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ST宣布les晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI

  •   12月13日,意法半导体宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步,即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术,这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。在实现极其出色的图形、多媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时,而不牺牲电池的使用寿命的情况下,嵌入式处理器需具有市场上最高的性能及最低的功耗,意法半导体28纳米技术的投产可解决这一挑战,满足多媒体和便携应用市场的需求。   FD-SOI技术平台包括全功能且经过硅验证的设计平台和设
  • 关键字: ST  晶圆  FD-SOI  

意法宣布晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI制程技术

  • 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布其在28纳米 FD-SOI技术平台的研发上又向前迈出一大步,即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术,这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。
  • 关键字: 意法  纳米  FD-SOI  

意法委托GLOBALFOUNDRIES代工FD-SOI芯片

  • 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布,引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator,全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高,要求既能处理精美的图片,支持多媒体和高速宽带上网功能,同时又不能牺牲电池寿命。在设
  • 关键字: 意法  芯片  FD-SOI  
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