- Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置，可防止闩锁效应(latch-up)及贯通问题(shoot-through)，实现少于 10ns 的传输延迟时间。
- 关键字：
Diodes 闸极驱动器 XGD3006E6
- Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流（BLDC）电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻（Rdson）性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。
- 关键字：
Diodes MOSFET DMC4040SSD
- Diodes 公司推出首款针对汽车应用的超势垒整流器（Super Barrier Rectifier，简称SBR）系列。与同类肖特基或超快二极管相比，该系列器件拥有更低的正向电压降、改善了雪崩额定值以及更高的安全运行区（SOA）。这些坚固耐用的整流器让汽车设计师可提升电机控制、显示板以及 LED 照明电路的可靠性。
- 关键字：
Diodes 整流器
- Diodes 公司推出首款针对汽车应用的超势垒整流器(Super Barrier Rectifier，简称SBR)系列。与同类肖特基或超快二极管相比，该系列器件拥有更低的正向电压降、改善了雪崩额定值以及更高的安全运行区(SOA)。这些坚固耐用的整流器让汽车设计师可提升电机控制、显示板以及 LED 照明电路的可靠性。
获 AECQ101 认证的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ
- 关键字：
Diodes 整流器 SBR
- Diodes 公司推出一对互补性双 MOSFET 组合DMC4040SSD，可用于低压单相/三相无刷直流(BLDC)电机控制应用。该组合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道导通电阻(Rdson)性能，以确保平衡分配电机负载的直流损耗并将其减少到最小。
- 关键字：
Diodes DMC4040SSD MOSFET
- Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封装的高性能MOSFET产品线。该封装仅占用0.6平方毫米的PCB面积，较同类SOT723封装器件节省一半以上的占板空间，其结点至环境热阻 (ROJA) 为256ºC/W，在连续条件下功耗高达1.3W，而同类产品的功耗则多出一倍。
- 关键字：
Diodes MOSFET
- Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件。这些双DFN3020 MOSFET的电学性能与较大的SOT23封装器件不相上下，可以替代两个独立的SOT23封装MOSFET，节省七成的电路板空间。
- 关键字：
Diodes MOSFET
- Diodes公司推出完整的先进高速CMOS逻辑器件系列，实现比现有同类高速CMOS逻辑器件更优越的功耗和开关速度。全新74AHC1Gxx逻辑系列的工作电压为2.0V至5.5V，可轻易替代用于各种消费电子产品的行业标准逻辑器件。
- 关键字：
Diodes 逆变器
- Diodes公司推出ZXCT11xx系列低功耗高侧电流监控器。新器件的工作电流仅3µA，可为各类电机驱动、过载保护及安全应用提供精确、高效的负载电流测量。
- 关键字：
Diodes 电流监控器
- Diodes公司推出新型APX4558双通道运算放大器，其输入噪声低至8nV/√Hz，无需增加物料清单成本也可满足更高的音频性能要求。
APX4558的先进性能加上高达3MHz的单位增益带宽，使其适用于成本特别敏感的各种音频产品，如机顶盒和前置放大器。
Diodes为新器件提供两种不同版本，包括工作温度范围为0º至 70ºC的APX4558商业级器件，以及工作温度范围-40ºC至105ºC的APX4558I工业级器件。两款新器件均采用
- 关键字：
Diodes 运算放大器 APX4558
- Diodes公司推出ZXGD3005E6 10A栅极驱动器，在电源、太阳能逆变器和马达驱动电路中，实现超快速的功率MOSFET及 IGBT负载切换。这款非逆转的闸驱动器具有完善的射极跟随器配置，可提供少于10ns的传递延迟时间，和少于20ns的升降时间，从而减少开关损耗、简化电路设计和改善系统的整体可靠性。
- 关键字：
Diodes 高电流闸驱动器
- Diodes公司推出采用紧凑PowerDI5封装的额定12A和15A器件，扩展了其专利的超势垒整流器(SBR)系列。新器件可用作空间有限的开关模电源设计的输出整流器，具备超低正向压降特性，无论在效率或冷却运行方面都超过了标准肖特基二极管。
- 关键字：
Diodes 整流器
- Diodes公司宣布开发出一种用于制造下一代高压整流器的专有工艺平台。这种命名为DIODESTAR的工艺是由Diodes设在英国奥尔德姆(Oldham)的晶圆制造厂开发的，并已开始交付第一款器件——一款用于LCD-LED电视电源的高效率600V、8A整流器。
- 关键字：
Diodes 高压整流器
- Diodes公司宣布开发出一种用于制造下一代高压整流器的专有工艺平台。这种命名为DIODESTAR的工艺是由Diodes设在英国奥尔德姆(Oldham)的晶圆制造厂开发的，并已开始交付第一款器件——一款用于LCD-LED电视电源的高效率600V、8A整流器。
- 关键字：
Diodes 高压整流器
- Diodes公司推出具有低压差和低静态电流的全新线性稳压器，适用于延长电池寿命为关键设计要素的低功耗手持产品设计。150mA的AP7312和300mA的AP7332两款新型双固定输出器件压差值分别为150mV和300mV，典型额定静态电流仅为60µA。
- 关键字：
Diodes 线性稳压器 AP7312 AP7332
diodes介绍
二极管（同见双极晶体管，半导体，晶体管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
[
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
