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突发！传IGBT大厂停止接单

  • 　　IGBT市场缺口高达50%，安森美已不再接单。　　随着新能源汽车发展，IGBT需求量水涨船高，同时叠加持续一年有余的全球缺芯大背景，车规级IGBT依旧在苦苦挣扎。今年2月，业内已发出预警称，今年下半年IGBT或将成为新能源汽车生产瓶颈所在，其影响可能将超过MCU。　　如今迈入5月，IGBT供不应求已有愈演愈烈之势。目前IGBT交货周期已全线拉长到50周以上，个别料号周期甚至更长。需求高涨下，IGBT订单与交货能力比最大已拉至2：1。若去掉部分非真实需求订单，预计真实需求是实际供货能力的1.5倍，这也意
  • 关键字： IGBT  

全球第一IGBT企业，订单与交货量2:1，交货周期长达50周

  • 　　IGBT作为一种常用的半导体芯片，我们生活中的家用电器、汽车等商品上面都有，受到“缺芯潮”以及物料短缺等因素影响，IGBT目前也处于紧缺状态，尤其是车规级IGBT更是缺货严重，缺口最大的时候已经超过50%。全球最大的IGBT企业依然缺货　　芯片巨头英飞凌是全球最大的IGBT供应商，整个IGBT市场英飞凌占据三分之一份额，订单量、出货量都是遥遥领先，就是这样规模的企业同样面临着巨大的供需缺口，目前合作伙伴订单量和交货量比例大约为2：1，而且交货周期长达50周，尤其是车规及IGBT供需缺口还有进一步扩大趋
  • 关键字： IGBT  

海外大厂订单排满，光伏需求大增加剧IGBT缺货

  • 　　5月16日报道，最近，海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。士兰微和华润微相关人士表示，由于汽车和光伏需求增加明显，IGBT订单增长很快，做不过来。　　CINNO Research半导体事业部总经理Elvis称，车规级IGBT下探至0.5，即供需缺口在50%以上。因为车规级IGBT认证周期很长，悠关生命安全，认证项目复杂且冗长，付出成本昂贵，技术Know-How不易取得，一般快则两到三年，慢则甚至五到十年之间。因此产能的扩充在近期内无法缓解终端市场强大需求的短缺，至少在2023年
  • 关键字： IGBT  

海外大厂已停止接单 国内IGBT企业有望填补空缺

  • 　　获悉，最近，海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。安森美深圳厂内部人士透露消息称，车用绝缘栅双极晶体管订单(IGBT)已满且不再接单，但不排除订单中存在一定比例的超额下单。士兰微(600460)和华润微相关人士也表示，由于汽车和光伏需求增加明显，IGBT订单增长很快，做不过来。　　供应链业者表示，2021年起车用半导体中的功率元件、微控制器最为缺乏，且直至2022年情况都未见明显改善。在IGBT产品中，车用IGBT的缺口则更大。CINNOResearch半导体事业部总经理Elvi
  • 关键字： IGBT  

欧盟或将加速建筑安装光伏 IGBT产业链有望受益

  • 　　获悉，欧盟的REPowerEU计划草案提出，2022年屋顶光伏发电量增加15TWh。该草案还要求欧盟和各国政府今年采取行动，将屋顶光伏装置的安装申请许可时间缩短至三个月，并提出“到2025年，所有新建筑以及能耗等级D或以上的现有建筑，都应安装屋顶光伏设备”。该计划有望利好IGBT等逆变器产业链公司。　　据悉，REPowerEU计划是欧盟在今年3月8日提出的，价值高达1950亿欧元，旨在让成员国家在2030年之前逐步消除对俄罗斯化石燃料的依赖，其中近三分之二的削减可在今年（2022年）底前实现，结束欧盟
  • 关键字： IGBT  

UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能 1200 V第四代SiC FET

  • 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®近日宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。UnitedSiC/Qorvo 功率器件总工程师 Anup Bhalla 表示：“我们通过
  • 关键字： SiC  FET  

Power Integrations推出汽车级IGBT/SiC模块驱动器产品系列SCALE EV，为巴士、卡车以及建筑和农用电动汽车提供强大动力

  • 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations近日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块，其应用范围包括电动汽车、混合动力和燃料电池汽车（包括巴士和卡车）以及建筑、采矿和农用设备的大功率汽车和牵引逆变器。SCALE EV板级门极驱动器内部集成了两个增强型门极驱动通道、相关供电电源和监控遥测电路。新驱动板已通过汽车级认证和ASIL B认证，可实现AS
  • 关键字： Power Integrations  IGBT  SiC  模块驱动器  SCALE EV  PI  

基于单脉冲试验的IGBT模型的电压应力测试分析

  • IGBT作为功率设备的核心器件，在电力电子工业领域应用广泛。为了进一步了解电压应力对IGBT模块的影响，本文搭建了实验样机（选用3代IGBT采用T型三电平拓扑，额定输出线电压315 V，电流230 A，设计输入电压范围500～1 000 V），通过单脉冲试验对不同厂家不同型号的IGBT进行电压应力分析并给出解决方案的可行性。
  • 关键字： IGBT  单脉冲  电压应力  202203  

子单元长期存放对焊接质量的影响*

  • 长期进行IGBT器件焊接封装发现，IGBT器件封装所用关键部件子单元的存放时间长短对焊接空洞影响较大，本文分别对两批存放时间差别较大的子单元进行封装，通过实验对比两批产品的空洞率，结果表明存放时间较短的子单元焊接的IGBT器件空洞率明显偏小，从而提高了IGBT器件的可靠性。
  • 关键字： IGBT  焊接  封装  空洞率  子单元  202201  

环旭电子预计在2022量产电动车用逆变器使用的IGBT与SiC电源模块

  • 搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
  • 关键字： 环旭电子  电动车用逆变器  IGBT  SiC  电源模块  

环旭电子预计2022量产电动车用逆变器用IGBT与SiC电源模块

  • 搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子（上海证券交易所股票代码: 601231）开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。根据调研机构Canalys的报告指出，2021年上半年全球电动车销量为260万辆，与去年同期相比大幅成长160%，成长率远高于全球整体汽车市场的26%。电动汽车市场成长带动关键功率半导体组件和模块需求，其中第三代半导体拥有高效低耗能、高频、高功率、高
  • 关键字： 环旭电子  电动车用逆变器  IGBT  SiC  电源模块  

Power Integrations推出适用于“新型双通道”模块的SCALE-iFlex Single即插即用型门极驱动器

功率半导体IGBT失效分析与可靠性研究

  • 高端变频空调在实际应用中出现大量外机不工作，经过大量失效主板分析确认是主动式PFC电路中IGBT击穿失效，本文结合大量失效品分析与电路设计分析，对IGBT失效原因及失效机理分析，分析结果表明：经过对IGBT失效分析及IGBT工作电路失效分析及整机相关波形检测、热设计分析、IGBT极限参数检测对比发现IGBT失效由多种原因导致，IGBT在器件选型、器件可靠性、闩锁效应、驱动控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析论证后从IGBT本身及电路设计方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 关键字： 主动式PFC升压电路  IGBT  SOA  闩锁效应  ESD  热击穿失效  202108  MOSFET  

Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案，取代硅IGBT，现已提供1700V版本

  • 如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统，以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。此外，电力电
  • 关键字： MOSFET  MCU  IGBT  

ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封装AC/DC转换器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”

  • 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向大功率通用逆变器、AC伺服、商用空调、路灯等工业设备，开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1的AC/DC转换器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年来，随着节能意识的提高，在交流400V级工业设备领域，可支持更高电压、更节能、更小型的SiC功率半导体的应用越来越广。而另一方面，在工业设备中，除了主电源电路之外，还内置有为各种控制系统提供电源电压的辅助电源，但出于设计周期的考量，它们中仍然广泛采用了耐压较低的Si-MOSFET和损耗较
  • 关键字： MOSFET  IGBT  
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