDUAL 3。
英飞凌公司副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出这两款新产品，英飞凌再次巩固了其在提供具备最高功率密
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英飞凌 IGBT PrimePACK
- 英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议，针对全球工业运动控制与驱动市场，提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念，两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定，三菱电机将新一代功率芯片，应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中，推出的具备不同额定电流和电压(电流范围：15A 至150A，电压等级：600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT
- 英飞凌科技股份公司在纽伦堡举行的2010 PCIM欧洲展会(2010年5月4日至6日)上，推出创新的IGBT内部封装技术。该技术可大幅延长IGBT模块的使用寿命。全新的.XT技术可优化IGBT模块内部所有连接的使用寿命。依靠这些全新的封装技术，英飞凌可满足具备更高功率循环的新兴应用的需求，并为提高功率密度和实现更高工作结温铺平道路。
英飞凌副总裁兼工业电源部总经理Martin Hierholzer指出：“通过推出全新的.XT技术，英飞凌再次巩固了自己在IGBT模块设计和制造领域的技术
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英飞凌 IGBT 封装
- 英飞凌科技股份公司与三菱电机公司同意签署一份服务协议，针对全球工业运动控制与驱动市场，提供采用SmartPACK和SmartPIM封装的先进的IGBT模块。利用英飞凌新近开发的这种革命性封装概念，两大领导厂商将会采用最新功率芯片推出新一代模块产品。
根据协议规定，三菱电机将新一代功率芯片，应用与英飞凌Smart1、Smart2和Smart3封装中，推出的具备不同额定电流和电压(电流范围：15A 至150A，电压等级：600V和1200V)的产品。作为SmartPACK/PIM全新模块概念的创造者
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英飞凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 混合动力车电力驱动的关键组件是电机和电机驱动器，IGBT作为电机驱动器的核心，它的可靠性关系着混合动力车辆的安全运行，本文主要针对IGBT模块应用于汽车领域，所涉及的可靠性相关问题进行了探讨，提出了汽车级IGBT概念，并详细说明了英飞凌汽车级IGBT针对汽车应用做出的改进。
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英飞凌 IGBT 可靠性 功率循环 温度循环 201003
- 国际著名电子、电机和工业产品分销商RS Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online(RS在线：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半导体公司的1200类半导体产品。
此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导通电阻特性, 并实现了小型薄型大功率), 低压驱动闪光用IGBT产品以外，还包括低饱和电压,射频用各种双极晶体管产品。 通过驱使独自的核心技术, 三洋在多
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RS MOSFET IGBT
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