- 更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量（+ 400TWh）的3％，也占总温室气体排放量的2％，与航空业的碳排放量相同。在这些巨大的能源需求之下，各地政府正加紧实施更严格的标准和新的法规，以确保所有依赖能源的产品必须达到最高能效。
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安森美，SiC，GaN
- 介绍了包括SiC、GaN在内的新一代功率器件，面向工业和汽车的新型功率模块，可穿戴设备的电源管理IC的发展概况及相关新技术和热门产品。
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SiC GaN 电源管理 201804
- 相较目前主流的硅晶圆(Si)，第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。根据估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。
此外，除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，
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SiC GaN
- 日前，《麻省理工科技评论》刊文评出了2018年十大突破性技术，“对抗性神经网络”(GAN)赫然在列。
什么是对抗性神经网络?为什么它能入选MIT十大突破性技术?它的发展脉络如何?与我们此前耳熟能详的神经网络有什么区别?能够应用在人工智能的哪些场景?还有哪些关键问题有待攻克?
中国自动化学会混合智能专委会副主任、中国人工智能学会机器学习专委会常委、复旦大学博士生导师张军平教授在接受科技日报记者采访时做了深入浅出的解释。
故事中的GAN
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对抗性神经网络 GAN
- 什么是对抗性神经网络?为什么它能入选MIT十大突破性技术?它的发展脉络如何?与我们此前耳熟能详的神经网络有什么区别?能够应用在人工智能的哪些场景?还有哪些关键问题有待攻克?
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AI GAN
- 超密集组网通过增加基站部署密度，可实现频率复用效率的巨大提升，并且带来可观的容量增长，未来随着基站数量的增加，基站内射频器件的需求也将随之大幅提升。高通预测，射频前端的市场规模预估到2020年将达到180亿美元。Small Cell Forum预测，全球小基站市场空间有望在2020年超过60亿美元。
Qorvo亚太区FAE高级经理杨嘉
有业内分析师就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署将看到GaN逐步取代LDMOS，同时，GaAs也将从小型基站网络的需求增长中受益。Qorvo亚太区FA
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GaN 5G
- 慕尼黑上海电子展举办，作为亚洲第一电子大展，展会吸引了数万名电子行业的观众到场参观学习。而全球先进的元件分销商——世强元件电商，则携物联网、汽车、微波通信、功率电子、工业控制及自动化、结构件、阻容感、材料、测试测量等九大领域的最新产品及方案亮相。 凭借集成电路、元件、材料、部件、仪器、阻容感等全品类的电子元器件展示，以及NB-IOT、工业物联网、无线充电与快充、工业4.0、人工智能、楼宇照明、智能网联汽车、新能源汽车、5G通信、蓝牙Mesh等众多热门市场的最新产品的展示，世强元件电商吸引了大批工程师
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SiC GaN
- 2018年3月6日，Nexperia(安世半导体)公司广东分立器件封装和测试新工厂正式投产，该工厂将重点解决产能问题，用于支持Nexperia后续业务发展规划。
【安世半导体(中国)有限公司广东后道工厂】
据Nexperia首席运营官Sean Hunkler介绍，新工厂投产之后，Nexperia全年总产量将超过1千亿件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封装外，还提供安世半导体(中国)有限公司开发的最新封装，包括
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安世 GaN
- 德州仪器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。欲了解更多信息，请访问www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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TI GaN
- 《麻省理工科技评论》于近日揭晓2018 年“全球十大突破性技术”，这份全球新兴科技领域的权威榜单至今已经有 17 年的历史。
1、给所有人的人工智能 AI for everyone
入选理由：将机器学习工具搬上云端，将有助于人工智能更广泛的传播
重大意义：目前，人工智能的应用是受到少数几家公司统治的。但其一旦与云技术相结合，那它将可以对许多人变得触手可及，从而实现经济的爆发式增长。
主要研究者：Google,亚马逊，阿里云，腾讯云，百度云，金山云，京东云
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机器学习 GAN
- 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓(GaN)衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司(以下简称苏州纳维)的主打产品。
“不会游泳的时候就跳下了水”
苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化镓
- EPC公司将于2018年1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的国际消费电子展(CES® 2018)展示eGaN®技术如何实现两种改变业界游戏规则的消费电子应用 -- 分别是无线充电及自动驾驶汽车的激光雷达应用。 EPC将在AirFuel联盟于CES 2018展览摊位携手合作展示基于氮化镓器件并嵌入桌面的无线充电系统，可以在桌面上任何位置对多种设备同时充电，可传送高达300 W功率。可传送这么大功率使得我们可以同时对电脑、电脑显示器、桌灯、掌上型电脑及
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宜普 GaN
- 智能集成电机驱动器和无刷直流(BLDC)电机可以帮助电动汽车和新一代汽车变得更具吸引力、更可行及更可靠。 图1所示为集成电机驱动器结合驱动电机所需的一切要素，如场效应晶体管(FET)、栅极驱动器和状态机。集成避免了电线从电子控制单元(ECU)到电机的布线距离过长，并还具有更小印刷电路板(PCB)尺寸和更低整体系统成本的优点。 BLDC电机在汽车应用中提供的优势包括效率、紧凑的尺寸、更长的电机寿命和电池寿命、更安静的车内体验以及更好的EMI性能。 图1：智能集成BLDC电机驱动器 集成智能系列博
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BLDC FET
- 使用FET和双极性晶体管的宽带缓冲电路-下面的图是一个宽带缓冲电路。该电路是由晶体管和FET构成的。这个宽带放大器具有较高的输入阻抗和低输入阻抗。
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FET 双极性晶体管 缓冲电路 宽带
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