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标签：LED 照明 光源Diodes 公司的AL9910/A是PWM高效高压高亮LED驱动器控制集成电路.源电压从85VAC到256VAC,输入电压高达500V. AL9910能以固定频率高达300kHz驱动外接MOSFET,输出电流从几毫安到大于1.0A,效率高于90%
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Diodes 13W LED
Diodes 公司推出全球体积最小的可编程、全极性霍尔效应开关。这款AH1892器件适用于受空间限制的便携式及电池驱动产品，包括平板电脑、智能手机和摄像机，特别适合接近效应与位置检测的需要。AH1892是一款微功率器件，采用微型的四引脚0.7 x 0.7 x 0.5毫米U-WLB0707-4封装，体积比一般三引脚TSOT封装产品小十七倍。
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Diodes AH1892 霍尔效应
Diodes公司推出新型的低功耗高频头(Low Noise Block，简称LNB)电源管理及控制集成电路系列，适用于机顶盒、内置卫星调频器的电视，以及计算机卫星调谐器卡等不同产品。全新ZLPM8000系列以提升产品效率和可靠性为设计原则，务求为制造商带来所需的灵活性，迎合全球卫星电视标准的要求。
三款率先面世的单输出器件包括：高电流ZLPM8010(750mA)及低电流 ZLPM8011(450mA)，两者均功能完备，支持DiSEqC 1与DiSEqC 2标准;而低电流ZLPM8012(450
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Diodes 电源管理
Diodes公司推出AP9060过压钳位器，用以保护便携式应用中的电源管理集成电路 (PMIC)。该产品采用1.1 x 1.4 x 0.8毫米的小型 W-DFN1114-3封装，适用于最新一代的电池供电产品，包括智能手机、平板电脑及超迷你笔记本电脑。
该新器件能支持很宽的3V至30V的充电器输出电压，把通至PMIC的电压限制在安全的11V钳位电压之内。AP9060通过反馈回路控制一个MOSFET开关，有效地维持钳位电压水平。该器件使用超低的偏置电流，将自身发热量降至最低，从而提升产品的可靠性。
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Diodes 电源管理
Diodes Incorporated 推出新型DRDC3105综合继电器驱动器 (Integrated Relay Driver) ，通过把一个完整的固态继电器驱动器整合于单一的表面贴面封装，可以尽可能地减少印刷电路板的占板面积、削减组件数量，并改善电感性负载控制电路的可靠性。
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Diodes 继电器 DRDC3105
Diodes公司推出AL5801线性发光二极管(LED)驱动器，仅需两个外加组件，就可以为设计人员简化汽车内部、指示牌及一般照明控制电路。这款占位小、采用SOT26封装的器件，把一个100V额定N通道MOSFET集成于一个经过预先偏置的NPN晶体管，能驱动由多达三十个20mA至350mA低功率串联LED组成的链路。
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Diodes 二极管 LED
Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管，有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装，以供顾客选择。
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Diodes 二极管
Diodes Incorporated 推出一系列占板面积小、采用低剖面封装的高速开关二极管，有助大幅降低器件数量及电路板面积。新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压 (Breakdown Voltage) 外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006-3及DFN2020-6封装，以供顾客选择。
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Diodes 二极管
Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。
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Diodes 控制器 MOSFET
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。
这款采用SO8封装的MOSFET控制器操作电压范围宽广，介于5V至25V之间，可由适配器的19V供电轨直接供电，并且在瞬态过压状态下，保证器件正常
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Diodes MOSFET 控制器
Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其额定电压为25V，适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管，并通过减少多达70%的整流器损耗，有效提升最高达3.5%的电源效率。因此，该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。
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Diodes MOSFET ZXGD3104N8
Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封装MOSFET。该器件的结点至环境热阻(Rthj-a)为130ºC/W，能在持续状态下支持高达1W的功率耗散，相比于占位面积相同、Rthi-a性能为280ºC/W的SOT723封装，能实现更低温度运行。
这款无铅DFN1212-3封装MOSFET与采用SOT723封装的MOSFET一样，印刷电路板(PCB)面积为1.44mm2，并具备0.5mm的狭小离板高度，但后者的热效率则较低。这对采用DFN1212-3封装的MOSFET
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Diodes MOSFET
Diodes公司推出AP2331单信道限流负载开关。该产品专为高清晰度多媒体接口 (HDMI) 的标准及其它监视器接口的保护功能而优化设计，适合于3V至5V的热插拔连接以及其它承受高电容性负载和可能受短路影响的应用。
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Diodes 负载开关 AP2331
Diodes公司推出微型12V P通道强化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。
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Diodes MOSFET DMP1245UFCL
Diodes推出SBR12U45LH超级势垒整流器 (SBR) ，额定电流为12A，以超薄型PowerDI-5SP封装，为生产新一代太阳能光电模块 (PV module) 的太阳能电池板制造商，解除设计和生产方面的主要顾虑 。
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Diodes 太阳能电池板
diodes介绍
二极管（同见双极晶体管，半导体，晶体管）
diodes(See also bipolar transistors;semiconductors;transistors)
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