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Diodes新型综合继电器驱动器优化电感性负载控制

  • Diodes Incorporated 推出新型DRDC3105综合继电器驱动器 (Integrated Relay Driver) ,通过把一个完整的固态继电器驱动器整合于单一的表面贴面封装,可以尽可能地减少印刷电路板的占板面积、削减组件数量,并改善电感性负载控制电路的可靠性。
  • 关键字: Diodes  继电器  DRDC3105  

Diodes推出AL5801线性发光二极管(LED)驱动器

  • Diodes公司推出AL5801线性发光二极管(LED)驱动器,仅需两个外加组件,就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款占位小、采用SOT26封装的器件,把一个100V额定N通道MOSFET集成于一个经过预先偏置的NPN晶体管,能驱动由多达三十个20mA至350mA低功率串联LED组成的链路。
  • 关键字: Diodes  二极管  LED  

Diodes推出微型高速开关二极管

  • Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。
  • 关键字: Diodes  二极管  

Diodes推出微型高速开关二极管

  • Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管,有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外,更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装,以供顾客选择。
  • 关键字: Diodes  二极管  

Diodes MOSFET使电源供应器超越“能源之星”效率目标

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器,让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器,作为理想驱动二极管。同时,ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗,以及逾87%的满载效率。
  • 关键字: Diodes  控制器  MOSFET  

Diodes:MOSFET控制器提升PSU效率

  •   Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。   这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广,介于5V至25V之间,可由适配器的19V供电轨直接供电,并且在瞬态过压状态下,保证器件正常
  • 关键字: Diodes  MOSFET  控制器  

MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。
  • 关键字: Diodes  MOSFET  ZXGD3104N8  

Diodes封装MOSFET有助于实现低温操作

  •   Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W,能在持续状态下支持高达1W的功率耗散,相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装,能实现更低温度运行。   这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样,印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2,并具备0.5mm的狭小离板高度,但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET
  • 关键字: Diodes  MOSFET  

Diodes负载开关提升HDMI端口保护功能

  • Diodes公司推出AP2331单信道限流负载开关。该产品专为高清晰度多媒体接口 (HDMI) 的标准及其它监视器接口的保护功能而优化设计,适合于3V至5V的热插拔连接以及其它承受高电容性负载和可能受短路影响的应用。
  • 关键字: Diodes  负载开关  AP2331  

Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL,有助提升电池效率及减少电路板空间,并满足空间局限的便携式产品设计要求,如智能手机及平板计算机等。
  • 关键字: Diodes  MOSFET  DMP1245UFCL  

Diodes超薄型整流器简化太阳能电池板设计

  • Diodes推出SBR12U45LH超级势垒整流器 (SBR) ,额定电流为12A,以超薄型PowerDI-5SP封装,为生产新一代太阳能光电模块 (PV module) 的太阳能电池板制造商,解除设计和生产方面的主要顾虑 。
  • 关键字: Diodes  太阳能电池板  

Diodes偏压控制及电源管理IC为LNB设计节省成本

  • Diodes公司针对单波段卫星低噪声模块 (LNB) 推出一款高集成偏压、控制及电源管理ICZXNB4204。该器件可减少 ...
  • 关键字: Diodes  控制及  电源管理IC  

DIODES在成都高新区设立封装测试生产基地

  •   达尔科技(DIODES)7月19日在成都高新综合保税区的生产基地奠基。达迩科技(成都)有限公司,是由美商达尔科技股份有限公司和成都亚光电子股份有限公司共同出资组建。   
  • 关键字: DIODES  封装  

Diodes 40V闸极驱动器减少IGBT开关损耗

  •   Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
  • 关键字: Diodes  IGBT  

Diodes推出40V 闸极驱动器减少IGBT 开关损耗

  • Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ,有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
  • 关键字: Diodes  闸极驱动器  ZXGD3006E6  
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