日常生活中，ESD (Electro-Static Discharge，静电放电)对于我们来说是一种常见的现象，然而对电子产品而言，ESD往往是致命的——它可能导致元器件内部线路受损，直接影响产品的正常使用寿命，甚至造成产品的损坏。因此，ESD防护一直以来都是工程师们的工作重点。对于刚开始职业生涯的电子工程师而言，在掌握专业技能之前通常都要接受一些ESD相关知识的培训，足见ESD防护的地位与重要性。
图1 电子显微镜下IC内部损毁的照片
一般，ESD保护一般通过
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ESD TVS 安森美
4月25日讯,恩智浦半导体 (由飞利浦创建的独立半导体公司) 日前推出突破性的 EMI 滤波器，它具有业界最高的 ESD 保护水平--可担负正负三万伏的接触电压；该滤波器采用了恩智浦获奖的超薄无铅封装 (UTLP)。IP4253 和 IP4254 以 0.5mm 的高度和 0.4mm 的焊点间距置身当前市场上最薄的 EMI 滤波器行列 。
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ESD 超薄EMI 电源技术 恩智浦 滤波器 模拟技术
Vishay推出在超小型无铅 LLP1713 封装中整合了八个二极管的ESD 保护阵列。
凭借 0.55mm 的超薄厚度，VESD05A8A-HNH在提供 ESD 保护的同时可节省面向移动计算、移动通信、消费类、工业、汽车及医疗应用的便携式电子设备中的板面空间。
这种新型器件可在双向非对称 (BiAs) 模式下保护八条信号或数据线，并且还可在双向对称 (BiSy) 模式下作为七线保护器件。该 ESD 二极管阵列具有 30pF 的低典型电容，以及在 5V 时不到 1uA 的低最大漏电电流。
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ESD Vishay 单片机 封装
电子产品设计中必须遵循抗静电释放(ESD)的设计规则，因为大多数电子产品在生命周期内99%的时间都会处于一个ESD环境中，ESD干扰会导致设备锁死、复位、数据丢失或可靠性下降。在ESD的破坏中，静电会对I/O端口造成毁灭性损害，有可能造成数据位重影、产品损坏直至造成电子设备“硬故障”或元器件损坏。所以工程师需要考虑设计中的ESD问题并掌握解决之道。 电子工程专辑网站邀请安森美半导体集成电源器件部亚太区市场策略经理吴锦嘉宾，主持了有关《便携式和USB应用中的ESD保护》的网上专题研讨，以帮助工程
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ESD 单片机 嵌入式系统
Linear推出两个新的 RS485 收发器系列，这两个系列的器件用于采用 3.3V 的电源系统。LTC2854/LTC2855 RS485 收发器集成了可通断终止电阻，而 LTC2850/LTC2851/ LTC2852 可提供工业标准管脚引出线，支持 20Mbps 的最高数据速率。增强的 ESD 保护允许 LTC2854 的接口引脚在承受高达&nbs
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±25kV 3.3V ESD Linear RS485收发器 电源技术 模拟技术 电阻 电位器
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）推出适用于最高分辨率笔记本电脑和电视显示器的 ESD 保护芯片 全集成 VGA 接口芯片支持 UXGA 个人电脑和 1080p 电视分辨率 恩智浦半导体（前身为飞利浦半导体），推出最新系列静电放电（ESD）保护芯片，该系列芯片支持下一代 UXGA 个人电脑和 1080p 电视分辨率，可广泛应用于笔记本电脑、主板、电视机、VGA
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ESD NXP 保护芯片 笔记本电脑 单片机 电视显示器 恩智浦半导体 嵌入式系统 消费电子 最高分辨率 消费电子
在pcb板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。...
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ESD 布线 PN结
引言 随着电子信息技术的迅速发展，当前半导体器件日益趋向小型化、高密度和多功能化，特别是像时尚消费电子和便携式产品等对主板面积要求比较严格的应用，很容易受到静电放电(ESD)的影响。电路保护元件的选择根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保护电路的电特性来决定。因为利用先进工艺技术制造的IC电路里氧化层比较薄，栅极氧化层更易受到损害。而且一些采用深亚微米工艺和甚精细线宽布线的复杂半导体功能电路，对电路瞬变过程的影响更加敏感，这将导致上述问题加重。因此要求保护器件必须具备低箝位电压以提供有效的ESD
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ESD TVS 电源技术 静电放电 模拟技术
飞兆半导体公司宣布推出基于 µSerDes™ 技术的重要强化产品FIN224AC。与备受欢迎的前代产品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面积和基础架构，但却提供增强的静电放电 (ESD) 保护功能并能降低EMI。对任何手持式电子产品而言，ESD损害都是重要的考虑问题。飞兆半导体将FIN24AC的8kV ESD保护性能提升至 FIN224AC的15kV ESD，因而解决了这一难题。另一项改进
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µ SerDes™ 15kV ESD 保护 单片机 电源技术 飞兆半导体 模拟技术 嵌入式系统
大部分电子产品需要通过电快速瞬变脉冲群（EFT）（根据IEC61000-4-4）和静电放电（ESD）(根据IEC61000-4-2)等项目的标准测试。EFT和ESD是两种典型的突发干扰，EFT信号单脉冲的峰值电压可高达4kV，上升沿5ns。接触放电测试时的ESD信号的峰值电压可高达8kV，上升时间小于1ns。这两种突发干扰，都具有突发、高压、宽频等特征。 在进行标准的EFT/ESD测试时，把干扰脉冲从设备外部耦合到内部，同时监视设备的工作状态。如果设备没有通过这些标准的测试，测试本身几乎不能提
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EFT/ESD 测量 测试
意法半导体(ST)日前推出一系列ESD二极管阵列，采用外廓极小的微型引线框架封装。该设计可保护易受静电攻击的设备，防止过压瞬变损坏设备或降低性能。由于封装尺寸极小，新器件的ESD保护设计适用于手机、数码相机、MP3播放器等便携应用以及计算机和电信产品，并都提供1到5线的ESD保护功能。 ESDALC6V1M3是一个在SOT883封装内集成了两个ESD二极管的低电容器件，适用于各种应用的1线或2线ESD保护功能。该二极管电容为7pF(Vr为2.5V), 因此适合高速数据线路或其它I/O接口。
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ESD ST 二极管 封装
泰科电子旗下的Raychem电路保护部推出PESD0402和0603静电放电（ESD）保护器件产品。PESD保护器件专为高速数据传输应用中的输入/输出接口保护而设计，能使电子设备中的敏感电路免受静电放电影响。
Raychem的PESD器件优于传统的保护器件，比如齐纳二极管和多层压敏电阻器（MLV）。传统保护器件，不能在不引起信号质量下降或失真的情况下持续应用于高速数据传输中。另一方面，瞬态电压抑制（TVS）二极管和微型气体放电管对目前体积日趋减小的紧凑信息设备而言，显得过大或过于昂贵。
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ESD
减小ESD引起的停机时间 半导体器件常常因静电放电而失效。弄清楚失效的根源并遵守设计规则，就有助于避免这种失效。 ESD（静电放电）是导致电子器件失 效的主要原因，它可以在任何阶段——从制造到测试、组装、生产、现场运行以及现场 PC 装配等——影响电子器件的功能。专家估计，1994 年全世界电子行业因 ESD 造成的损失超过 900 亿美元（参考文献 1）。ESD 的发生原因是电荷在某一表面的累积，如摩擦生电。但是，由于电子产品的快速小型化，导致器件的几何尺寸缩小，其中包括层厚度，因此这些高密
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