- Diodes公司推出AL8400线性LED驱动器控制器。它能通过一个外部晶体管精确调节各种高亮度LED电流。该控制器适用于照明、指示或标牌系统中不同类型的LED串，可直接在2.2V至18V的电压下工作，并能驱动N沟道MOSFET或NPN双极晶体管。
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Diodes AL8400
- Diodes公司推出的APM860x锂电池充电器IC具备一系列安全功能，可为小型便携式产品的充电过程提供保护。
单通道APM8600和双通道APM8601能够持续监控锂离子和锂聚合物电池的充电过程，避免出现过压、充电时间过长或过温情况，确保手机、媒体播放器及耳机等产品的充电过程安全可靠。新器件提供高达28V的过压保护，其中APM8601能自动选择USB或直流输入，APM8600则为直流输入唯一的器件。
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Diodes APM8600 APM8601
- Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD，扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中，为消费类及工业应用的负载点转换器提供高效的解决方案。
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Diodes mosfet
- Diodes 公司推出两款新型低压差线性稳压器 (LDO)，其额定工业温度为摄氏 -40 度至 +85度，适合机顶盒、路由器和LCD显示器等应用。分别为300mA、150mV 压降的AP7335和600mA、300mV压降的AP7365 能够在以上工业温度范围内提供精度2%的可调及固定输出电压操作。
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Diodes 线性稳压器
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
- Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。
在10V 的VGS电压下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分别仅为10mΩ 及8.5mΩ。这些器件能把通常情况下与低侧MOSFET相关的导通
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Diodes DIOFET
- iodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。在基准测试中，DIOFET 的工作温度与其它竞争解决方案相比低5%。MOSFET 结温每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。较低的DIOFET器件工作温度大大提升了负载
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Diodes DIOFET DMS3014SSS DMS3015SSS
- Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件，扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流，以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。该器件能够满足基于变压器的用户线路接口电路 (SLIC) 直流/直流转换器对基本切换功能的严格要求。
Diodes 这次推出的四款产品提供四种不同的行业标准封装选择，包括：SOT223封装的DMN606
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Diodes MOSFET
- Diodes公司推出全新1.5A额定电流降压转换器AP5101，其固定开关频率为1.4MHz，有助于设计人员减少机顶盒、调制解调器以及分布式电源系统等各种类型产品的电路占板面积。
该转换器凭借更高的工作频率，有效减少了电感器及其它标准外部元件的尺寸;配合紧凑的SO-8封装和集成的低RDSON功率MOSFET开关，大大减小了占板空间。外部元件数量的减少相应提高了电路设计的灵活性。
AP5101降压转换器的特点是拥有极低的串联电阻，峰值输出电流保持在1.5A的稳定水平，效率高达92%，宽输入电
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Diodes 降压转换器
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封装的双极晶体管 (BJT)、MOSFET和瞬态抑制二极管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。
Diodes SOT963的占板面积仅有0.7 mm2，比SOT723封装少30%，比SOT563封装少60%，适合低功耗应用。占板面积节省加上0.5 mm的离板高度，让Diodes 的 SOT963 封装器件能够满足各种超便携式电子产品的要求。
现阶段推出的SOT963封装产品线包括6款通用双极双晶体管组合、3款小信号双MOS
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Diodes MOSFET BJT TVS
- Diodes 公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx 系列采用先进的5V CMOS 技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个最受欢迎的标准逻辑功能并设有SOT25 和 SOT353 两种封装选择。74LVCE1Gxx系列则是提供相同功能的74LVC1Gxx进阶版。
Diodes 74LVC1Gxx 产品系列适用于通信、计算、消费及网络设备，最初推出的型号包括 AND、NAND、OR、NOR、XOR、 反转及缓冲功能。这款单栅极产品是业内标准器件中性价比更高的选择
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Diodes 单栅极 74LVC1Gxx
- Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1 x 1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。
这些微型晶体管适用于MOSFET和I
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Diodes 晶体管
- Diodes公司推出全新20V NPN及PNP双极晶体管，它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装，能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计 (5 matrix emitter Bipolar process)。
这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1 x 1.4毫米，离版高度为0.5毫米，有助于设计出极其纤巧的便携式产品，还可改善产品的电性能及热特性。
这些微型晶体管适用于MOSFET
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Diodes 晶体管 DFN1411-3
- Diodes公司推出六款高可靠性的电流监控器产品系列，适用于40V和60V操作。最新的ZXCT108X 器件能检测高侧检测电阻器中的电流，提供接地参考，从而降低系统电路复杂性及成本。
新器件提供宽电源电压及共模电压范围，适合各种应用。ZXCT1083、ZXCT1085及ZXCT1087 支持2.7V至40V电压，适用于工业及计算机电源应用;ZXCT 1082、ZXCT1084和ZXCT1086的额定电压为2.7V至60V，适合处理汽车负载突降和安全特低压电路(SELV)。
Diodes 新
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Diodes 电流监控器 ZXCT108X
diodes介绍
二极管（同见双极晶体管，半导体，晶体管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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